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近十几年来,由于生产技术的需要、表面分析方法的逐步完善以及固体物理本身的发展,表面物理迅速发展成为一门新的物理学分支学科.为了介绍表面物理各个方面的基础知识和基本规律,本刊从这一期起连续刊载“表面物理讲座”,供广大读者阅读、参考。 相似文献
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氢在GaAs, 和InP 表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS) 来探测.Ga-H侧, As-H , In-H 和P-H 键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失. 但是A-H 振动极容易和Ga-H 振动追加声子损失相混淆, 只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布. 对于GaAs (1 1 1)面, 低暴露量时只形成Ga-H 键, 而高暴露量时还可以形成As-H 键.而InP(1 1 1 ) 表面由于是经过磷气氛退火处理的, 在低暴露量下In 一H 与P一H 键均可形成. InP (III) 面上只看到P-H 损失峰, 说明这个表面是完全以P 原子结尾的. 在(1 1 1 ) 面上出现小面的情形, 则表面III族和V族原子均可同氢成键.
关键词: 相似文献
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单壁碳纳米管(SWNTs)由于具有独特的物理、化学性质,激起人们极大的研究兴趣。目前生产的SWNTs通常包含等量左旋和右旋对映异构体,无光学活性,极大地限制碳纳米管在光学和光电子领域的研究和应用。已报道的非共价法分离光学活性碳纳米管的方法主要有离子交换色谱法、nanotweezers选择法、密度梯度超高速离心法、共轭聚合物缠绕法和小分子吸附法。本文较为详尽地综述了非共价法分离光学活性碳纳米管的研究进展,对各种分离方法的机理进行阐述,并在此基础上分析这些方法和分离效果的关系,指导设计和合成新型的分离试剂。最后,本文还针对上述研究中存在的问题,提出了旋光性SWNTs分离技术的研究方向。 相似文献
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2000年3月4日晚9时35分,与病魔顽强斗争到最后一息的谢希德先生,不幸与世长辞,离开了我们,也离开了她毕生为之奋斗的共产主义事业.1 物理世家谢希德先生1921年3月19日出生于福建省泉州市蚶江镇赤湖乡.她的父亲谢玉铭早年毕业于燕京大学.1923年,她父亲得到洛克菲勒基金社的奖学金赴美国留学,母亲郭瑜瑾女士则在厦门大学念书.在谢希德4岁时,母亲不幸患病去世,此时,父亲正在美国芝加哥大学攻读物理博士学位,幼小的谢希德在祖母照料下过日子.1926年,谢玉铭先生学成回国,应聘在燕京大学物理系执教.谢希德7岁时,父亲与燕京大学数学系毕业生张舜英… 相似文献
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用俄歇电子能谱观察清洁InP表面在电子束照射下与真空室中H2O和O2的相互作用,发现水蒸汽所引起的电子束感应吸附氧的作用比氧气要明显得多。在吸附氧的同时,In和P的俄歇信号也发生变化,分析其过程为一种氧化过程,氧一开始先同表面的In结合成为氧化铟,随后向表面以内透入,并不断同In和P结合,氧化层的厚度随时间几乎是线性地增加的。与InP的自体氧化层的俄歇深度分布相比较,二者极为相似,所不同的是,电子束感应吸附的氧不足以使表面层中的磷全部氧化,而ESO的氧化层中磷的
关键词: 相似文献
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这是作者参加1993年2月在美国召开的有关多孔硅发光的国际会议后写的总结.它深入浅出地介绍了会议的全貌,概括了多孔硅发光及有关性质的研究现状和进展,有助于广大读者了解物理学中这一热点、领域的进展和现状.本刊热切希望参加有关物理学热点领域国际会议的同志及时为我刊撰写这类会议报道. 相似文献
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在分析大脑神经元细胞的工作原理基础上,得出了在人工神经网络中的神经元器件应具有的特点,并介绍了硅基铁电薄膜神经元器件的模型及原理,该器件利用铁电薄膜具有随外加脉冲电压而改变的自极化状态,来调制半导体表面的电阻,以达到不同状态输出的目的。 相似文献