L-fuzzy拓扑空间上的Dα-收敛性

在L-fuzzy拓扑空间中,利用Dα-闭集定义了分子网的Dα-附着点、Dα-极限点、Dα-聚点等概念 . 系统讨论了这些概念的基本性质.     

LiKSO_4低温相变的核磁共振研究

研究了LiKSO_4中~7Li的核磁共振谱与温度及晶体取向的关系。证实了在T_c=195K存在一个结构相变,并由实验数据推导出在这一温度以下,晶体的对称性低于P31c,每单胞至少含有六个分子式。没有证据说明有一个无公约相存在。测得181K的四极耦合常数为38.9kHz,不对称因子η=0.46,电场梯度主轴方向z与原c轴成11.6°角。     

钙稀土氟碳酸盐矿物中三种B8S6型新规则混层结构伯高分辨电镜研究

用选区电子衍射和高分辨电子显微术研究钙稀土氟碳酸盐矿物及其衍生物多晶体结构，发现三种不同的氟碳铈矿与直氟碳钙铈矿具８：６新规则混层结构，确定了各自的晶体结构类型，晶胞参数，堆垛模式及晶体化学式等。高分辨像的观察分析，揭示出了三种Ｂ８Ｓ６规则混层结构中的Ｃｅ－Ｆ离子层以及两个Ｃｅ－Ｆ离子层之间的ＣＯ３离子组具有不同的排列方式，观察和讨论了上述规则支结构中的无序夹层及堆垛层错等非均匀结构现象。     

对W_(AB)=qU_(AB)的再认识

教科书在推导出电荷q在电场中从A点移到B过程中，电场力所作的功和电势差的关系WAB=qUAB之后得出下面两个结论：结论1：沿电场线方向，电势逐点降低；结论2：电场力作正功时，正电荷是从电势高的地方移向电势低的地方；负电行是从电势低的地方移向电势高的地方．反之，只要正、负电荷这样移动，电场力一定做正功．学生对这样的结论只是记忆而难以理解，教学中如能举一反三，并加以归纳总结，有助于学生正确理解并加强记忆·下面分别从四种情况加以说明．①在正电荷形成的电场中，正检验电荷从A点移到B点，电场力作正功．U在减小．②在…     

消荧光现象与表面谐波产生

消荧光现象是激光与物质表面非线性相互作用的结果，这是一种普遍现象。在表面谐波产生的研究中，它常常被忽略。大量研究表明：表面谐波产生与消荧光现象，有着密切的内在联系。本文以消荧光观点详细讨论了表面谐波产生的机制，提出了表面谐波产生的消荧光模型。新机制可归纳为：（ａ）多光子受激吸收产生消荧光光斑，（ｂ）激光热效应等促进自发辐射转向准受激辐射，（ｃ）伴随荧光消失，部分产生荧光的激光能量转换为产生表面谐波     

有关质能关系的一个问题

对于质能关系式E=mc2的解释,一向有两种观点:第一种观点认为此关系式是表示质量和能量之间的相互转化关系.第二种观点认为此关系式是表示物体的质量和它同时也具有的能量之间的联系.第二种观点有两个理由,即任青同志的文章中所提到的那两点[1]:(1)相反的观点将导致唯能论.(2)对于任何孤立系统质量(或能量)总是守恒的.王树茗同志对第一个理由提出了异议[2].现在我们来考查一下第二个理由. 的确,到目前为止我们没有发现过一个孤立系统的质量(或能量)是不守恒的.不过,这里并不是没有问题需要进一步讨论的.这个问题是关于静电场、静引力场的质…     

幾何學(續)

Ⅵ.幾何學的解釋同一項幾何理論可以有各種不同的應用,各種不同的解釋(現實化、模型、有時候也叫做說明),理論的任何應用不外乎道理論的某些推論在相應的現象區域中的“現實化”。各種不同現實化的可能性是一切數學理論的共同特性,這樣,算術的關係便在最不相同的各類物件上達到現實化;而同一個方程常常描寫完全不同的現象,數學撇開了內容,只研究現象的形狀,而由形狀的觀點看來許多性質各異的現象常常是相類似的,數學應用的繁多,特別是幾何學應用的繁多,正是從它的抽象的性質獲得保障的,我們認為某種物體系統(現象區域)提供了一項理論的現實化,只要在這物體區域中的關系都可以用這理論的語言來描述,因而這理論的每一句斷語表明了所考慮區域中的某一件事實,特別是假使理論是建立在某種公理系統的基礎上的話,那麼這理論的解釋就是某種物體及其間     

Numerical Study on Open-Circuit Voltage of Single Layer Organic Solar Cells with Schottky Contacts: Effects of Molecular Energy Levels, Temperature and Thickness

We numerically investigate the effects of the exciton generation rate G, temperature T, the active layer thickness d and the position of LUMO level EL related to the cathode work function Wc at a given energy gap on the opencircuit voltage Voc of single layer organic solar cells with Schottky contact. It is demonstrated that open-circuit voltage increases concomitantly with the decreasing cathode work function Wc for given anode work functions and exciton generation rates. In the case of given cathode and anode work functions, the open-circuit voltage first increases with the exciton generation rate and then reaches a saturation value, which equals to the builtin voltage. Additionally, it is worth noting that a significant improvement to Voc could be made by selecting an organic material which has a relative high LUMO level （low ｜EL｜ value）. However, Voc decreases as the temperature increases, and the decreasing rate reduces with the enhancement of exeiton generation rate. Our study also shows that it is of no benefit to improve the open-circuit voltage by increasing the device thickness because of an enhanced charge recombination in thicker devices.     

半线性抛物方程各向异性最低阶R-T混合元超收敛分析

利用各向异性判别定理验证了最低阶数R-T混合元具有各向异性特征.利用积分恒等式技巧,得到了R-T元对半线性抛物方程的超逼近性质.通过构造新的插值后处理格式,导出了超收敛结果及后验误差估计.     

ZnAl2O4：Tb3+荧光粉的合成、结构及其光学性能研究

通过溶胶-凝胶法制备出不同Tb³⁺掺杂浓度和不同二次煅烧温度下的ZnAl₂O₄:Tb³⁺荧光粉, 并利用X射线衍射(XRD)和荧光光谱等对样品进行了表征。由XRD结果可知,当Tb³⁺掺杂的摩尔分数不大于9%,二次煅烧温度在600℃以上时,所得粉体为结晶性良好的尖晶石相。在紫外光激发下,ZnAl₂O₄:Tb³⁺荧光粉的发射光谱由位于488 nm(⁵D₄→⁷F₆)、542 nm(⁵D₄→⁷F₅)、587 nm(⁵D₄→⁷F₄ )和621.5 nm(⁵D₄→⁷F₃)的4个发射峰组成。研究发现,Tb³⁺的掺杂浓度和二次煅烧温度对样品发光强度有着重要影响,当Tb³⁺的摩尔分数为5%,二次煅烧温度为900℃时,ZnAl₂O₄:Tb³⁺荧光粉的发光最强,继续增加Tb³⁺掺杂浓度或提高煅烧温度,分别会出现浓度猝灭和温度猝灭现象。