二甲亚砜硝酸钇的晶体结构

二甲亚砜硝酸钇Y(NO₃)₃·3DMSO晶体属单斜晶系,a=13.604(4)?,b=12.669(4)?, c=11.554(2)?, β=100.14(4)°,z=4。空间群为P2₁/n。用PW-1100四圆衍射仪收集强度数据,独立衍射点数为3615个。结构已用重原子法解出,用全矩阵和方块对角矩阵最小二乘方法修正结构参数,最后R因子为0.080。结构分析结果表明,围绕着钇离子的九个氧构成稍歪扭的“三帽三方棱柱”配位多面体。钇和配位氧之间 关键词：     

15—冠—5硝酸铈的晶体结构

15-冠-5硝酸铈晶体属单斜晶系,空间群为C_(2h)~5-p2_1/a,晶胞参数为:a=13.657(2),b=14.607(1),c=9.333(2)A,β=95.53(8)°,Z=4.用PW-1100四圆衍射仪收集强度数据,独立衍射点为2856个。用重原子法解晶体结构。结构参数的修正采用方块矩阵最小二乘法,R=0.073。铈由5个冠醚氧(Ce-O_(crown)=2.572 A)和6个硝酸根氧(Ce-O_(NO_8~-)=2.716 A)组成配位。     

关于含有极小单侧理想的本原环结构

本文用双侧模方法代替通常有限拓扑方法来描述具有极小单侧理想本原环结构,结果包含深化和扩展了本原环的熟知基本定理——结构定理及同构定理(参见文献[1])。     

可列无限维向量空间的连续线性变换完全环的结构

本文利用[1]的结果给出了可列无限维向量空间的连续线性变换完全环的一个结构。     

本原环之间的有限结构定理及其在Galois理论中的应用(英文)

设是除环F上向量空间,P是F的一个子除环且在F中是Galois,即存在F的一个自同构群G使I(G)=P。记Φ是F的中心,G_0是属于G的内自同构群,G_0的元素记为I_r,r∈F.记是G的代数,P′=C_F(E′)是E′在F中的中心化子。记是的F-线性变换完全环,是中所有秩小于的元素集合,那末我们有如下主要结果: (1) [F:P′]_L=n有限当且仅当,其中表示元素r_i的标量左乘。 (2) [P′:P]_L=t有限当且仅当,其中S_j表示的F-半线变换自同构,它的伴随同构ψ_j∈G。 (3) 如有某个序数v使T_v(P,),T_v(P′,)及T_v(F,)满足(1)及(2)中的关系式,那末对任何T_μ(P,),T_μ(P′,)及T_μ(F,)皆满足(1)及(2)中的关系式。特別对及是如此。 (4) 如果[F:P]_L有限,那末必有,其中dim.E′表示E′在φ上的维数,[G/G_0]表示G_0在G中的指数。特别G是Galois群,则 (5) 若是F的另一自同构群且,那末必有,其中表示的代数。 如果P取为F的中心时,于是从上述结果(1)就得出熟知的定理:[F:Φ)是有限的当且仅当。 另方面,运用我们上述的结果,可导出除环F的有限Galois理论。     

电场调谐InAs单量子点的发光光谱

采用稳态和时间分辨发光光谱,研究了生长在p-i-n二极管结构内的InAs单量子点发光光谱的电场调谐特性.随着电场强度的增加,观察到量子点中激子发光的Stark 效应.通过选择不同波长的激光线激发量子点样品,发现随着电场强度的增加导致量子点发光强度的减弱,这是由于量子点俘获载流子概率的减小所致,而激子寿命的增加源于电场导致激子的Stark效应. 关键词： InAs单量子点 Stark效应 电子-空穴分离     

平行光路方向运动的光栅多普勒效应及其在测微小位移中的应用

研究了光栅平行光路运动时产生的光的多普勒效应,用实验进行了验证,并将该原理应用到对微小位移量的检测中. 对原理进行了拓展,得到光栅以任意角度运动产生光的频移的普适公式.     

带变量核的分数次积分算子在Herz型Hardy空间上的有界性

正1引言令S~(n-1)(n≥2)是R~n中的单位球面,dσ是S~(n-1)上规范的Lebesgue测度,且定义在R~n×R~n上的函数为Ω(x,z).若Ω(x,z)满足如下两条件:(1)Ω(x,λz)=Ω(x,z),对于任意的x,z∈R~n,及λ0;     

两水平U-型设计的扩大设计在投影加权对称偏差下的均匀性

均匀设计以其稳健和使用方便、灵活的特性而广受欢迎.为获得实验目标区域内散布均匀的设计点集,不同的均匀度量标准相继被提出.目前被广泛应用的有中心化L₂-偏差、可卷型L₂-偏差、混合偏差等.对称化L₂-偏差具有更好的几何性质,但受限于投影均匀性差的缺陷,使用范围十分有限.为了改进对称化L₂-偏差的低维投影均匀性,基于指数加权方式的投影加权对称化L₂-偏差的概念被提出,加权后的对称化L₂-偏差既能保留原偏差的各种优良性质,同时有效克服原来的缺陷并有更优异的表现.折叠翻转是构造因子设计时非常有用的技巧.本文利用投影加权对称偏差来作为评价折叠翻转方案的最优性准则,得到了两水平U-型设计在一般折叠翻转方案下扩大设计的投影加权对称偏差的下界,该下界可以作为寻找最优折叠翻转方案的基准.     

Temperature Dependence of Photoluminescence from Single and Ensemble InAs/GaAs Quantum Dots

We investigate the temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots systematically. As temperature increases, the exciton emission peak for single quantum dot shows broadening and redshift. For ensemble quantum dots, however, the exciton emission peak shows narrowing and fast redshift. We use a simple steady-state rate equation model to simulate the experimental data of photoluminescence spectra. It is confirmed that carrier-phonon scattering gives the broadening of the exciton emission peak in single quantum dots while the effects of carrier thermal escape and retrapping play an important role in the narrowing and fast redshift of the exciton emission peak in ensemble quantum dots.