用Weiss分子场理论对有外电场时铁电体系相变特征的研究

Weiss分子场理论(WMFT)对晶体中顺磁-铁磁和顺电-铁电相变特征的定量描述是相当成功的. 由于是平均场理论,又可作为初步分析结构无序体系和复杂组分体系相变行为的理论依据. 但是迄今为止,并没有对有外场时WMFT的相变特征进行详细研究. 而对铁电体系,仅仅对分子取向为两个状态时WMFT的相变特征进行了研究. 另外,虽然铁磁与铁电体系的WMFT描述极为相似,但是由于两种体系中微观磁化和极化的单元不同,导致相应的数学描述与结果也有所不同. 本文首先对外电场中分子取向包含任意状态的铁电体系的WMFT相变特征, 包括自发极化、内能和比热以及静态极化率随温度变化进行严格推导, 然后对相变特征随外电场的演变进行了研究.结果表明: 1)无外场时,体系发生二级顺电-铁电相变,且随状态数的增加,相变温度减小, 这是与铁磁体系不同的地方,同时单分子的平均极化强度减小,而内能、比热和极化率增大; 2)外场的存在,使得体系原有的二级相变转化为弥散相变,且外场越强,弥散温区越大. 上述结果对深入研究铁电体系的相变,特别是弥散相变无疑是有益的.     

聚合物弥散液晶材料在1550nm的电光特性研究

实验研究了不同配方及工艺条件下,聚合物弥散液晶（PDLC）材料在1550nm处的电控光透射特性。由此筛选合适的配方和工艺,研制了聚合物弥散液晶电控可调光衰减器样品。实验说明,在1550nm工作点,50％左右合适的液晶含量的聚合物弥散液晶样品能够获得更好的电控光学性能。采用配方质量比ω（DHPA）：ω（E7）：ω（RB）：ω（NVP）：ω（NPG）=100：100：3：2：1．5的配方,制作在1550nm工作的聚合物弥散液晶光衰减器样品。经检测,输入光源为1550mm,223μW时,器件插入损耗为2．3dB,衰减调节范围为13dB,线性工作区域为20～70V。     

使用点弥散函数模型法校正扩散频谱影像內磁化率差异引致影像扭曲的效力评估(英文)

平面回波影像(EPI)常常在额叶、颞叶或脑干处出现严重的影像扭曲.目前已有数种方法可校正这种由磁化率差异造成的影像扭曲,该文提出一种简单有效的方法叫点弥散函数模型法.由纤维追踪的角度来探讨影像扭曲校正的有效性.评估的方法是将点弥散函数模型法应用于扩散频谱影像,并比较由扭曲影像与校正影像所得之扣带回纤维数目的多寡.定义了一个指标用来量化影像扭曲校正的有效性:r=( Nc-Nd)/( Nc+Nd),此值越大代表校正影像的纤维追踪结果越好.对于左扣带回与右扣带回,其r值分别为0 .424±0 .452(平均±标准差)及0 .343±0 .452 ,且在统计上皆显著大于零.结果显示,就左右扣带回而言,校正后的影像其纤维追踪的结果较扭曲影像更佳.因此,将点弥散函数模型法应用于校正扩散频谱影像的扭曲可增进左右扣带回的纤维追踪的结果.     

硅酸镥γ图像转换屏荧光弥散特性研究

分析LSO无机闪烁晶体中荧光弥散的原理。采用蒙特卡罗方法,将荧光弥散分为γ光子在LSO闪烁体中转化为次级电子并沉积能量,以及沉积能量转换为荧光光子在闪烁体中输运2个过程进行模拟。其中,前一过程采用MCNP蒙特卡罗程序模拟,后一过程的模拟计算由自编蒙特卡罗程序实现。给出了闪烁体的点扩散函数,计算结果与刀口法实验测量得到的点扩散函数相吻合。采用该方法计算了不同入射γ射线能量和各种厚度闪烁体下的点扩散函数。数据结果表明:点扩散函数的FWTM(full width at tenth maximum)随着γ射线能量的增大先减后增,并逐渐趋于稳定,还随着闪烁体厚度的增加而逐渐增大,文中给出了呈现这种变化规律的原因。     

灵长类中风模型的磁共振成像

灵长类大脑在结构、生理、功能及神经学上与人类大脑非常相似. 因此,灵长类中风模型为研究大脑缺血的损伤机制和开发各种药物治疗方法提供了理想的动物模型. 该文介绍了近年来使用的各种灵长类中风模型,并总结了目前可用于该模型的各种磁共振成像（MRI）方法. 同时,还讨论了灵长类动物高分辩弥散张量成像（DTI）和磁共振灌注成像（PWI）的数据采集方法和心跳及呼吸引起的生理运动伪影的矫正方法. 这些方法改进了弥散一灌注失配（DWI－PWI MISMATCH）成像的精度和质量,有助于提高对脑缺血半暗带演化及其对药物治疗反应的精确评估,为更好地利用灵长类脑中风模型和当代磁共振成像技术进行中风机制研究和药物开发建立一个理想的研究平台.     

群速弥散补偿的飞秒激光器的动态性能研究

本文研究了普通的CPM环型染料激光器和棱镜补偿光脉冲的群速度弥散及自相位调制的CPM环型染料激光器的动态性能;实验测量了锁模激光脉冲的光谱随可饱和吸收体DODCI的浓度变化,在腔内正群速度弥散过量时,光脉冲频率发生正啁啾,光谱分布发生反转。     

对两个SN2反应的从头计算研究

对S_N2反应势能面的研究是探讨有机和生物大分子反应机理的中心课题.对气相反应,精确的从头计算可得到与实验值相近的能垒值和实验无法确定的过渡态和反应路径等细     

用于大孔径凸非球面检测的部分补偿透镜的优化设计

针对部分补偿法和子孔径拼接技术对大孔径凸非球面进行测量时,部分补偿透镜的优化设计是关键技术之一,基于ZEMAX软件对用于大孔径凸非球面的部分补偿透镜进行了优化设计,以波前斜率作为优化目标,通过直接观察弥散圆半径对全口径的光线进行优化。设计结果表明,用结构简单的单片部分补偿透镜即可实现对大孔径凸非球面的面形测量,在不同的子孔径区域,部分补偿系统在理想焦面处的弥散圆最大半径均小于165 μm,满足设计要求,验证了结合部分补偿法和子孔径拼接技术测量大孔径凸非球面的可行性。     

高频脉冲沉积微晶Ni-20Cr-Y2O3ODS合金涂层

采用高频电脉冲沉积技术在1Cr18Ni9Ti不锈钢表面上沉积了含弥散Y2O3氧化物的纳米级MGH754 ODS合金微晶涂层, 涂层与基体具有冶金结合. 在1 000℃静态空气中100 h恒温氧化实验结果表明:微晶化和添加弥散氧化物促进了涂层中的铬选择氧化形成Cr2O3, 并提高了表面氧化膜的黏附性, 改善了不锈钢抗高温氧化性能.     

弛豫铁电体弥散相变的玻璃化特性研究

根据弛豫铁电材料在相变区域的介电弥散行为和玻璃化 液体材料在过冷状态下黏度与温度的行为所共同满足的Vogel-Fulcher 函数关系, 分析了施主替代钛酸钡系列陶瓷的缺陷补偿原理, 通过引入玻璃化液体的构型熵概念, 研究了弛豫铁电材料中钛阳离子缺陷作用势的温度关系, 得到了如下结论: 施主掺杂含量的增加导致了无序度的增加, 钛离子缺陷浓度的增大和平均极性区域尺寸的减小; 在构型熵满足Vogel-Fulcher 函数关系的条件下, 温度越低, 钛离子缺陷作用的范围越大, 极化区域也越大. 缺陷作用的范围随温度的变化导致了弛豫铁电材料的弥散性. 温度下降到一定程度, 冻结效应发生, 介电弥散现象消失.