二氧化氯-荧光素体系的光谱研究及其分析应用

在pH10．5NH4C1-NH3缓冲溶液中,荧光素在510nm处有一荧光峰。当加入二氧化氯后,荧光峰降低,荧光猝灭强度△F510nm与二氧化氯浓度Ccl存在线性关系,其线性范围为0．067～2．68mg／L ClO2,回归方程为△F510nm=19．2Ccl＋0．2;相关系数为0．9996;检出限（3σ）为0．028mg／LClO2。据此建立了一种灵敏、简便、快速、准确、选择性测定痕量二氧化氯含量的荧光分析法。结果表明：Cl2和ClO2^-不干扰测定,用于水样分析,结果满意。     

毛细微槽内的相变传热的实验研究

本文对矩形毛细微槽竖直板的相变传热特性进行了实验研究。结果表明毛细微槽对相变换热具有很大的促进作用。当壁面过热度较小时,相变换热形式主要是三相接触线附近的蒸发换热机制。而当过热度较大时,微槽内发生剧烈的沸腾。微槽内相变换热的临界热负荷有两种产生机理:其一是当微槽长度较大时微槽内由于流动阻力而产生的液体输运临界;另一机理是当微槽长度较小时的池内沸腾临界现象,亦即由动态微液层模型决定的临界机理。实验还得到了微槽强化传热的最佳优化尺寸。     

化学发光分析法在环境分析中的应用

本文评述了１９９３－１９９７年化学发光分析法在环境分析中的应用,引用文献６１篇。     

D-72磺酸树脂催化环己酮肟液相贝克曼重排制己内酰胺

在以二甲亚砜作溶剂,以D-72固体磺酸树脂为催化剂的两相体系中,实现了由环己酮肟液相贝克曼重排制备己内酰胺的反应.主要考察了环己酮肟在固体酸催化剂上的吸附热力学规律以及溶剂、反应温度、反应时间、催化剂用量以及催化剂的重复使用性等因素对重排反应的影响.结果表明,环己酮肟在磺酸树脂上的等温吸附过程符合Langmuir吸附模型,吸附等温线可用Langmuir等温方程和速率方程来描述.在二甲亚砜溶剂中,当反应温度在130℃,催化剂用量为0.5 g(催化剂:环己酮肟=1:2(质量比))的条件下反应6小时,环己酮肟的转化率高达100%,己内酰胺的选择性为86.2%,主要副产物为环己酮.该法对环境无害,反应条件温和,催化剂容易分离和可重复使用等优点.     

金属取代型AlPO-5分子筛催化剂上环己烷亚硝化一步法合成己内酰胺(英文)

采用水热法制备了一系列结晶态的AlPO-5(磷酸铝分子筛),SAPO-5(硅磷酸铝分子筛)和MeAlPOs(金属取代型磷酸铝分子筛)催化剂,利用X射线衍射、N2吸附脱附法、扫描电镜、粒度分布、电感耦合等离子光谱、红外光谱、NH3程序升温脱附、H2程序升温还原和热重-微分热重分析对催化剂进行了表征,并考察了其催化环己烷亚硝化一步法制备己内酰胺的反应活性.结果表明,随着Si或金属原子引入AlPO-5结构中,催化剂的Lewis弱酸中心增加,同时出现了Brnsted强酸中心.相对于AlPO-5,具有较大比表面积和较多酸中心的SAPO-5和CrAPO-5表现出较好的环己烷亚硝化反应活性,后者环己烷转化率为8.16%,己内酰胺选择性达68.17%.     

一类非光滑广义分式规划的Kuhn-Tucker型最优性必要条件

考虑一类非线性不等式约束的非光滑minimax分式规划问题;目标函数中的分子是可微函数与凸函数之和形式而分母是可微函数与凸函数之差形式,且约束函数是可微的.在Arrow- Hurwicz-Uzawa约束品性下,给出了这类规划的最优解的Kuhn-Tucker型必要条件.所得结果改进和推广了已有文献中的相应结果.     

一类不可微广义分式规划的K-T型必要条件

本文对一类在Rn的开子集X上的非线性不等式约束的广义分式规划问题: 目标函数中的分子是可微函数与凸函数之和而分母是可微函数与凸函数之差,且约束函数是可微的,在Abadie约束品性或Calmness约束品性下,给出了最优解的Kuhn-Tucker 型必要条件,所得结果改进和推广了已有文献中的相应结果．     

珠心算与天分

本文论述了珠心算与天分的关系，说明了教与练珠心算的可能性和意义。认为珠心算教育是珠算的集大成。     

空心阴极(HCD)离子镀及其在工具工业中的应用(续完)

十、HCD反应沉积的氮化钛膜 HCD反应沉积氮化钛膜的镀膜条件可反映所镀氮化钛膜的色泽特征,如佐藤等人通过控制N_2、H_2的分压得到了各种颜色的膜。金色的膜经X线衍射分析可知是由Ti_2N或TiN+Ti_2N组成的。这种膜的硬度大于或等于2000公斤/毫米~2(DPHN)。 该膜的镀膜典型参数如下:氩气流为23厘米~3/分(标准温度、压强),氩分压为7.4×10~(-4)托,放电参数为40伏、80安培,靶距为14厘米,膜的典型沉积率为0.25微米/分。氮气     

空心阴极离子镀及其在工具工业中的应用(续)

七、HCD铬厚膜的性质 1.铬膜表面的观察 在改变基片电压的情况下,用HCD法将铬沉积在纯的多晶铁基片上。该膜的表面形貌采用扫描电子显微镜(SEM)进行观察。为了在观察膜表面的同时可观察膜的断裂面,以便估算膜的厚度,所以将样品弄弯到膜层断裂后进行观察。所观察的六个样品的镀膜条件为:基片温度20℃,沉积率0.2微米/分钟,基片电压分别为0伏、-10伏、-25伏、-50伏、