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全无机卤化物钙钛矿由于其稳定性强,且具有良好的光学性质,是一种很有前途的光电材料。然而,有效地设计其带隙以满足实际应用需求仍是亟待解决的关键问题。通过控制合成的反应时间和温度,对铯铅碘(CsPbI_3)纳米材料进行形貌调控,合成出形貌均一、结晶性良好的棒状CsPbI_3纳米材料。进一步利用金刚石对顶砧,结合原位高压紫外-可见吸收光谱,对CsPbI_3纳米棒在高压下的带隙变化进行研究,发现高压下CsPbI_3纳米棒的带隙减小,带隙的可调控性为纳米材料在光伏电池领域的应用奠定基础。研究结果不仅有助于在原子尺度上建立CsPbI_3纳米棒的结构特性关系,而且为全无机钙钛矿纳米材料的实际应用提供重要线索。 相似文献
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2-取代硫醚(砜)-5-(4-硝基或4-甲氧苯基)-1,3,4-噻二唑类化合物的合成及抑菌活性 总被引:1,自引:0,他引:1
以4-硝基苯甲酸和4-甲氧基苯甲酸为起始原料,经酯化、酰肼化、成钾盐、闭环、硫醚化合成7个新化合物5.在乙醇中钼酸铵催化过氧化氢氧化合成了10个2-取代磺酰-5-(4-硝基或4-甲氧苯基)-1,3,4-噻二唑砜化合物6.所有化合物结构经过1HNMR,13CNMR,IR和元素分析确证.初步生物活性试验结果表明,在500μg·mL-1浓度下化合物5d对小麦赤霉病菌、辣椒枯萎菌、苹果腐烂菌的抑制率分别为99.0%,100.0%,100.0%;化合物6j在50μg·mL-1的浓度下对小麦赤霉病菌、辣椒枯萎菌、苹果腐烂菌的也有较好的抑制活性,其抑制率分别为47.7%,46.4%和50.6%. 相似文献
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2-取代硫醚-5-(3,4,5-三甲氧基苯基)-1,3,4-噻二唑类化合物的合成、结构与体外抗癌活性 总被引:19,自引:0,他引:19
以天然产物没食子酸为原料经醚化、酯化、酰肼化、成盐、闭环、硫醚化六步反应合成了6个2-取代硫醚-5-(3,4,5-三甲氧基苯基)-1,3,4-噻二唑类衍生物, 釆用铟催化下水相合成目标化合物8, 具有反应条件温和, 合成收率高的特点; 用IR, 1H NMR, 13C NMR和元素分析对各化合物进行了表征及结构确证, 并用X射线单晶衍射法测定了化合物8a [2-(2-氯-5-吡啶甲基)硫醚-5-(3,4,5-三甲氧基苯基)-1,3,4-噻二唑]的晶体结构, 采用MTT法进行了新化合物抑制PC3和BGC-823癌细胞体外试验, 结果表明在5μmol•L-1浓度下化合物8e对PC3的抑制活性为55.71%. 化合物8b对BGC-823细胞抑制活性为66.21%. 相似文献
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研制了一种TEC制冷LD侧泵高能量、高光束质量、电光调Q全固态Nd∶YAG激光器。在主振荡器中晶体棒的尺寸为φ7 mm×100 mm,Nd原子数比例为1.1%,LD泵浦的最大峰值功率为15 kW,在重复频率为10 Hz时,获得了350 mJ输出能量,脉冲宽度为9.7 ns,光束质量因子M~2在水平和垂直方向分别为3.3和3.8。使用主振荡功率放大结构,提高了最终的输出功率。第一级放大器Nd∶YAG晶体棒尺寸为φ7.5 mm×134 mm,在输出重复频率10 Hz、泵浦电流80 A、泵浦脉冲宽度200μs时,得到最大单脉冲能量700 mJ,脉冲宽度10 ns。第二级放大器Nd∶YAG晶体棒尺寸为φ8 mm×100 mm,泵浦电流为80 A。最终我们获得了最大的单脉冲能量1 085 mJ,脉冲宽度10 ns,能量不稳定度小于3%,测量的光束质量因子M~2在水平和垂直方向分别为3.9和4.8,实现了焦耳级高光束质量Nd∶YAG激光器的小型化、无水冷化。 相似文献
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利用溶胶-凝胶法分别在Pt/TiO2/SiO2/Si和ITO/玻璃衬底上制备纯相的铁酸铋(BiFeO3)和La掺杂的铁酸铋(Bi1-xLaxFeO3,x=0.05,0.1)薄膜.XRD测试表明BLFO薄膜为纯钙钛矿相,都呈(111)方向的菱形结构,La掺杂可以提高BFO薄膜的结构稳定性.镧掺杂铁酸铋具有更大的剩余极化值和较小的漏电流.此外,随着La成分的增加,薄膜的基本吸收边呈现红移,并通过Tauc公式计算拟合观察到BLFO的光学带隙逐渐减小.结果发现随着La掺杂量(0,5mol;,10mol;)逐渐增大,薄膜的剩余极化值越大,其禁带宽度(Eg)越小. 相似文献
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多铁功能材料在现代生产生活中有举足轻重的作用。本文采用溶胶-凝胶法以硝酸铁、硝酸铋、硝酸钆、硝酸钴为原料,乙二醇甲醚为溶剂,柠檬酸作螯合剂制成前驱体溶液,通过旋涂法在Pt/Ti/SiO2/Si及ITO衬底上合成Bi0.85Gd0.15Fe1-xCoxO3 (x=0, 0.04, 0.08, 0.12)薄膜,研究了Gd3+、Co3+共掺杂对薄膜铁电性能、磁学性能及光学带隙的影响。XRD结果表明所有薄膜均呈(111)方向的菱形结构,SEM结果表明共掺杂可以细化晶粒。根据铁电性和漏电流测试分析结果可知在Co3+掺杂量为8%时最大剩余极化值达到2Pr=15.71 μC/cm2,所有样品的漏电流传导机制均为欧姆传导机制。根据磁学性能测试分析结果可知,共掺杂可以有效增强薄膜的饱和磁化强度,且在Co3+掺杂量为8%时最大饱和磁化强度达到37.78 emu/cm3。根据吸收光谱及Tauc公式拟合结果可知共掺杂可以有效减小薄膜的光学带隙且随着掺杂量的增加光学带隙逐渐减小,在Co3+掺杂量为12%时光学带隙减小到1.96 eV。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了BiFe1-xZnxO3(BFZO)(x=0、2%、4%、6%)(摩尔分数)薄膜,并系统研究了Zn掺杂对BiFeO3(BFO)薄膜结构、表面形貌、漏电流密度、铁电及铁磁性能的影响。XRD图谱显示,所有样品均为钙钛矿结构,无其他杂质相引入。扫描电子显微镜(SEM)测试表明,当Zn掺杂量(x)为4%时,BFZO薄膜表现出均匀的细晶粒和更高的密度,有助于改善漏电流密度。漏电流密度曲线表明,在300 kV/cm的电场下,BiFe0.96Zn0.04O3薄膜的漏电流密度(J)最低为1.56×10-6 A/cm2,比纯BFO薄膜的低3个数量级。同时,BiFe0.96Zn0.04O3薄膜在室温下表现出较大的剩余极化(2Pr=20.91μC... 相似文献