1979年9月19日白光耀斑的半经验模型

本文对1979年9月19日3B级白光耀斑的连续辐射和CaⅡK线强度进行了测量和分析,给出了它们随时间的变化,并利用非局部热动平衡理论,计算了对应连续輻射较强时刻的大气半经验模型。结果表明,耀斑光球层温度增加达150—250K,且连续辐射主要由负氢离子产生。文中并就耀斑光球层的加热机制进行了一些讨论,发现加热能量可能直接产生于大气的较深层。     

Preparation of Cu（In,Ga）Se2 Thin Film Solar Cells by Selenization of Metallic Precursors in an Ar Atmosphere

Cu（In, Ga）Se2 thin films are deposited on Mo-coated glass substrates by Se vapour selenization of sputtered metallic precursors in the atmosphere of Ar gas flow under a pressure of about 10 Pa. The in situ heat treatment of as-grown precursor leads to the formation of a better alloy. During selenization, the growth of CuInSe2 phase preferably proceeds through Se-poor phases as CuSe and InSe at relatively low substrate temperature of 250℃, due to the absence of In2Se3 at intermediate stage at low reactor pressure. Subsequently, the Cu（In,Ga）Se2 phase is produced by the reactive diffusion of CuInSe2 with a Se-poor GaSe phase at high temperature of up to 560℃. The final film exhibits smooth surface and large grain size. The absorber is used to fabricate a glass/Mo/Cu（In, Ga）Se2/CdS/ZnO cell with the total-area efficiency of about 7%. The low open-circuit voltage value of the cell fabricated should result from the nonuniform distribution of In and Ga in the absorber, due to the diffusion-controlled reaction during the phase formation. The films, as well as devices, are characterized.     

钚体源样品γ能谱计算的蒙特卡罗方法

提出了钚体源样品γ能谱分步计算的蒙特卡罗模型和方法.采用分步和直接计算两种方法对球壳形钚体源样品的γ能谱进行了模拟计算.用实验测量的γ能谱验证了计算结果的可靠性，计算结果与实验测量值在10%的误差范围符合.通过对Steve Fetter模型的模拟计算表明：对于外面包有若干屏蔽层的钚体源样品大系统，采用分步方法进行能谱计算，可以使结果快速收敛.     

含纳米棒银溶胶的制备及其光谱性质研究

以CTAB表面活性剂胶束为模板用化学还原法制备出含有银纳米棒的银胶体,用透射电镜(TEM)对颗 粒形貌进行了表征.UV Vis吸收谱显示,含银纳米棒溶胶有两个吸收蜂,其中长波长吸收峰位置随胶粒长径比增 加迅速红移和宽化.用多尺寸统计平均的Mie散射模型计算了纳米棒银胶体的吸收谱,较好地解释了长波长吸收 峰的宽化.以此胶体为衬底材料,测量了染料分子的表面增强拉曼散射(SERS),结果显示,SERS强度随胶体中 所含纳米棒长径比的增加呈现先显著增强后缓慢减弱的变化规律,用电磁增强理论对有关现象进行了分析.     

氯原子光诱导能级移动和增宽

应用半经典的微扰论方法计算出了氯原子光诱导能级移动和增宽，其大小与光强成正比。光频率为41018cm^-1时，氯原子初态3p^52P3/2^0和3p^52P1/2^0在非共振情况下，光移动分别为67．6和26．9MHz/Wμm^-2。当激光频率V接近3P^52P3／2^0→4s^2P3/2的跃迁频率时，氯原子基态3p^52P3/2^0的|MJ,MI>=|-1/2,3/2>→|1/2,3/2>超精细ESR谱线发生近共振频率光移动，大小量级为0．1MHz/Wμm^-2，能级增宽一般远小于光移动。     

硝基甲烷异构化反应势能面的ab initio研究

在B3LYP/ 6 311++G(2d ,2p)水平上 ,优化得到硝基甲烷CH3 NO2 的 10种异构体和 2 3个异构化反应过渡态 ,并用G2MP2方法进行了单点能计算 .根据计算得到的G2MP2相对能量 ,探讨了CH3 NO2 势能面上异构化反应的微观机理 .研究表明 ,反应初始阶段的CH3 NO2 异构化过程具有较高的能垒 ,其中CH3 NO2 的两个主要异构化反应通道 ,即CH3 NO2 →CH3 ONO和CH3 NO2 →CH2 N(O)OH的活化能分别为 2 70 .3和 2 6 7.8kJ/mol,均高于CH3 NO2的C -N键离解能 .因而 ,从动力学角度考虑 ,CH3 NO2 的异构化反应较为不利 .     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

绝缘表面和气体导电与湿度的关系

湿度对绝缘体表面电导和气体电导有一定的影响，但通常在湿度传感器的研究中忽略了气体电导的贡献。本文通过特殊设计装置来区分表面电导和气体电导，并分别从实验和理论上进行了定性的研究。     

轮换数的求和问题

我曾看过这样一篇文章 ,文中说一个两位数与它的倒转数的和都是 1 1的倍数 ,并且这个和除以 1 1的商 ,正好是这个两位数个位、十位上数字的和 .例如 :6 3+ 36 =( 6 + 3)× 1 1 .看完这篇文章后 ,我不禁想到这样一个问题 :既然两位数有上述规律 ,那三位、四位数是否也有类似规律可寻呢 ?那么就让我们一起来探讨一下吧 !如 :2 34+ 2 4 3+ 32 4 + 342 + 4 2 3+ 4 32 =1 998=2× ( 2 + 3+ 4 )× 1 1 1 ,348+ 384 + 4 38+ 4 83+ 834+ 84 3=3330=2× ( 3+ 4 + 8)× 1 1 1 .观察每个算式左边六个数 ,我发现每个加数都是相同数字组成的三位数在百位…