蒸汽-水冷凝泡状流含气率分布

以双流体模型为基础,将前人实验得到的相界面浓度,相界面传热系数,气泡上升速度计算式引入双流体模型用来预测冷凝泡状流沿流动方向的含气率分布。模型预测结果与实验数据的比较结果表明,该模型能较好地模拟蒸汽-水冷凝泡状流含气率沿流动方向分布。     

Keggin型缺位杂多阴离子PW11O7-39电催化降解硝基苯

以Keggin型缺位杂多阴离子PW11O7-39(PW11)为电催化剂,硝基苯(NB)为模型污染物,研究了Na2SO4-NaHSO4介质中PW11O7-39对NB的电催化降解作用.实验结果表明,在pH=2.5,E=-0.6V和O2流速为60mL·min-1的条件下,初始浓度为0.5 mmol·L-1的硝基苯反应80 min即完全降解,反应120 min总有机碳(TOC)去除达42%.硝基苯的电催化降解服从准一级反应动力学模型,室温下其表观速率常数Kobs的大小与NB的初始浓度有关,当NB的初始浓度为0.5,0.9和1.3mmol·L-1时,Kobs值分别为1.0×10-1,6.0×10-2和4.1×10-2min-1.     

低能电子穿越玻璃直管时倾角依赖的输运动力学

采用900 e V能量的电子对直玻璃管进行了穿透实验,测量了玻璃管在倾角为–0.15°,–0.4°和–1.15°时充电过程角分布的时间演化,以及平衡态下出射电子能谱.发现穿透率随时间先下降后上升最后趋于平稳,下降的时间随倾角的增大而减小.当倾角为–0.4°和–1.15°时,电子穿透率下降到最低点时几乎看不到穿透电子(穿透率小于3‰),这种穿透率最低点状态保持时间随倾角增大而增大.穿透电子的角分布中心随着时间变化.在平稳状态时,发现穿透电子的能量损失随倾角增大而增大.采用蒙特卡罗方法模拟了电子经过管壁不同次数反射后的能谱,与测量能谱进行对比,发现–0.15°,–0.4°和–1.15°倾角下,穿透电子分别经历了管壁的一次、两次和三次与表面的反射过程.基于此,本文对电子穿越玻璃管的充电过程动力学给出了物理解释.实验结果和理论分析表明,在小倾角下玻璃管内能形成宏观负电荷累积,排斥后续电子形成反射,增加电子出射概率,这对应用绝缘体微结构,例如玻璃锥管产生稳定的电子微束具有重要的参考意义.     

初中物理教学新思维

运用物理新教材教学以来,教师们运用新课程理念,新课程教学思想,指导着自己的教学。在课堂教学中,更加注重学生的积极参与和自主活动;教学方法上注重互动性、创新性。力争达到“让课堂充满生命活力,让学生成为学习的主人。”在教学中,要想使学生积极、主动的参与学习,我认为教师要精心设计问题情境,用问题唤醒学生的思维,并且要改进实验教学,优化教学过程,这是一种新的思维教学,下面谈一谈我在物理教学实践中得到的一些粗浅认识。     

低能电子在玻璃管中的稳定传输

分别对裸的直玻璃管和外壁与出入口两端面涂导电银胶的直玻璃管进行了低能电子穿透实验.穿透电子的倾角分布显示,穿透电子强度随倾角增大而减少,并且穿透倾角不会超过玻璃管的几何张角.还测量了玻璃管在倾角为-0.2°时的充电过程.对于裸玻璃管,在充电过程中,穿透率和角分布有显著的振荡现象.整体来看,穿透率随时间先下降后上升,最后在某个平均值附近振荡;角分布随穿透率变化同步变化,先向正角度移动再向负角度移动,最后在玻璃管的倾角附近振荡.对于涂导电胶的玻璃管,在充电过程中,穿透率和角分布稳定变化.穿透率随时间先下降后上升最后平稳,角分布随时间先向负角度移动再向正角度移动,最后在玻璃管倾角附近稳定.通过模拟电子与SiO₂材料的碰撞过程,提出了电子在裸玻璃管和涂导电胶玻璃管中的充电过程的物理图像.该物理图像能很好地解释电子在裸玻璃管和涂导电胶的玻璃管中充电过程的实验结果.最后,依据实验结果和物理图像给出了低能电子在玻璃毛细管中稳定输运的条件.     

Realization of semiconducting Cu2Se by direct selenization of Cu(111)

Bulk group IB transition-metal chalcogenides have been widely explored due to their applications in thermoelectrics. However, a layered two-dimensional form of these materials has been rarely reported. Here, we realize semiconducting Cu₂Se by direct selenization of Cu(111). Scanning tunneling microcopy measurements combined with first-principles calculations allow us to determine the structural and electronic properties of the obtained structure. X-ray photoelectron spectroscopy data reveal chemical composition of the sample, which is Cu₂Se. The observed moiré pattern indicates a lattice mismatch between Cu₂Se and the underlying Cu(111)-$\sqrt{3}$×$\sqrt{3}$ surface. Differential conductivity obtained by scanning tunneling spectroscopy demonstrates that the synthesized Cu₂Se exhibits a band gap of 0.78 eV. Furthermore, the calculated density of states and band structure demonstrate that the isolated Cu₂Se is a semiconductor with an indirect band gap of ～ 0.8 eV, which agrees quite well with the experimental results. Our study provides a simple pathway varying toward the synthesis of novel layered 2D transition chalcogenides materials.     

聚集诱导发光现象的理论研究

本文系统介绍了本课题组发展的分子辐射跃迁和无辐射跃迁速率常数的热振动关联函数理论方法的最新进展及其在聚集诱导发光领域的典型应用. 基于第一性原理计算, 定量考察了位阻、温度、聚集等因素对分子体系发光性质的影响. 从微观角度给出了分子聚集诱导发光机理： 分子激发态的无辐射能量衰减通道主要是对应于低频模式的芳香环扭转和高频模式的碳碳伸缩振动. 当位阻增加、温度降低或者分子聚集时, 芳香环的转动受限, 无辐射能量衰减通道被抑制, 导致无辐射跃迁速率常数降低, 而其对辐射跃迁速率常数影响不大, 从而提高分子的荧光量子产率, 荧光增强.     

各种利萨如图形的演示实验

各种利萨如图形的演示实验行小帅（山西师大物理系）本文介绍演示出多种多样的利萨如图形．利萨如图形原指两个相互垂直振动的正弦形振动的合成图形．现在介绍相互垂直的各种类型振动的合成，说明任意两种不同的波形均可以合成奇妙的、有趣的各种利萨如图形，这种演示能够...     

Constraining the First Hitting Time

Let X(ω)= {x(t, ω), t≥0} be Markov chains with stationary, defined tm complete probability space (Ω,P). The transition probabitity matrix {p_(ij)(t):t≥0,i,j∈I} is sta ndard and satisfies the forward equations, where I={0, 1, 2,…} is the state space of X(ω). All states of X(ω) are stable. The sample functions are right lower semicontinuous. The Q-matrix is conservative. The X(ω) is Borel measurable and well separate. The condition (C) is true. (cf, [1])     

锡原子奇宇称5pnd和5pns J = 1, 2 Rydberg系列的多通道量子亏损理论研究

利用多通道量子亏损理论（MQDT）,对锡原子奇宇称5pnd和5pns组态的J = 1,2简并受扰Rydberg系列能级进行了理论分析研究. 通过拟合实验能级,得到了MQDT优化参数,所得理论能级值与文献报道的实验结果符合得很好. 由算得的通道混合系数,分析讨论了通道相互作用特性,确定了所有能级的原子态命名. 本文结果有助于人们更好地了解锡原子高激发态的能级结构和组态相互作用特性.