低噪声地听器

本文化创见的地听器较通用的单端中心压缩型加速度计的结构有改进；特别是主体设计加一真空罩能够有效地隔外界杂散干扰，实测表明性能良好，宽带抗空气声干扰能力20db。     

A Simple Calculation Approach for the Second－Harmonic Sound Beam Generated by an Arbitrary Distribution Source

We present a simple calculation approach for the fundamental and second-harmonic sound beams with an arbitrary distribution source in the quasilinear approximation. The analysis is based on the assumption that the source function with an arbitrary geometry and distribution is expanded into the sum of a set of two-dimensional Gaussian functions. The two- and five-dimensional integral solutions for the fundamental and second-harmonic fields are, respectively, reduced in terms of Gaussian functions and simple one-dimensional integrals. The numerical evaluation of field distributions is then greatly simplified.     

用正四棱锥形阵对声目标定位研究

文章结合声阵列在智能雷系统中的应用，提出了用立体五元声阵列对声目标进行定位，将智能雷中用于预警的传感器也参与到定位阵列中来，这样就在不增加传感器的条件下实现了市体阵列对声目标的定位。文章推导了定位公式和误差公式，并对结果进行仿真分析，与平面阵相比取得了较好的效果。不但提高了精度还降低了声阵列的盲区。     

Sonochemical Degradation of Polychlorinated Biphenyls in Aqueous Solution

Ultrasonic waves in a liquid induce the formation of cavitation bubbles. Submitted to an oscillating pressure field, cavities filled with vapor and dissolved gas pulsate, grow and implode violently when they reach a critical resonant size. According to the 慼ot spot?theory, extremely high temperature and pressure are produced during the collapse of cavitation bubbles1. Under these extreme conditions, the molecules vaporized in the bubbles as well as in the surrounding condensed layer could …     

水下声发射燃速测量系统测量不确定度的评定

介绍了水下声发射燃速测量系统测量不确定的评定     

纳米CeO2：Er荧光粉的光声光谱和荧光光谱研究

采用燃烧法合成了CeO2：Er纳米荧光粉，研究了不同粒径大小的CeO2：Er的晶型和晶貌并对该现象进。TEM结果表明无定形CeO2：Er包围着纳米晶CeO2：Er，可起到表面修饰的作用。光声光谱在保持纳米材料表面状态不改变的前提下，分析了不同粒径的CeO2：Er的光谱性质，解释了随纳米粒径减小CeO2光谱峰吸收峰有蓝移而Er^3 没有明显谱峰位移的原因。在荧光光谱中，发现小粒径的CeO2：Er有较大的红绿发射比，行了解释。     

聚合物体系散射函数的热力学基础

利用链段浓度和链头浓度的概念，根据热力学涨落理论，给出了聚合物二元共混体系ｄｅＧｅｎｎｅｓ散射函数的一个普遍的热力学证明，指出了这个函数和Ｆｌｏｒｙ－Ｈｕｇｇｉｎｓ共混自由能公式一样，也依赖于忽略构象涨落的假设．     

声表面波器件用〈110〉取向ZnO薄膜的MOCVD生长

Zn O是具有纤锌矿晶体结构的多功能半导体材料 ,它具有 3 .3 7e V的禁带宽度和高达 60 me V的激子束缚能 ,是很有希望的紫外发光材料 .由于具有 c轴的择优取向性 ,因此目前人们的注意力主要集中在对 c轴取向 Zn O薄膜的特性研究上 [1～ 3] .但其它取向的 Zn O薄膜也可在某些衬底的特定面上 ,通过特定的条件进行生长 ,如〈1 1 0〉取向的 Zn O薄膜可在特定的条件下生长在蓝宝石 R面衬底上[4～ 7] .由于 (1 1 0 )面的 Zn O薄膜具有一些 c轴取向薄膜所不具备或无法比拟的特性 ,如 :机电耦合系数高达6% (C面薄膜的机电耦合系数却不足 1 % )…