锡薄膜等温氧化研究

采用电子束蒸发制备金属锡薄膜,将其在250—400℃温度范围内进行等温氧化,研究锡薄膜的热氧化动力学机制.采用台阶仪、扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪和X射线衍射仪等方法研究锡薄膜氧化过程中厚度、组分、结构等演变.实验结果表明,在250—400℃温度范围内,锡膜氧化后氧化层按抛物线规律生长;转变活化能为0.34eV;锡膜氧化受到氧扩散机制的控制.研究得到氧化层的生长首先从形成SnO相开始,随着氧化的深入,SnO相分解形成Sn₃O₄相,最后转变为SnO_{2< 关键词：}     

惯性约束聚变实验用平面薄膜的制备及其表面图形的引入

平面薄膜是ICF分解实验的重要靶型,以半导体技术结合重掺杂自截止腐蚀制备厚度为3－4um的Si平面薄膜,以热蒸发结合脱膜工艺制备Al平面薄膜,两者的表面粗糙度分别为30nm和10nm左右;进一步采用离子束刻蚀在平面薄膜的表面引入网格或条状图形,获得测量成像系统像传递函数的刻蚀膜,控制离子束刻蚀工艺的参数以实现图形的精确转移。     

用激光诱导荧光方法研究Ca+NF3, CHF3反应的初始产物能态分布

本文使用LIF方法在气-束装置上研究了Ca+NF_3——CaF+F_2N 和Ca+CHF_3——CaF+CHF_2二个反应的初始产物能态分布。通过测得的CaF分子的LIF激发光谱和计算机模拟计算, 发现二个反应的CaF振动分布属于类Boltzmann型, 并取得其内能分配的信息。通过光谱模拟和信息论计算, 还获知NF_2和CHF_2自由基的内能态是激发的。根据分析, 本文认为这二个反应是具有后期释能特征的直接碰撞反应。     

纳秒脉冲电压同轴电场下有机玻璃和尼龙的闪络特性

 利用基于SOS的SPG200高压脉冲功率装置研究了有机玻璃(PMMA)和尼龙1010在变压器油中的闪络特性。研究结果表明：闪络电压随内电极直径增加近似指数增加，随闪络距离延长近似线性增加，相应的击穿时延也近似线性增加。受实验条件的影响，有机玻璃和尼龙1010的闪络性能略有差异。同轴径向电场降落集中在内电极表面附近一定径向距离内，同轴电场下的闪络电压主要由内电极表面电场与径向电场分布的均匀程度决定。增加内电极直径和延长闪络距离都可以提高闪络电压，而增加内电极直径的效果更显著。     

电泳沉积法制备YBaCuO厚膜工艺的研究

在极间距为 2 .5 cm的电泳容器中 ,以丙酮为分散介质 ,沉积速度随着粉末浓度和碘加入量的增加先增加后减小 ,最佳参数值 YBa Cu O粉末浓度 3g/ l,碘 0 .3/ l。在本实验设备条件下 ,外加直流电压应为 110 V。在 930℃下恒温 4小时就能达到固化效果 ,没有裂纹出现。固化膜对基带的附着力用划格法测量 ,按 ASTM( American Standards of Testing Mate-rial)标准可达 1级。     

ZrO2/ SiO2多层膜的化学法制备研究

 分别以ZrOCl₂·8H₂O 和正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO₂和SiO₂溶胶。用旋转镀膜法分别在K9玻璃和单晶硅片上制备了ZrO₂/ SiO₂多层膜。采用溶剂替换和紫外光处理等手段,有效地解决了ZrO₂/SiO₂多层膜中膜层开裂和膜间渗透等问题。应用扫描电子显微镜观测了薄膜的表面和剖面微观形貌,并用椭偏仪测得薄膜的厚度和折射率,研究了薄膜厚度、折射率与热处理温度、紫外光处理时间的关系,对所获得薄膜的紫外-可见、红外光谱进行了分析。用输出波长1064nm ,脉宽15ns 的电光调Q光系统产生的强激光进行了单层膜的辐照实验,结果发现溶剂替换后激光损伤阈值有所提高。     

工业CT图像边缘伪影校正

为了去除工业CT图像中的边缘伪影,提高CT图像的识别能力和尺寸测量精度,提出一种降低串扰的系数修正法。首先分析得出边缘伪影主要是由散射射线在相邻探测通道之间的串扰所导致,并给出了探测通道串扰的数学模型;然后根据数学模型设计实验方案,通过对影响串扰率的主要因素进行实验分析,得到串扰率随入射X射线能量和被测物体厚度变化关系,再通过最小二乘拟合得出投影数据关于串扰率的函数;最后利用此函数对投影数据进行校正,降低了串扰的影响。实验结果表明,探测器间一级串扰率约为9.0%,二级串扰率约为1.2%,其中一级串扰是造成边缘伪影的主要因素,采用本文方法能够有效地抑制边缘伪影,同时较好地保留了图像细节和边缘。     

高梯度绝缘子的实验研究与性能分析

为解决脉冲功率系统中绝缘部件的真空沿面闪络问题,开发了基于二次电子崩理论的层叠式高梯度绝缘材料。利用全金属超高真空分析系统,对高梯度绝缘子的真空出气特性进行检测;利用四极质谱仪,对高梯度绝缘子真空出气的气体成分进行分析。利用阻抗分析仪测试不同结构绝缘材料的高频介电性能。基于纳秒脉冲真空实验平台,对高梯度绝缘子的真空沿面闪络性能进行测试。研究结果表明:高梯度绝缘子具有良好的高频介电性能,其拐点频率高达200 MHz;锻炼后高梯度绝缘子的闪络场强可达190 kV/cm,其闪络性能和高梯度绝缘结构中绝缘层的材料及绝缘层与金属层的比例直接相关。     

用激光诱导荧光方法研究Ca+NF_3,CHF_3反应的初始产物能态分布

本文使用LIF方法在气-束装置上研究了Ca+NF_3——CaF+F_2N 和Ca+CHF_3——CaF+CHF_2二个反应的初始产物能态分布。通过测得的CaF分子的LIF激发光谱和计算机模拟计算,发现二个反应的CaF振动分布属于类Boltzmann型,并取得其内能分配的信息。通过光谱模拟和信息论计算,还获知NF_2和CHF_2自由基的内能态是激发的。根据分析,本文认为这二个反应是具有后期释能特征的直接碰撞反应。     

二氧化硅多孔介质气凝胶和干凝胶的分形结构研究

二氧化硅多孔介质气凝胶和干凝胶的结构用小角Ｘ射线散射进行了研究．实验表明，用一步法制备的各种气凝胶全部具有分形结构．而干凝胶和用两步法制备的气凝胶没有分形结构．实验还证明干凝胶由尺度较大的球形颗粒组成