自感作用演示实验的改进

演示含有自感器电路接通电源时,电路中电流的增长情况是按图1所示进行的。当电键     

离子选择电极法测定钨精矿中钙

钙离子选择电极已在实际中获得较为广泛的应用,但尚末见到用其测定钨精矿中钙的报导。我们参照文献,采用草酸钙沉淀分离后,用钙离子选择电极测定钙。通过正交试验选取了预处理的最佳条件,方法用于钨精矿中钙的测定获得较好的结果。标准加入法的回收率为     

稀土配合物Na3Eu（DPA）3掺杂的PMMA树脂的制备及其发光性能

稀土配合物Na3Eu(DPA)3具有良好的发光特性和热稳定性,采用加热方法将Na3Eu(DPA)3掺入PMMA树脂中,制成发光塑料树脂,并测定了其发光性能,结果表明,Na3Eu(DPA)3掺入PMMA树脂后,仍保持该稀土配合物原有的发光特性制成的Na3Eu(DPA)3-PMMA树脂复合材料具有良好的发光性能,其发光强度与Na3Eu(DPA)3掺入的含量有关,但没有线性关系。     

过冷熔体中枝晶生长的相场法数值模拟

利用相场法模拟了过冷纯金属熔体中的枝晶生长过程,研究了各向导性、界面动力学、热扩散和界面能对枝晶生长的影响.结果表明,热噪声可以促发侧向分支的形成,但不影响枝晶尖端的稳态行为;随着各向异性的增加,枝晶尖端生长速度增加,尖端半径减小;当界面动力学系数减小及在界面动力学系数小于1的条件下热扩散系数减小时,枝晶尖端生长速度随之减小,而尖端半径相应增大;界面能趋于增大枝晶尺度并保持界面在扰动下的稳定,界面能越大,形成侧向分支的趋势越小 关键词： 过冷 枝晶生长 相场法 数值模拟     

近红外光谱技术在微生物检测中的应用进展

近红外光谱作为一种无损检测技术被广泛应用于农业、制药、食品等领域的多组分品质快速监测。微生物的快速准确检测,在临床诊断、制药和食品加工等领域一直是一个难题。微生物菌体细胞壁、细胞膜及细胞内生物大分子和水的近红外光谱具有高度特异性,因此可以使用近红外光谱快速识别和分类不同的微生物。通过对相关文献的归纳整理与分析提炼,对近红外光谱技术在微生物检测中的研究进展做综述。对微生物的基本知识和近红外光谱技术鉴定微生物的基本原理进行了介绍,并重点综述了近红外光谱技术在微生物分类、食源性微生物检测和成像微生物检测等方面的国内外研究进展,最后对近红外光谱技术目前存在的问题和未来的应用前景进行了展望,以期为今后在微生物检测领域更好地利用近红外光谱提供参考。     

6株破囊壶菌的分离鉴定及脂肪酸组成研究

采用松花粉诱导法从海藻、腐木等海洋漂浮物上分离得到6株破囊壶菌, 其中菌株PC003、PC021、PC022为Schizochytrium属, 菌株PC004、PC014、PC060为Thraustochytrium属. 经分析, 分属2个属的菌株的脂肪酸差异较大, Schizochytrium属的3个菌株含有占总脂肪酸22%以上的二十二碳六烯酸(DHA), 8.3%以上的二十碳五烯酸(EPA), 9.4%以上的二十碳四烯酸(ARA)和19%以上的C16:0(软脂酸); Thraustochytrium属的3个菌株含有占总脂肪酸33%以上DHA, 7.8%以上的EPA, 和24.7%的C16:0. 其中, Thraustochytrium属菌株PC004的脂肪酸中DHA含量高达56.32%, 可培养成为DHA高产菌株. 结合6株菌之间的亲缘关系推测, 亲缘关系相近, 所产脂肪酸种类及含量相似, 因而从Thraustochytrium属中更容易筛选到DHA高产菌株.     

发光光弹性涂层荧光信号强度的影响因素

为提高发光光弹性涂层方法中涂层的荧光信号强度,以液态E-44型环氧树脂为光弹性材料、罗丹明B为荧光染料,制作了新、旧两种不同结构的发光光弹性涂层.通过对新、旧两种结构发光光弹性涂层受465nm光波激发时荧光发射光谱的比较,说明新的发光光弹性涂层结构比原有发光光弹性涂层在提高测量信号强度方面的优势,测量结果还表明:发光光弹性涂层测量信号的强度提高还与合理选择涂层中荧光染料浓度、荧光信号发射波长有直接关系.     

海明顿中学化学课堂教学情境启示录

本文对课堂情境、课堂情境的功能作了阐述,例举了几例加拿大海明顿市中学化学课堂情境,对中学化学教学有一定的启示。     

气冷引线热平衡方程的求解方法

给出了在气冷引线最佳化问题中求解热平衡方程的方法。在寻求终解的过程中,既要解决诸多参量中包含非独立参量的问题,又要解决特解表达式的定义域中既有自变量又有因变量的问题,还要解决多解函数中确定真解定义域的问题。上述问题的解决为最终求出引线温度分布并解决引线最佳化问题奠定了基础。     

GaAs中过渡金属深杂质能级的计算

本文采用41个原子的原子族模型来模拟晶体,用电荷-组态自洽(SCCC)的EHMO方法和在边界上用"类Ga"和"类As"原子来饱和悬挂键,计算了中性过渡金属原子Cr、Mn、Fe、Co、Ni在半导体GaAs中的深杂质态,所得杂质能级在带隙中的位置与实验结果相符。