CO与Pdn（n=1-8）团簇的相互作用

采用密度泛函理论对CO与钯团簇的相互作用进行了系统研究.结果表明,PdnCO(n=1-8)体系的最低能量结构是在Pdn(n=1-8)团簇最低能最结构或亚稳态结构的基础上吸附CO生长而成;CO的吸附以端位吸附为主,其吸附没有改变Pdn团簇的结构;CO分子在Pdn团簇表面发生的是非解离性吸附.与优化的CO键长(0.1166 nm)相比,除了n=2,团簇PdnCO的C-O键长为0.1167-0.1168 nm,吸附后C-O键长变化较小,CO分子被活化程度较小.电荷集居数分析表明,CO的吸附对Pdn团簇的影响比较小;二阶能量差分表明,n=4,6的团簇是相对稳定的团簇.     

P|rj,on-line|∑Cj的一类在线算法与竞争比分析

本文研究平等机上的在线排序问题,优化目标是使总完工时间最小,算法SSPT是此问题的一类在线算法,论文引入一个拟时间表,此时间表具有SRPT时间表的部分性质,论文通过此辅助时间表证明了SSPT算法是(3-(1/m))-competitive的.     

自旋多重度对钛三聚体原子结构的影响

基于密度泛函理论，获得了钛三聚体在不同自旋多重度下的原子结构，并计算了对应的振动频率.发现自旋多重度对钛三聚体的原子结构有重要的影响，特别是对键长和振动频率.考虑自旋多重度后，钛三聚体的基态结构为自旋七重态. 关键词： 钛三聚体 自旋多重度 原子结构     

Pm‖Cmax问题的算法AKK的一个改进的最坏情况性能比

本文考虑的是平行机排序问题Pm‖Cmax.对此问题Knuth和Kleitman给出了一个近似算法AKK,Graham证明了此算法的最坏情况性能比不大于1＋1-1/m/1＋｜k/m｜,而且当k≡0（modm）时这个界是紧的.在本文中我们给出了此算法的一个改进的最坏情况性能比： 1＋max{1-1/m/1＋k1＋1/m,1-1/m-k2/1＋k1},其中k1和k2为非负整数且k1m＋k2=k.本文证明了当k2≠0时,它好于Graham的结果,同时我们给出了两个实例说明这个界是紧的.     

CeO2-MnOx催化剂上氯乙烯有机废气的催化燃烧

采用柠檬酸(CA)溶胶-凝胶法制备了不同Mn:(Ce+Mn)摩尔比的CeO2-MnOx催化剂,以氯乙烯有机废气的催化燃烧为模型反应,考察了催化剂制备条件和反应条件对于CeO2-MnOx催化剂性能的影响,并用N2吸附、X射线衍射(XRD)和H2程序升温还原(H2-TPR)对催化剂进行了表征.结果表明,CeO2-MnOx催化剂上氯乙烯燃烧反应产物只有HCl,H2O和CO2,没有检测到其他氯代烃和氯气等副产物.当CA:Mn:Ce=0.3:0.50:0.50时,所制备的CeO2-MnOx催化剂活性最高,对于较宽的空速范围(10000～30000h-1)和较宽的浓度范围(0.05%～0.15%),低浓度氯乙烯的催化燃烧反应具有较好的操作弹性.其中当氯乙烯浓度为0.1%,空速为15000h-1时,起燃温度T50=110oC,完全转化温度T99=220oC.XRD和H2-TPR结果表明,在CeO2-MnOx催化剂中只出现立方相萤石结构CeO2的特征衍射峰,没有出现MnOx物种的特征衍射峰;Mn离子进入CeO2晶格形成的Ce-Mn-O固溶体,有利于提高催化剂表面的活性氧物种的活性,乃至催化剂活性.     

极小化总加权完工时间的Dial-a-Ride问题的在线随机算法

讨论一般度量空间上带单服务器的极小化总加权完工时间在线Dial-a-Ride问题.通过应用贪婪区间的技巧,提出了一个一般在线随机算法.根据这个算法,对于容量为1或者任意容量的一般度量空间上的在线Dial-a-Ride问题能得到一个竞争比为(2+√2)/ln(1+√2)的在线随机算法,这个算法不仅具有当前最好的竞争比,而且也改进了Krumke等人的结果.     

薄层色谱法在三氯蔗糖合成控制中的应用

本文采用薄层层析法对三氯蔗糖合成过程中所涉及的反应物进行分离分析，通过洗择优化展开体系，有效地分离了蔗糖及其酯类衍生物，并实现了蔗糖乙酸酯同分异构体的分离，较为直观地指示了反应进程。     

新型铜粉导电复合物的合成

以Bi_2O_3与Sn(OH)_4为原料、NaBH_4为还原剂,成功在3.5μm球形铜粉表面包覆了Sn-Bi合金层,将铜粉与高分子基体(聚乙烯吡咯烷酮、丙烯酸树脂、环氧树脂)复合制备了导电复合物。采用场发射扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)与差示扫描量热仪(DSC)表征包覆铜粉的组成与结构,采用刮板细度计测试复合物的分散与稳定性能,并用万用电表测试其导电性能。结果表明,包覆铜粉复合物的导电性能较纯铜粉复合物明显提高。     

第一性原理对GenB(n=12—19)团簇的最低能量结构及其电子性质的研究

利用第一性原理在广义梯度近似下，研究了Ge_nB(n=12—19)团簇的结构和电子性质. 结果表明：Ge_nB(n=12—19)团簇具有较大的能隙;这些团簇的最低能量结构包含有Ge₉或Ge₁₀结构单元；B原子嵌套在Ge_n团簇中和B原子替代Ge_n+1团簇的Ge原子是构成Ge_{n 关键词： n}B团簇')" href="#">Ge_nB团簇 最低能量结构 电子性质     

稀磁半导体(Ga1-xFex)As的电子结构,磁性及其稳定性的第一性原理研究

采用基于第一性原理的紧束缚近似线性muffin-tin轨道(TB-LMTO-ASA)的方法,在原子球近似的基础上计算了均匀掺杂的稀磁半导体(Ga1-xFex)As在各掺杂浓度下(x=1,1/2,1/4和1/8)的总能量,由能量最低原理得到其在各稳定点的晶格常数,磁性及相应态密度.计算结果表明了(Ga1-xFex)As的晶格常数随掺杂浓度的增大而减小,在各掺杂浓度下(除x=1)样品都是反铁磁态的,Fe 3d和As 4p之间杂化是引起样品电子结构和磁性变化的主要原因.