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朱胜江 J. H. Hamilton A. V. Ramayya 王建国 丁怀博 顾龙 J. K. Hwang K. Li S. H. Liu N. T. Brewer Y. X. Luo J. O. Rasmussen I. Y. Lee 徐强 杨韵颐 肖志刚 李红洁 马文超 《原子核物理评论》2013,30(2):99-106
对于近年来清华大学与美国合作研究组在原子核结构实验研究中有关奇A 核的多声子 振动带方面的进展进行了评述。研究人员通过有效的国际合作,识别了质量数A = 100 丰中子核区的奇A核103Nb,105Mo,107Tc 和109Tc中的两声子 振动带,这是迄今为止国际上在奇A 核的结构研究中发现的仅有的4 例这样的结构。对于实验方法、研究结果以及这些多声子 振动带的特性进行了评述,并对目前在多声子带其他方面的研究及今后进一步的工作进行了概述。The experimental research on multi-phonon γ-vibrational bands in odd-A nuclei by our international collaboration has been reviewed. The two phonon -vibrational bands in 103Nb, 105Mo, 107Tc and 109Tc in the A = 100 neutron-rich nuclear region were identified, which are the only four such bands discovered in nuclear structure studies until now. The experimental methods and results are summarized, and the characteristics for these band structures are discussed. The other aspects for our research on the multi-phonon vibrational bands as well as our future research work are also briefly reviewed. 相似文献
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KH-570功能化石墨烯的制备与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Hummers法对天然石墨进行氧化处理制备了氧化石墨烯,通过γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷与氧化石墨烯反应得到功能化氧化石墨烯,然后在水合肼的作用下制备了功能化石墨烯。未烘干的功能化石墨烯在超声处理下,能稳定分散在体积比为9∶1(V/V)的乙醇/水、丙酮/水或N,N-二甲基甲酰胺/水的混合溶剂中。用傅立叶变换红外光谱、原子力显微镜、X射线光电子能谱及X射线衍射对样品结构、形貌进行了分析。结果表明,KH-570上的硅氧烷与氧化石墨烯上的羟基发生了反应,经水合肼还原后,功能化石墨烯的无序度增加,层间距也比功能化氧化石墨烯的缩小了。功能化石墨烯在DMF/水中呈高度剥离状态,片层厚度为1.1~2.3 nm。 相似文献
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珠脑速算教育是启迪智力,进行素质教育,功在当代,利在千秋的“重要工程”。它具有早期开发儿童智力,增强儿童感知力、想象力、记忆力等功能,那么这项科研项目,它的发展前景如何?成为从事这项科研的工作者 相似文献
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用分子动力学方法研究了纳米多晶铝在冲击加载下的冲击波阵面结构及塑性变形机理.模拟研究结果表明:在弹性先驱波之后,是晶界间滑移和变形主导了前期的塑性变形机理;然后是不全位错在界面上成核和向晶粒内传播,然后在晶粒内形成堆垛层错、孪晶和全位错的过程主导了后期的塑性变形机理.冲击波阵面扫过之后留下的结构特征是堆垛层错和孪晶留在晶粒内,大部分全位错则湮灭于对面晶界.这个由两阶段塑性变形过程导致的时序性塑性波阵面结构是过去未见报道过的.
关键词:
晶界
塑性变形
冲击波阵面
分子动力学 相似文献
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在水下高速运动时,小口径射弹周围的水会发生空化现象,阻力系数最优的弹头几何外形对应着射弹被空泡全包裹的超空泡状态。针对一种小口径射弹,可以利用计算流体力学(CFD)数值方法模拟含空化现象的气液两相流动,探究空泡形态和阻力系数与射弹头部几何外形的关系。选取三段锥形为基本射弹头形,采用分步优化方式对射弹头部外形进行了优化。同时,结合神经网络与序列二次规划(SQP)算法减少优化过程中的计算量,缩短了优化工作所需的总时间。优化后的射弹阻力系数比优化前的减小约30%,且能够形成包裹全弹体的超空泡。 相似文献
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碳化硅(SiC)雪崩光电二极管(APD)是一种独具优势的微弱紫外光探测器,其过偏压承受能力是确保器件可靠工作的一个重要因素。本工作设计并制备了穿通型SiC吸收层-电荷控制层-雪崩倍增层分离(SACM)APD。基于这种结构,器件电场从雪崩倍增层向吸收层扩展,从而减小了雪崩倍增层内电场强度变化率,最终将器件过偏压承受能力提高到10 V;得益于吸收层的分压,雪崩倍增层的电场强度得到有效降低,载流子隧穿可能性减小,这能够有效降低器件暗计数,从而有利于提高器件探测灵敏度;此外,设计的SiC SACM APD倾斜台面仅刻蚀到雪崩倍增层上表面,这能够让器件填充因子提高至约60%,显著改善了深刻蚀导致的传统SACM结构有效光敏区域减小的问题。 相似文献