Y（Fe，Si）12化合物结构与磁性的第一原理计算

R（Fe，Si）12（R=Y，Nd）型稀土永磁材料具用重要的实际应用价值，然而对于V（Fe，Si）12化合物微观机理的理论计算工作至今尚未开展。采用新近发展的全势能线性缀加平面波（（L）APW）＋局域轨道（10）和广义梯度近似（GGA）密度泛函方法对其结构与磁性进行了研究。     

Richards模型在蔬菜生长预测中的应用

本文从 Richards模型的数学表达出发 ,阐述了模型中各参数初始值的确定以及优化过程 .并利用菜花和菠菜的试验数据建立其“最优”生长模型 .     

双（十二烷基亚磺酰）乙烷溶剂萃取钯及其机理的研究

本文研究用双（十二烷基亚磺酰）乙烷萃取钯的性能，在ＫＩ存在下从７ｍｏｌ／Ｌ盐酸介质中用含有ＢＤＳＥ的氯仿能定量萃取钯，有机的钯可被硫脲或氨溶液反萃继之用ＴＭＫ－ＴｒｉｔｏｎＸ－１００光度法测定，研究了萃取的最佳条件及干扰情况，斜率法测得萃合物组成为Ｐｄ：Ｉ：ＢＤＳＥ＝１：２：１，红外光谱证实萃合物中ＢＤＳＥ的二个亚砜以硫原子与钯配位，萃合物为异位体络合物，提出了选择性萃取分离钯的新方法。     

d轨道分裂和过渡金属化合物性质的研究

用群的表示来讨论过渡金属化合物中心离子在不同对称场中d轨道分裂 ,并通过群链的分解 ,应用广义Wigner-Eckart定理来研究d轨道分裂能。然后进一步解释过渡金属二硫属化合物电子结构、电学性质的特点和宝石的致色机理     

具有新光学性质的Zn-Zn2SiO4纳米同轴线阵列

采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn₂SiO₄芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为Zn,壳层为Zn₂SiO₄。我们提出了一种新的生长机制,同时也为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。观察阴极荧光谱发现,纳米同轴线有三个主要发光带:强度最大的中紫外300nm发光、较弱的可见光区560nm以及红外谱区865nm的发光。对纳米同轴线截面的300nm发光峰观测发现,中紫外发光来源于Zn₂SiO₄壳层。正是这种同轴线的结构,使得其具备特殊的光学性质。     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。     

降合物假冠醚研究（Ⅱ）新型聚合物的合成、吸附特性与绿色应用

合成了两种假冠醚型聚合物。研究了聚合物对金属离子的静态吸附性能。结果表明，聚合物对Ag^ ，Pb^2 ,Hg^2 表现出良好的吸附特性，且聚合物B的吸附能力优于聚合物A。吸附实验表明，除冠醚氧原子参与配位外，－CH2OH的氧原子亦参与了配位。聚合物B对Ag^ 的吸附过程中存在着明显的氧化还原现象，Ag^ 被还原为Ag^0，而聚合物分子中的－CH2OH被氧化成为－COOH。已初步将研究成果应用于本化学实验室的绿色化建设中。     

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具. 关键词： 分子束外延生长 高电子迁移率超高速微结构功能材料 深中心