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71.
A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.  相似文献   
72.
HLS直线加速器调制器系统设计与改造   总被引:1,自引:0,他引:1  
尚雷  罗雪芳  王炜  洪钧  陆业明  张毅  赵枫 《中国物理 C》2003,27(12):1133-1137
介绍了合肥同步辐射光源速调管调制器改造项目.在新的设计中采用了开关型恒流PFN充电电源,计算了充电参数,建立了主放电回路的仿真模型,重点分析了电路中反向电压问题,依据仿真结果及分析设计了反向保护电路.给出了运行中的主要波形.最后介绍了新的调制器控制系统.  相似文献   
73.
电感储能型脉冲功率调制器中的一个关键部件是断路开关。电爆炸金属丝(箔)断路开关是使用最广泛的一种。为了给今后开展更高功率断路开关研究奠定基础,开展了电爆炸箔断路开关的理论和实验研究。  相似文献   
74.
经过多年的发展,采用全光彩色调制器进行彩色摄影的技术已经相当成熟.作为大专院校的学生,有必要了解这一领域的研究成果.为此,开设了TOCM彩色摄影实验,本文介绍了该实验的原理和实验内容.  相似文献   
75.
曹霞  何赛灵 《中国物理快报》2003,20(7):1081-1083
A Mach-Zehnder electro-optic modulator is designed and fabricated based on upper-clad GeO2-doped silica ridge waveguides with thermal poling.The electro-optic coefficient obtained is about 0.05pm/V and is polarizationinsensitive.An extinction ratio of over 17dB is achieved.The transmission loss of the modulator for the TE mode is 2-3dB higher than that for the TM mode after the poling.  相似文献   
76.
应用双面电极的PLZT横向电光调制器电场的精确解   总被引:3,自引:0,他引:3  
叶宇煦  曾庆济 《光学学报》1997,17(5):04-608
使用保角变换方法导出了横向电光调制器中双面电极结构的电场和电容的解析表达式,给出了用于PLZT电光陶瓷介质中二次电光效应分析的电场分布的物理图像。通过计算对比表明,双面电极结构电极边级区域由于过剩双折射引起的强度调制非均匀性较单面电极有所改善。  相似文献   
77.
乔平 《光的世界》1993,11(4):26-28
  相似文献   
78.
GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件   总被引:1,自引:0,他引:1  
吴荣汉  高文智 《光子学报》1995,24(5):388-392
采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阶(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器,其两态衬比度可达10dB.所研制的SEED器件,其导通光能耗低于10fJ/(μm)2,实现其光学双稳态及R-S光触发器工作。  相似文献   
79.
扩展频谱(以下简称“扩频”)通信在现代通信中是一种很重要的技术,具有抗干扰性强和保密性好的能力;在测距中可以改善测距精度,因为测距精度与扩展带宽有关;利用具有相同谱的码分多址,多个用户可以共用一个信道。 SAW器件在通信系统中有很多应用。本文主要是介绍SAW-MSK信号调制器/产生器和SAW卷积器在扩频通信系统中的应用并报道某些实验结果。  相似文献   
80.
MOSFET调制器的实验研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
 介绍了MOSFET调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究。基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速MOSFET对管组成的推挽输出形式,加快了MOSFET的开关速度。利用Pspice软件对开关上有无剩余电流电路(RCD)两种情况进行仿真,结果表明,加装RCD电路可以有效吸收MOSFET在关断瞬间产生的反峰电压。实验中,电流波形用Pearson线圈测量,用3个MOSFET并联作开关,当电容充电电压为450 V,负载为30 Ω时,脉冲电流13 A,前沿20 ns,平顶约80 ns;用3个单元调制器感应叠加,当电容充电电压为450 A,负载为30 Ω时,脉冲电流强度为40 A,前沿25 ns,平顶约70 ns。  相似文献   
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