微波消解-原子吸收法测定维药蜀葵花中微量元素

通过微波消解仪消解蜀葵花,运用火焰原子吸收光谱法测定蜀葵花中Fe,Cu,Zn,Mn,K,Ni,Ca,Mg八种微量元素的含昔.采用标准曲线法测定.通过试验,选用浓HNO3体系消化样晶,同时考察了不同微波消解条件对分析结果的影响,优化了微波消解条件,确定了原子吸收分光光度法测定的最佳条件.实验表明蜀葵化中Mg,Ca,Fe,K等人体必需微量元素含量非常丰富,Mn,Zn含量中等,Cu,Ni含量较低.采用的方法灵敏度高,操作简便快速,回收率在92.25%～110.50%之间,相对标准偏差(RSD)＜3.88%,结果令人满意.     

TiO2光学间隔层增强聚合物太阳能电池光吸收的分析

基于共轭聚合物给体材料聚3-己基噻吩（P3HT）和富勒烯衍生物受体材料（6,6）-苯基-C61（PCBM）共混的体异质结结构的聚合物太阳能电池因其空穴载流子迁移率低而限制了P3HT:PCBM功能层厚度,从而影响了器件对入射光的吸收、在聚合物功能层和反射电极间插入TiO₂光学间隔层可以使器件内电场重新分布并改善器件的光吸收.基于薄膜传递矩阵法计算了不同的P3HT:PCBM功能层厚度和TiO₂插入层厚度的器件内光电场和光吸收.理论分析证明:器件结构为铟锡氧化物（ITO）（100 nm）/聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEDOT:PSS（40 nm）/P3HT:PCBM/TiO₂/LiF（1 nm）/Al（120 nm）时,插入10 nm厚的TiO₂膜层可以使器件的聚合物功能层厚度在减薄25 nm的同时增加16.3%的光子吸收数,并且不明显降低功能层的激子分离概率,即功能层和TiO₂光学间隔层厚度分别约为75和10 nm时的器件性能为宜,此结果通过器件性能实验得以证实.     

石墨坩埚厚度对感应加热制备太阳能级多晶硅影响的数值模拟研究

定向凝固法制备的多晶硅是目前主要的光伏原材料,制备过程中热场结构和硅熔体对流形态对于生长高质量的多晶硅极为重要,本文利用专业晶体生长软件CGSim对制备太阳能级多晶硅用真空感应铸锭炉中的石墨坩埚进行改进并进行了数值模拟,分析了不同石墨坩埚厚度的变化对热场、流场、固液界面、硅晶体应力场以及和V/G值的影响.结果表明,当石墨坩埚厚度为20 mm,可获得良好的对流形态、平坦的固液界面、合理的V/G值等,有利于节约多晶硅的生产成本并提高多晶硅的品质,为生产实践中工艺方案优化及缺陷分析等提供重要的理论依据.     

电缆X射线辐射感应电导率引起的非线性效应北大核心CSCD

对电缆X射线辐照非线性响应进行了数值模拟。分析了电缆X射线辐照的物理过程,针对同轴电缆和屏蔽多导体电缆,建立了基于有限元方法的二维电缆模型诺顿等效电流源计算方法,着重描述了二维模型下电缆介质辐射感应电导率效应求解方法,模拟了电缆X射线辐照非线性效应,给出了诺顿等效电流源非线性响应规律,并依据物理过程进行了合理性分析。模拟结果显示,由于辐射感应电导率的存在,随着X射线注量的增加,电缆响应幅度会存在明显的饱和现象。对特定类型的电缆,响应电流随着X射线注量增加,依次出现3个时间位置不同的电流峰值。     

Heterogeneous integration of GaSb layer on (100) Si substrate by ion-slicing technique

Integration of the high-quality GaSb layer on an Si substrate is significant to improve the GaSb application in optoelectronic integration. In this work, a suitable ion implantation fluence of 5×10¹⁶-cm^-2 H ions for GaSb layer transfer is confirmed. Combining the strain change and the defect evolution, the blistering and exfoliation processes of GaSb during annealing is revealed in detail. With the direct wafer bonding, the GaSb layer is successfully transferred onto a (100) Si substrate covered by 500-nm thickness thermal oxide SiO₂ layer. After being annealed at 200 ℃, the GaSb layer shows high crystalline quality with only 77 arcsec for the full width at half maximum (FWHM) of the x-ray rocking curve (XRC).     

ESI源质谱表征氯化钙和氯化镁

用ESI源质谱对氯化镁和氯化钙进行了定性的检测，所得谱图更加全面直观地表征了氯化钙和氯化镁在水溶液中的存在形式。     

发现钋和镭100周年纪念

 1898年,玛丽·居里和皮埃尔·居里宣布在沥青铀矿中用分馏法发现了放射性元素钋和镭.此后,他们又用结晶法提取出了镭,并对镭的性质、应用及其衰变产物的特性进行了一系列研究,做出了伟大发现.     

"电源的电动势和内阻的测定"实验的误差分析

1 实验原理。由闭合电路的欧姆定律E=U Ir，测出两组路端电压和电流，即有E=U1 I1r，E=U2 I2r，可得E=（U1I2-U2I1）/（I2-I1），r=(U2-U1)/(I1-I2).需要测定的物理量为U和I．     

高空核爆电磁脉冲穿透电离层数值计算

 电离层对电磁脉冲传播的影响可以用一个频域的电流密度来描述,在时域则等效为一附加的电流密度和电导率。推导了附加电流密度和电导率在时域的表达式,它们是电离层参数和作用电场的函数,并以差分方程的形式给出。高空核爆电磁脉冲(HEMP)的计算是在时域进行的,将该电流密度和电导率计算方法应用于HEMP产生和传播的自洽计算中。作为算例,计算了100 km高空核爆电磁脉冲产生和向上传播的3种情况,并对计算结果进行了比对分析。计算结果表明:电离层时域计算方法与核爆电磁脉冲计算方法的结合是合理有效的,爆点上方考虑电离层影响的HEMP要比不考虑电离层影响的结果小得多。     

带状电缆的直流X射线辐照响应

对真空环境下带状电缆模型直流X射线辐照响应进行了实验和数值模拟研究;研制了电缆直流X射线辐照实验系统;使用蒙特卡罗模拟软件计算了直流X光机产生的X射线能谱、通量等参数;建立了带状电缆X射线辐照响应一维计算模型,该计算模型包括电缆导体与介质层间隙和介质层电导率模型。实验测量了两个带状电缆模型的直流X射线辐照响应电流波形,并对其进行了数值模拟。结果显示,在一定的电缆导体与介质层间隙大小假设条件下,采用带状电缆X射线辐照响应计算模型计算的结果与实验测量结果在波形特征和绝对幅度方面比较接近,说明了利用该模型描述电缆直流X射线辐照响应具有其合理性。