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71.
对1961~2011年间3种类型的原子吸收光谱法,包括火焰原子吸收光谱法、石墨炉原子吸收光谱法和蒸气发生原子吸收光谱法在烟草行业中的应用进行了综述(引用文献63篇)。  相似文献   
72.
芳香环或杂环通过NN双键连接形成的化合物如偶氮苯、偶氮吡咯等具有π共轭结构,此类分子有顺反两种构型,他们可以在光照条件下相互转换。分子构型转变会影响电子的共轭程度及其离域特性,因此含环结构的偶氮共轭分子具有光调制特性。反式偶氮苯分子为平面结构,顺式构型分子两个苯环有一定角度的扭转分子不在同一平面,实验和理论计算结果表明偶氮苯分子的键长、键角等受溶剂和取代基影响;光照可以实现偶氮苯分子的导电性改变,目前认为其导电性改变的原因主要是光致顺反异构而改变分子尺寸而引起。通过氮氮双键连接的杂环共轭分子能显著地降低分子的能隙,并使共轭化合物在更宽的波长范围内有强吸收,能提高太阳能光伏电池的转换效率,是理想的有机光伏材料。文章还对偶氮共轭聚合物的合成方法做了介绍,分析了含偶氮结构的共轭聚合物的光相应研究现状及其未来发展趋势。  相似文献   
73.
利用传统的固相反应分别在1250℃,1300℃,1350℃.烧结条件下制备出钙钛矿结构的La0.9Sr0.1FeO3陶瓷样品.样品的XRD粉末衍射结果显示不同烧结温度的La0.9Sr0.1FeO3陶瓷样品都是单相的正交结构,同时晶胞体积随着烧结温度的升高而减小.从样品的SEM结果看出,随着烧结温度的升高,晶粒逐渐变大,并且晶粒间的空隙逐渐减小,样品更加致密.在室温到800℃的 关键词: 铁酸镧陶瓷 热电性能 烧结温度  相似文献   
74.
通过原子力显微镜(AFM)对Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_(4±δ)(NCCO)单晶样品的微结构进行分析,发现样品在制备和热处理过程中存在分解反应Nd2-xCexCuO4→(Nd,Ce)2O3 NdCeO3.5 Cu2O发生的证据,控制样品冷却速率可得到(Nd,Ce)2O3分解物含量不同的单晶样品.ab面电阻率测量结果表明,降低冷却速率可有效减少分解过程的发生、减少有效载流子浓度的降低和减少对Cu2O上Cu2 -Cu2 反铁磁关联的破坏,有利于保持体系结构上的均匀性和稳定性,是制备高品质电子型超导体Nd2-xCexCuO4单晶的关键.  相似文献   
75.
许耿  陈华  段鼎立  刘剑 《低温与超导》2021,49(1):66-72,85
采用微通道蒸发器二维模型,研究不同R134a入口雷诺数下,其在蒸发器内的流动及流量分配特性。模拟与实验结果最大误差小于23.8%,验证了模型的可靠性。结果表明,随着雷诺数的增大,蒸发器底部扁管入口速度近似线性增加,扁管低压区从蒸发器中间扁管逐渐上移,压降不断增加,降幅最高可达71%。  相似文献   
76.
基于矩形薄板面内振动的直线型超声电机的研究   总被引:17,自引:0,他引:17  
针对一种基于矩形薄板面内振动的直线型超声电机进行了研究。首先对其核心结构部件——矩形压电陶瓷薄板进行了结构设计,导出了矩形压电陶瓷薄板的长度和宽度比为4.0的结论,并利用ANSYS有限元软件进行了相应的计算和验证。还首次对这种电机的工作模态的激发和运动原理进行了比较深入的分析和探讨。最后,实验研究结果表明误差仅为3.74%,证明了所作分析的正确性。  相似文献   
77.
用助溶剂方法高温烧制了电子型超导体母体材料Nd2CuO4及其微量Zn掺杂的单晶样品,并系统地研究了在15~300K范围内样品的电阻率和热电势行为.两者在25~200K之间的温区都表现相同的物理行为高温区为半导体热激活行为,低温区为二维变程跳跃行为.在206K附近发现了反铁磁转变对热电势行为影响的精细峰和弛豫现象.我们的实验结果表明在180K以上温区载流子的行为不满足传统的能带理论.退火对25K以下的温区的热电势的行为有非常显著的影响,其本征的物理性质还需要深入的研究.  相似文献   
78.
以香茅醇为原料、制备的介孔Cu/SiO_2为催化剂,在固定床反应器中对一步法催化香茅醇合成香茅腈进行了研究。采用气象色谱、红外光谱和质谱对反应产物进行了定性定量分析。考察了反应温度、氨醇摩尔比和原料空速(WHSV)对反应的影响。实验结果显示,以Cu/SiO_2为催化剂,反应温度270℃、0.1MPa、氨醇摩尔比4.5和原料空速1.24 h~(-1)时,反应转化率达到99.52%,香茅腈选择性达89.66%。并在最佳反应条件下,对Cu/SiO_2催化剂的稳定性进行了研究,实验表明,400h后催化剂失活。  相似文献   
79.
测量了准一维有机超导体(TMTSF)2ClO4单晶a方向不同降温速率下的高精度温差电动势(6—280K).高温下的温差电动势表现出线性行为,不能被正常的一维电子能带理论所解释.在240K左右观察到温差电动势斜率发生反常突变.在140K左右温差电动势向下逐渐偏离线性行为,这与1D—2D的维度渡越相关.对阴离子有序—无序相变温度Ta(Ta=24K)附近的温差电动势结果与比热和电阻率的数据进行了比较.对于极慢速降温的温差电动势,求导后可以看到相变的痕迹.随着通过Ta降温速率的增大,在Ta之下的温差电动势数值出现了一个逐渐增大的整体抬高.对此进行了讨论. 关键词: 低维体系 输运性质 温差电动势  相似文献   
80.
超导体/半导体界面处的电子相互作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘剑  郑厚植 《物理》1995,24(9):539-542
介绍了低维系统物理与器件研究领域内最近兴起的一个十分引人注目的交叉学科课题:超导体/半导体/超导体双异质结构中电子在超导体/半导体界面处的相互作用行为,包括超导邻近效诮及Josephson场效应晶体管的探索研究,此外,还讨论了此领域内一个重要物理问题-Andreev反射。  相似文献   
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