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低气压微波感耦氩等离子体空间分布特性光谱诊断 总被引:3,自引:3,他引:0
用二维光学多道分析仪研究了低气压表面波型微波感耦氬等离子体的光谱辐射特性?鼳bel反演后,得到了在各种气压和微波功率下等离子体辐射光强和激发温度的空间分布及其变化规律。讨论了此等离子体的激发机理。 相似文献
85.
圆形球面虚共焦非稳腔的三维数值研究 总被引:4,自引:2,他引:2
通过对1/2共焦腔和稳定腔的计算,考查了同三维菲涅耳积分方程相应的C 8程序的可靠性。对激光在三维圆形球面虚共焦非稳腔中的传输作了计算和分析。取相同的远场传输距离且放大率由大变小时,强度分布由近场的投影分布逐渐趋于远场的高斯、超高斯分布。 相似文献
86.
本文研究了Bi(2223)超导体屏蔽筒的磁屏蔽效应,从而得出了屏蔽效果与超导体的微观结构、临界电流密度、屏蔽空间大小有关,以及双筒套构的方法可进一步增强磁屏蔽效果的结论。 相似文献
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对于硅薄膜太阳电池来说, 无论是PIN型还是NIP型太阳电池, 采用绒面陷光结构来提高入射光的有效利用率是提高太阳电池效率的重要方法之一.本文采用标度相干理论对PIN和NIP型电池的绒面结构的陷光性能进行了数值模拟. 结果表明: PIN电池中前电极和NIP电池中背电极衬底粗糙度分别为160和40 nm时可获得理想的陷光效果; 在不同粗糙度背电极衬底上制备a-SiGe:H电池发现, 使用40和61.5 nm 背电极可获得相当的短路电流密度, 理论分析和实验得到了一致的结果.
关键词:
陷光结构
光散射能力
标量相干理论
硅基薄膜太阳电池 相似文献
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针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题,通过在PI界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层,不仅有效缓和了带隙失配,降低界面复合,同时也通过降低界面缺陷密度改善内建电场分布,从而提高了电池的收集效率. 进一步引入IN界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计,在仅采用Al背电极时,单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%.
关键词:
非晶硅缓冲层
非晶硅锗薄膜太阳电池
带隙
界面 相似文献
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