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马铃薯酪氨酸酶的性质 总被引:10,自引:0,他引:10
用硫酸铵分级沉淀、DEAE SepharoseFF和SephadexG 150柱层析,从马铃薯中分离纯化出酪氨酸酶,纯化倍数50,比活170.03U mg蛋白。SDS PAGE检测呈现一条带。分子量42KD。酶的最适pH7 5,最适温度30℃。该酶具有单酚酶和二酚酶活性,其中以邻苯二酚为底物活性最高,以L DOPA为底物Km值为3 70mmol·L-1。Hg2+、Zn2+、Fe2+为激活剂,K+、Ga2+、Mg2+是抑制剂。Ga2+为非竞争性抑制,抑制常数ki为116 8mmol·L-1,K+为竞争性抑制,抑制常数ki为10mmol·L-1。 相似文献
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本文讨论在物理二轮复习中如何有效地进一步实现课程目标这一实际问题,提出了利用学生练习经历有效实现课程目标的观点,并对这一想法的必要性、有效实施策略等进行相关讨论。 相似文献
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为了改善HfO_2的阻变特性,提高氧空位(VO)导电细丝形成的一致性和均匀性,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了掺杂Al的HfO_2阻变材料的微观特性.结果表明,间隙Al (Int-Al)更适合掺入到HfO_2中,并且Int-Al与VO相对位置越近,阻变材料趋于稳定的收敛速度越快,形成能越小.不同IntAl浓度对含有VO缺陷的HfO_2超胞的影响结果显示,当掺杂Int-Al浓度为4.04%时,分波电荷态密度图能够形成相对较好的电荷通道,最大等势面和临界等势面值均为最高,有利于改善HfO_2阻变材料中导电细丝形成的一致性和均匀性;形成能计算结果显示,当Int-Al浓度低于4.04%时形成能变化缓慢,当高于4.04%时则异常增大,表明缺陷体系随Int-Al浓度增大越来越难以形成;进一步研究掺杂Int-Al浓度为4.04%时晶格结构的变化,结果显示缺陷形成能显著降低,有利于形成完美的导电通道.该研究为改善基于HfO_2阻变存储材料的性能有一定的借鉴意义. 相似文献
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对农村科技投入与农业经济增长的实证研究以往多是基于线性模型进行的,而实际受诸多因素影响,二者之间可能存在动态的非线性关系.因此使用我国1980-2010年时间序列数据,运用非线性ESTR对这个问题进行研究,结果表明我国农村科技投入与农业经济增长之间存在单向的格兰杰因果关系,两者存在正向非线性关系,表现出阶段性变化特征.其具体分为三个阶段,即增长期1980-1982年、减速期1982-1986年、平衡期1986-2010年. 相似文献
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In this paper, we mainly discuss some generalized metric properties and the cardinal invariants of almost topological groups. We give a characterization for an almost topological group to be a topological group and show that:(1) Each almost topological group that is of countable π-character is submetrizable;(2) Each left λ-narrow almost topological group isλ-narrow;(3) Each separable almost topological group is ω-narrow. Some questions are posed. 相似文献
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无催化剂条件下4-羟基烷基-2-炔酸乙酯与N-杂环芳基甲基-N-2,2-二氟乙基-1-胺的串联反应 总被引:3,自引:0,他引:3
开发了无催化剂条件下4-羟基烷基-2-炔酸乙酯与N-杂环芳基甲基-N-2,2-二氟乙基-1-胺的串联反应.应用该反应在甲醇中回流,以39%~83%的收率合成了一系列4-(N-(2,2-二氟乙基)(N-杂环芳基甲基)氨基)-5,5-二取代呋喃-2(5H)-酮,其结构经1H NMR,13C NMR和HR-ESI-MS表征,并进一步通过3-氯-4-(N-2,2-二氟乙基)(N-嘧啶-5-基甲基胺基)-5,5-螺(4-甲氧基环己基)呋喃-2(5H)-酮(8)的晶体衍射间接证实.测试了所合成化合物的生物活性,结果表明,在600μg·mL^-1浓度时4-(N-2,2-二氟乙基)(N-6-氯吡啶-3-基甲基胺基)-5,5-二甲基呋喃-2(5H)-酮(3a)和4-(N-2,2-二.氟乙基)(N-6-氟吡啶-3-基甲基胺基)-5,5-二甲基呋喃-2(5H)-酮(3c)对桃蚜的死亡率均为100%. 相似文献
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应用全带多粒子Monte Carlo模拟方法,研究了钎锌矿相GaN 材料电子的高场输运特性. 模拟中利用了基于第一性原理总能量赝势方法计算得到的纤锌矿GaN的能带结构数据. 用Cartier的方法,计算碰撞电离散射率. 计算得到了电子平均漂移速度和电子平均能量与电场的关系曲线. 电离系数的分析表明当电场强度大于1 MV/cm时,才会有明显的碰撞电离发生,量子产额的分析表明当电子的能量大于7 eV时,量子产额随能量增加迅速增大. 研究了在0—4 MV/cm电场强度范围内电子在各导带的分布,低场下电子全部位于
关键词:
碰撞电离
高场输运
能带结构
Monte Carlo模拟 相似文献
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