小型平焦场光栅光谱仪的研制

采用名义栅距为 1/12 0 0mm、凹面曲率半径为 5 6 49mm的变栅距凹面光栅 ,研制了一种小型平焦场光栅光谱仪。谱仪入射角为 87.45°,物距为 15 5mm。使用“星光Ⅱ”激光装置对该谱仪进行了测谱实验 ,得到用胶片作时间积分光谱记录时谱分辨率不低于 0 .0 15nm。     

激光气体靶产生的类氖氪离子4d-2p共振跃迁其类Na 3l4l′双电子伴线的研究

用相对论多组态(HXR)方法,详细计算了类Ne氪离子4d-2p类Na3l4l′双电子伴线波长和强度因子,并模拟了实验光谱,解释了最新利用激光气体靶产生的0.525～0.555nm范围的氪X-Ray光谱,计算结果与实验符合得相当好。此外,还讨论了组态相互作用对双电子伴线结构的影响。     

神光系列装置激光聚变实验与诊断技术研究进展

文章主要介绍了国内自2000年以来的激光惯性约束聚变(ICF)实验研究以及诊断技术研究的进展,主要内容为神光Ⅱ激光装置上的实验,也对刚建成不久的神光Ⅲ原型装置上的实验作简要介绍,此外,文章还介绍了神光Ⅱ和神光Ⅲ原型装置上近期发展的诊断技术和设备.文章作者在神光Ⅱ激光装置上开展了多项的物理实验研究,其中包括黑腔物理、内爆物理、流体动力学不稳定性、辐射不透明度以及辐射驱动冲击波等,并取得了重要的进展.在X射线单能成像、Thomson探针、无高级衍射的单级衍射光栅等新型关键诊断技术与尖端设备研制方面也取得了显著进展.     

透射晶体谱仪及其理论计算

为了测量更广能量范围的等离子体辐射的硬X射线轫致辐射光谱,以获得激光等离子体超热电子能谱的特性,基于柱面弯曲晶体的分光原理,提出了透射晶体谱仪。为满足实验中光源到谱仪距离不同的需要,设计了Johann型可调节透射晶体谱仪。谱仪中的会聚狭缝设计成可移动的,位置随着光源到谱仪距离的变化而改变。通过理论计算获得了会聚狭缝位置变量与光源距离变化之间的关系,得出小角度(小于0.2 rad)入射时能够保证入射光线经过晶体后近似会聚于一点,并对谱仪具体设计时遇到的一些问题,给出了初步的理论分析和看法。该谱仪中会聚狭缝的可调节解除了谱仪到光源距离固定的限制;前端晶体的可更换,也增加了谱仪测量的灵活性。     

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采用离子球自洽玻尔兹曼方程和泊松方程,得到了类氦Cr离子kα线系的两条电偶极辐射光谱能量随不同等离子体环境的变化关系.分析了光谱能量漂移量和kα线交换能随等离子体环境变化的关系,给出了光谱能量漂移量随等离子体环境参数变化的公式.结果表明,光谱能量漂移量随等离子体电子密度变化呈现出很好的线性.关系.     

L壳层Al激光等离子体X射线光谱的实验测量和理论计算

 在星光Ⅱ激光装置上开展了三倍频激光与铝平面靶相互作用实验,采用平场光栅谱仪获得了铝等离子3～6 nm范围的X射线发射谱。基于准相对多组态理论,考虑组态相互作用和Breit修正,采用Cowan程序计算了铝的L壳层跃迁波长和跃迁几率,辨识了实验测量得到的铝类Li到类B的22条跃迁谱线。研究表明：识别的谱线都是L壳层的2s,2p电子跃迁到了3p,3d等, 甚至更高的壳层,其测量得到跃迁的波长与理论值最大偏差只有0.06 nm。计算得到的振子强度与其它理论结果吻合很好。     

时空分辨软x射线谱诊断技术研究

利用平焦场光栅谱仪、门控宽微带x射线分幅相机及可见光CCD设计了一套时空及高谱分辨x 射线诊断系统，利用该x射线诊断系统通过一系列的实验研究建立了同时具有时间、空间及 高谱分辨x射线谱诊断技术，该技术已经成功应用于辐射加热样品的吸收谱，获得了较好的 实验结果. 关键词： x射线吸收谱 诊断技术 时空分辨     

金等离子体平均离化度随电子温度变化关系的研究

用Cowan的原子结构从头算程序和自旋轨道劈裂阵模型计算各阶电离的金离子能级和跃迁， 在碰撞辐射模型下求解能级布居数方程，计算给定等离子体密度和电子温度下等离子体中离子的分布，给出了平均离化度随电子温度的变化关系.发现稀薄的金等离子体中，在一定的电子温度范围内电子温度的升高平均电离度反而下降的反常现象.讨论了电离势对平均离化度的影响. 关键词： 金等离子体 碰撞辐射模型 布居数 平均电离度     

Al激光等离子体电子温度的时间分辨诊断

 将门控分幅相机与平面晶体谱仪耦合，构成时间分辨光谱测量系统，对Al激光等离子体的K壳层发射谱进行测量，获得了相对入射激光延迟约1ns，积累时间约200ps的光谱信号。利用稳态碰撞-辐射平衡（CRE）近似条件下的等离子体光谱辐射动力学模型，给出了Al激光等离子体Ly-β线与He-β线强度比以及Ly-γ线与He-γ线强度比与电子温度的函数关系。在此基础上，根据实验谱线强度比，得到激光强度为2.319×10¹⁴，1.937×10¹⁴和3.946×10¹⁴ W/cm²时，等离子体冕区电子温度分别为1.190(1±27%)，1.165(1±27%)和1.525(1±27%)keV。