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71.
采用脉冲数字显微全息技术,对50 fs单脉冲激光烧蚀铝靶过程中的物质喷射以及等离子体演化的动态过程进行了实验研究,获得了高时空分辨的动态数字全息图.由全息图观察到了热弹力波引起的二次喷射现象,并且报道了大延迟下喷射物质对400 nm探测光所引起的干涉条纹的反常移动现象.通过对全息图进行数字再现,得到了不同延迟下探测光穿过等离子体后的二维相位分布,并运用逆Abel变换算法获得了等离子体折射率以及等效电子密度的时空演化动态过程.根据实验以及计算所得到的有关于喷射物的光学性质,对喷射物的结构和成分进行了分析.
关键词:
脉冲数字全息
飞秒激光烧蚀
超快时间分辨
等离子体 相似文献
72.
Laser performance of 1064 nm domestic Nd:YAG ceramic lasers for 885 nm direct pumping and 808 nm traditional pumping are compared. Higher slope efficiency of 34% and maximum output power of 16.5 W are obtained for the 885nm pump with a 6ram length 1 at.% Nd:YAG ceramic. The advantages for 885nm direct pumping are discussed in detail. This pumping scheme for highly doping a Nd:YAG ceramic laser is considered as an available way to generate high power and good beam quality simultaneously. 相似文献
73.
74.
通过纤维素多乙烯多胺衍生物2a~2c与1,3-二环氧丙基杯[4]芳烃3反应,合成了螯合树脂杯芳烃接枝纤维素4a~4c,用红外、元素分析和SEM等对其结构和形貌进行了表征.通过含氮量推算出新螯合树脂4a~4c中每个纤维素单元的杯芳烃接枝取代度分别为0.75、0.82和0.87.金属阳离子吸附性能实验表明,杯芳烃单元的引入在吸附过程中有重要作用,该螯合树脂结合了杯芳烃和纤维素的各自吸附性能优势,不仅吸附容量较高,而且表现出高的选择性吸附能力.树脂4b和4c对Ni2+离子表现出很高的吸附选择性,4a~4c的Ni2+饱和吸附容量分别达到2.96 mmol/g、2.93 mmol/g和2.66 mmol/g.在pH<4的强酸性条件下树脂的吸附能力迅速下降.该树脂用10%的氨水解吸附后有较好的重复使用性. 相似文献
75.
利用壳层模型分子动力学方法,考虑萤石结构分子中的预熔化现象,对SrF2和BaF2的分子动力学模拟熔化温度进行修正,获得了高压下SrF2和BaF2的熔化温度.同时给出了300K、0.1MPa-7GPa和10.1MPa-3GPa时SrF2和BaF2的状态方程,与已有研究结果的最大误差分别为0.3%和2.2%.计算所得SrF2和BaF2常压下的熔点与已有的实验结果符合较好.对于SrF2和BaF2分子体积变化和已有的熔化模拟的差别也做了比较和讨论. 相似文献
76.
以车辆平均延误时间最小为目标,建立单交叉口和线状区域的多交叉口信号实时配置的优化模型,结合外点罚函数法和模式搜索法求解,解决函数的不可微问题,算法简单可行. 相似文献
77.
针对水下湍流的复杂性和多变性对水下航行器性能和姿态控制产生的挑战,提出使用卷积神经网络来测量水下湍流的温差耗散率XT。首先,采用功率谱反演法和惠更斯-菲涅尔原理仿真生成了受水下湍流影响的散斑图像数据集。随后,利用卷积神经网络提取这些受湍流影响的散斑图像中的特征信息,并对温差耗散率XT进行估计。最后,通过现场实验数据集验证了所提出方法的可行性。实验结果表明,所提出的神经网络在实地实验数据集和模拟仿真数据集上表现出相似的分类精度和损失曲线,其测量准确率分别为98.8%和99.2%。这一研究为水下环境监测和资源勘探领域提供了重要的参考,对于光学图像处理和湍流研究等相关领域具有实际意义。 相似文献
78.
采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不同温度下高真空退火后的结构及输运性质.结果表明:经退火处理后的样品的方块电阻均小于常温下样品的方块电阻;X射线衍射图谱中,各个退火温度下均没有Nb-Ni结晶峰和其它杂峰出现;在AFM图像中,随着退火温度的上升,样品表面的粗糙度逐渐增加,晶粒的尺寸也在逐渐增大,直到当退火温度达到750℃左右,样品表面布满了岛状晶粒进而导致阻挡层失效. 相似文献
79.
Effects of charge and dipole on flatband voltage in an MOS device with a Gd-doped HfO_2 dielectric 下载免费PDF全文
Gd-doped HfO2 has drawn worldwide interest for its interesting features.It is considered to be a suitable material for N-type metal-oxide-semiconductor(MOS)devices due to a negative flatband voltage(Vfb)shift caused by the Gd doping.In this work,an anomalous positive shift was observed when Gd was doped into HfO2.The cause for such a phenomenon was systematically investigated by distinguishing the effects of different factors,such as Fermi level pinning(FLP),a dipole at the dielectric/SiO2interface,fixed interfacial charge,and bulk charge,on Vfb.It was found that the FLP and interfacial dipole could make Vfbnegatively shifted,which is in agreement with the conventional dipole theory.The increase in interfacial fixed charge resulting from Gd doping plays a major role in positive Vfbshift. 相似文献
80.
太阳能电池材料-铜锌锡硫化合物薄膜制备及器件应用研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
锌黄锡矿结构的CZTS(铜锌锡硫)材料与目前在薄膜太阳能电池领域表现出色的黄铜矿结构的CIGS(铜铟镓硒)材料具有相似的晶体结构,且CZTS有着很好的光电性能,组成元素在地球上含量丰富,安全无毒,非常适合用来发展高效、廉价的太阳能电池.近期CZTS类太阳能电池的最高效率已达到12.6%,在科研和产业领域引起了广泛关注.在简介了“新星”太阳能电池材料CZTS的性质及薄膜太阳能电池器件的基本结构之后,重点总结了CZTS薄膜的制备方法(真空、非真空法)以及相应器件效率,其中对众多非真空制备法进行了独到的归类总结.最后,对CZTS薄膜的优化方法进行了分析,并对其未来发展方向做了展望. 相似文献