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61.
《数学的实践与认识》2017,(20)
<正>交循环矩阵在组合、编码等诸多研究领域具有重要的应用价值.运用提升理想和傅里叶反演变换等方法,给出了任意有限域上任意阶正交循环矩阵的构造方法,以及精确的计数结果.区别于已有的构造方法,此提升方法不需要分解模多项式. 相似文献
62.
电磁学的教学实践中,矢量点叉积的积分运算随处可见,令许多同学望而生畏.为解决这一问题,对电磁学中所涉及的矢量积分进行了归类,发现无非是点积、叉积、混合积的积分,并举例说明了积分运算的方法,尤其是引入了右正交标架. 相似文献
63.
火焰抛光是一种运用于光学玻璃零件深加工的新技术,通过分析温度对光学零件表面粗糙度(透过率)的影响,以及温度对光学零件表面面型的影响,制定电加热的光学零件火焰抛光工艺方法,并通过正交实验制定K9光学零件的火焰抛光工艺参数。本项技术的实施可大幅度降低成本,并减轻劳动强度,提高工效,有推广应用价值。 相似文献
64.
《中国惯性技术学报》2019,(1)
在单轴旋转惯性导航系统中,旋转轴不正交误差对于水平方向上的姿态角会产生一定的影响。针对传统最小二乘拟合估计旋转轴不正交角存在拟合近似误差大、未考虑到数据的统计特性等缺陷,提出一种基于Kalman滤波的水平姿态角误差修正方法。在传统方案的基础上,增加以加速度计的输出作为观测量,并采用带有确定性控制项的Kalman滤波方法估计旋转轴不正交角,进而修正转轴不正交误差。仿真实验结果表明,转轴不正交角较大时,该方案将水平姿态角误差峰峰值从传统的最小二乘拟合修正方案的50'进一步降低至10'以内,精度提升了约80%。实际试验结果表明该方案相比于传统的最小二乘拟合修正方案,提升了水平姿态角精度。 相似文献
65.
现代复合材料层合板具有高强和轻型的突出优点,从而在军工和民用等诸多领域发挥着重要作用。这种板结构的特点是随着纤维走向的不同,层间材料的物理-力学特性发生剧烈变化。沿板厚方向变形的梯度比较陡峭,并在层间结合面处发生强不连续,呈现zig-zag (锯齿状)现象。这导致横向剪应变在板的静态和动态响应中发生重要作用,不计横向变形的经典组合板计算模型CLPT难以适应现代多层板计算分析的需要。考虑横向剪切变形影响的板的计算模型得到重视和发展。需要指出,现有各种考虑剪切变形影响的计算模型虽然有了很大的发展,但在全面和准确性上仍然存在一定的不足,难以适应现代多层组合板横向力和物理性能多变的情况。模型预测的沿板厚方向位移和应力的变化规律难以通过严格的检验。本文提出的以比例边界有限元为基础的正交各向异性板的数值计算模型,同时可适用于各种薄板与厚板的分析,对现代复合材料层合板的分析具有特殊的优越性。所得到的板的位移、正应力和剪应力沿板厚方向的变化,与三维弹性理论的标准解高度吻合。数值算例进一步表明,随着层间纤维走向的变化,板内位移场和应力场沿板厚方向剧烈变化所呈现的锯齿现象均可以精准地进行模拟。据此,本文建议方法对现代板分析的广泛适应性和高度准确性得到了充分论证。 相似文献
66.
67.
为筛选用于考察外源添加剂对卷烟常规烟气指标影响的样品制备关键控制因子,采用L_8(2~7)正交试验设计进行香兰素及乙基麦芽酚的添加实验.卷烟常规烟气指标变化数值通过极差分析、方差分析,结果显示:参比卷烟种类是影响卷烟烟气总粒相物、焦油、水分的高度显著因子,就试验采用的1R5F和3R4F参比卷烟而言,添加剂在高焦油3R4F卷烟中对常规烟气指标的影响比其在低焦油1R5F卷烟中的影响大;添加剂种类与浓度的交互作用不仅对卷烟烟气总粒相物有高度显著影响,而且对总粒相物中的水分也有显著影响;因此,规范样品制备,可减少误差、保证后续外源添加剂加入对卷烟常规烟气指标影响评价结果和推断的可靠性及科学性. 相似文献
68.
69.
研究了 OFDMA 中继下行链路通信系统中的动态资源分配问题,提出了一种可以保证用户最低 QoS 需求的资源分配算法.首先在简化资源优化问题的过程中,采用等功率分配方法以降低算法复杂度,然后通过拉格朗日松弛优化方法推导出了子载波分配和中继选择最优解,并在此基础上引入用户速率权衡因子,根据速率权衡因子越大的用户,越具有选择子载波和中继的优先权这一准则进行子载波分配和中继选择.仿真结果表明:新算法能够获得较高的系统容量,同时也能很好地保证不同用户的最低速率需求. 相似文献
70.
A novel long wavelength photodetector with dual-wavelength spectral response is designed and fabricated using a step-shaped Fabry-Prot (F-P) filter structure.The step-shaped GaAs/AlGaAs distributed Bragg reflectors and the InP PIN photodetector are grown on a GaAs substrate using low pressure metal organic chemical vapor deposition.High quality GaAs/InP heteroepitaxy is realized by employing a thin low temperature buffer layer.The photodetector structure is optimized by theoretical simulation.This device has a dual-peak distance of 19 nm (1 558 and 1 577 nm).The 3-dB bandwidth of 16 GHz is simultaneously obtained with peak quantum efficiencies of 8.5% and 8.6% around 1 558 and 1 577 nm,respectively. 相似文献