Cr^4＋：YAG,Cr^4＋：Mg2SiO4近红外荧光辐射温度特性研究

测量了Ｃｒ＾４＋，ＹＡＧ、Ｃｒ＾４＋，Ｍｇ２ＳｉＯ４晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱，吸收光谱和激发态寿命，讨论了温度变化时，两种晶体中Ｃｒ＾４＋近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系，得出结论：在７７Ｋ￣３００Ｋ范围内，Ｃｒ＾４＋的＾３Ｔ２能级荧光辐射截面本身受温度影响不大，Ｃｒ＾４＋辐射荧光的变化，主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。     

用BBO晶体产生196～228nm波长的紫外辐射

本文报道了用BBO晶体通过混频产生196～228nm可调谐紫外辐射的研究结果.产生200nm及222nm的量子转换效率分别为12%及23%,与理论计算值基本相符.     

电子直线加速器磁控管频率稳定的自适应线性神经元方法

 电子直线加速器电子束能量的稳定与否取决于功率源工作频率的稳定性,磁控管在短时间内的散谱和轻微跳谱造成稳频系统的控制精度下降,最后电子束的扫描均匀度下降。引入自适应线性神经元方法(ADALINE)和噪声对消技术以消除对工作频率长期稳定性的影响,从而保证了电子束的扫描均匀度。     

热辐射驱动烧蚀平面金靶的数值定标定律

利用一维辐射流体力学编码数值研究了辐射烧蚀波在平面金靶中的传播情况,并在常温边界条件下得到了辐射流、烧蚀压、质量烧蚀率和特征等离子体密度的定标定律。     

核物理与等离子体物理——核物理与等离子体物理学科研究进展

编制了一个新的三维光路程序，可以计算任意方向的光线通过网络的轨迹，程序将更准确地模拟真实激光光束在柱型腔靶中的三维传播。设计了平板、球体、柱体等几何体计算模型，通过一系列的检验和考察，证明了程序计算的光路轨迹的可靠性。     

High-Density Read-Only Memory Disc with Ag11In12Sb51Te26 Super-Resolution Mask Layer

A novel read-only memory (ROM) disc with an Ag11ln12Sb51Te26 super-resolution mask layer is proposed and investigated for the first time to our knowledge. The carrier-to-noise ratio of more than 40 dB could be obtained from small pits (380nm), which are below the readout resolution limit (400nm), in our dynamic setup with a wavelength of 632.8 nm and numerical aperture of 0.40. Dependences of carrier-to-noise ratio on readout power,readout velocity and film thickness are studied. The results show that the optimum film thickness is 20-50nm and the corresponding carrier-to-noise ratio is more than 40dB at readout power of 4mW and readout velocity of 2m/s in our experiment. The super-resolution readout mechanism for this ROM disc is also discussed.     

影响产生均匀等离子体状态的几个因素

 用数值模拟方法研究利用辐射加热来产生均匀等离子体状态,它可被用来测量元素的辐射不透明度,校验辐射不透明度理论。研究了在辐射加热铁的“三明治”型靶时影响生成均匀等离子体状态的几个重要因素（样品厚度、CH膜厚度和辐射源）所起的作用，研究发现，当铁等离子体通过热传导达到均匀状态时，其尺度必须与此时的传热距离相当，从而定出铁样品的厚度；低Z介质CH膜对铁等离子体有明显的箍束作用，调整CH膜的厚度可以调节所产生的等离子体状态；调整不同方向上的CH膜厚度，可以控制铁等离子体的膨胀方向，使它尽可能地达到一维膨胀，使得反推出的等离子体密度可以更加准确；样品的种类、厚度以及外面的低Z介质厚度决定了在某时刻能获得的等离子体状态，以及为产生此等离子体状态所需的最低辐射能。