关于共形平坦流形中子流形的不等式

本文目的在于建立共形平坦黎曼流形中子流形的数量曲率截面曲率间关系的几个不等式,在流形是常曲率的情况下,这些不等式改进了B.Y.Chen和M.Okumura的结果。§1.基本公式和引理设M~(n+p)是一个n+p维的共形平坦黎曼流形,V~n是M~(n+p)的n维子流形。在M~(n+p)中选取局     

4，6-二甲基-2-巯基嘧啶乙酸·邻菲咯啉双核铜配合物的合成及晶体结构

合成了标题化合物[Cu2（phen）2（C8H9N2O2S）（H2O）（OH）]·（ClO4）2,用元素分析和X射线单晶衍射法对其进行了表征和结构分析．该化合物为单斜晶系,空间群：P2（1）．晶胞参数a=8．2295（7）nm,b=18．0274（15）nm,c=24．5459（19）nm,β=96．240（2）°,V=3620．0（5）nm^2,Z=4,Dc=1．686g／cm^3,Mr=918．64,F（000）=1864,μ（Mo—Kα）=1．452mm^-1,R1=0．1091,ωR2=0．1380．两个铜原子通过来自羟基的氧、水分子和4,6-二甲基-2-巯基嘧啶乙酸根桥连．2个铜原子的配位环境基本相同,都具有5配位扭曲的四方锥构型,Cu…Cu之间的距离为0．30189（8）nm．     

火焰原子吸收光谱法测定不同产地大蒜中11种金属元素的含量

为进一步利用和开发大蒜资源,采用V（硝酸）＋V（高氯酸）=4＋1常压微沸条件下消化,用火焰原子吸收法测定不同产地大蒜中的金属元素Na、Ca、Mg、Mn、Cu、K、Zn、Fe、Cr、Cd和Pb的含量。研究了不同元素的仪器最佳工作条件,并做了准确度和精密度的考察。结果表明,大蒜中Na、Ca、Mg、Mn、Cu、K、Zn、Fe、Cr、Cd和Ph的含量分别为236．49、1598．21、612.44, 6.27, 15.48, 12 172.41, 126.88, 64.46, 1.67, 1.75, 2.02; 172.84, 1 243.38, 610.05, 5.32, 13.60, 11689.65, 120. 07, 78.91, 1.75, 2. 04, 1.97; 136. 90, 1467.93, 574. 16, 6. 27,16.90, 12 263.45, 146.34, 116.20, 1.82, 2.17, 2.25 μg·g^-1。加标回收率为96．60％～105．80％,相对标准偏差（n=9）为：0．24％～4．81％,测定方法简单易行,方便快捷。     

4，6-二甲基-2-巯基嘧啶乙酸·邻菲咯啉双核铜配合物的合成及晶体结构

合成了标题化合物[Cu2（phen）2（C8H9N2O2S）（H2O）（OH）]·（ClO4）2,用元素分析和X射线单晶衍射法对其进行了表征和结构分析．该化合物为单斜晶系,空间群：P2（1）．晶胞参数a=8．2295（7）nm,b=18．0274（15）nm,c=24．5459（19）nm,β=96．240（2）°,V=3620．0（5）nm^2,Z=4,Dc=1．686g／cm^3,Mr=918．64,F（000）=1864,μ（Mo—Kα）=1．452mm^-1,R1=0．1091,ωR2=0．1380．两个铜原子通过来自羟基的氧、水分子和4,6-二甲基-2-巯基嘧啶乙酸根桥连．2个铜原子的配位环境基本相同,都具有5配位扭曲的四方锥构型,Cu…Cu之间的距离为0．30189（8）nm．     

Ag_2Se纳米材料的制备方法

对纳米Ag2Se的化学制备方法进行了概述,着重介绍了模板法、声化学法、水(溶剂)热法、光照合成法、微乳状液法等;展示了新近得到的不同形貌和性质的As2Se纳米晶体;并对其发展趋势和应用前景进行了展望.     

磺氨酸作为一种绿色和可循环使用的催化剂催化β-烯胺酮的合成

磺氨酸作为一种绿色催化剂可有效催化β-烯胺酮的合成. 该方法具有产率高、反应时间短、条件温和、操作简单等优点,同时催化剂可循环使用。     

门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质

硅烯是由单层硅原子形成的二维蜂窝状晶格结构,具有石墨烯类似的电学性质,由于硅烯中存在比较强的自旋轨道耦合而备受关注.本文利用非平衡格林函数方法研究了门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质和能带结构.研究发现,只有在较强的门电压下,而且硅烯量子线具有较好的锯齿形或扶手椅形边界而不存在额外硅原子时,硅烯量子线中才存在无能隙的自旋极化边缘态.另外,计算结果表明这种门电压控制的硅烯量子线中边缘态在每个能谷处自旋是极化的.这些计算结果将为实验上利用电场制作硅烯纳米结构提供理论支持.     

多狭缝空间滤波假彩色编码

利用空间滤波合成狭缝彩虹全息技术对二维透射物进行假彩色编码,当参考光以不同的方向传播时,记录二维透射物的不同空间频谱所对应的物像,全息图在白光再现时将透镜平移就呈现不同颜色全息效果图。     

Ferromagnetic barrier-induced negative differential conductance on the surface of a topological insulator

The effect of the negative differential conductance of a ferromagnetic barrier on the surface of a topological insulat（ is theoretically investigated. Due to the changes of the shape and position of the Fermi surfaces in the ferromagnetic barrie the transport processes can be divided into three kinds： the total, partial, and blockade transmission mechanisms. The bias voltage can give rise to the transition of the transport processes from partial to blockade transmission mechanisms, which results in a considerable effect of negative differential conductance. With appropriate structural parameters, the currenl voltage characteristics show that the minimum value of the current can reach to zero in a wide range of the bias voltag and then a large peak-to-valley current ratio can be obtained.