巧用数量积解题

例题已知m， 矛一1，矿 夕一2，求“m十bn的最大值.解设了;一(m，n)，百2=(a泊)则了，·了:一am十bn =}了，}·}了2 ICos< e:> =夜七。s(了，，了2>. cos(百，，百:>任[o，二]，。m bn的最大值为招.本题的传统解法是采用三角代换法，在代换过程中牵扯到的变量较多.此种解法的巧妙在于由本题的已知条件和结论的形式联想到向量数量积的坐标运算，一步到位，简单至极.巧用数量积解题@崔平社$陕西省西安市户县实验中学!(710300)~~     

室温燐光猝灭法测定种子水分含量的研究——Ⅰ.作物种子中水分含量与 RTP 的相关性

本文基于作物种子中的水分能够猝灭种子本身的室温燐光强度,研究了干燥温度及干燥时间对燐光强度的影响。五种作物种子的实验结果表明,种子中的水分含量在一定范围内与RTP强度呈线性关系,其相关系数接近于-1。     

对单缝衍射实验中空间非对称问题的分析

一、引言由理论知,夫琅和费单缝衍射光强分布曲线相对中央主极大两侧应出现对称的极小值和次级极大值,但在学生实验中常出现与理论不符的结果,关于强度不对称问题已有专文讨论。本文讨论衍射光强分布相对中央主极大左右两侧同级次的极小和次级极大值的位置坐标不对称现象,这可称之为“空间不对称”。有关的实验数据如下列表中所示。     

Time-Resolved Photoluminescence Studies of Indium-Rich InGaN Alloys

Time-resolved photoluminescence (PL) spectroscopy has be used to investigate indium-rich InGaN Mloys grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition. Photoluminescence measurement indicates two dominant emission lines originating from phase-separated high- and low-indium-content regions. Temperature and excitation intensity dependence of the two main emission lines in these InGaN alloys have been measured.Temperature and energy dependence of PL decay lifetime show clearly different decay behaviour for the two main lines. Our results show that photo-excited carriers are deeply localized in the high indium regions while photo-excited carriers can be transferred within the low-indium-content regions as well as to high-content regions.     

激光快速成型技术研究

激光快速成型技术由于其广范的应用前景而得到广泛深入研究^1,2,本文重点讨论我们研究所设计的激光快速成型系统的关键技术及其应用新领域逆工程．     

国产滤纸应用于固体基质室温燐光法可行性的考察

本文首次考察了国产滤纸应用于固体表面室温燐光法(SS-RTP)的可行性。研究了国产滤纸的RTP背景,温度及重原子对滤纸RTP背景的影响,观察了滤纸经用DTPA和二氧六圜化学处理后背景值的降低情况,以及在应用国产滤纸作基质潮定吩噻嗪的研究中对方法精密度的影响。还与Whatman №41及S & S两种国外滤纸产品做了比较。实验表明,国产滤纸用于SS-RTP技术是可行的。     

关于《光谱学与光谱分析》收取审稿费的通知

正尊敬的《光谱学与光谱分析》广大作者、读者同志们,本刊自2006年底采用由"北京玛格泰克科技发展有限公司"开发的投稿系统实现网络采编以来,进一步扩展了审稿专家队伍。本刊参考同类期刊的现行做法,决定自2010年12月1日以后登记的稿件向投稿作者收取审稿费100元/篇,在您投稿之前,为免受经济损失,请您必须考虑:1.没有创新的一般性稿件,请您不要投稿。2.没有国家级基金资助的稿件,请您不要投稿。3.不是光谱专业的稿件,请您不要投稿。     

蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究

在实验优化MBE工艺条件的基础上，采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高，AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现，常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程，持续时间分别为0.91，7.7和35.5ms；蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程，持续时间分别为0.78和14ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级. 关键词： 邻晶面蓝宝石衬底 GaN薄膜 瞬态光电导 弛豫特性     

特殊类型函数高阶导数与原函数的统一公式

本文通过研究几种特殊类型函数的高阶导数与原函数的求法 ,获得了由该类函数自身及其一阶导数的特征 ,即可快速写出该类函数的 n阶导数 y( n) 与原函数 y( - 1 ) 的统一公式 y( n) ( n=-1 ,1 ,2 ,3 ,… ) .该公式可给实际运算带来许多简化与方便 .     

固体基质室温燐光法测定吩噻嗪的研究

本文首次应用国产滤纸作为基质,建立了固体基质室温燐光法(SS-RTP)测定吩噻嗪含量的新方法。应用自制的室温燐光样品架研究了样品干燥的温度,样品干燥的时间、点样时机,重原子KI的浓度对室温燐光强度的影响等实验条件,讨论了卤化钠和卤化钾的重原子效应规律。并发现在不吹N_2除O_2的情况下,也能获得吩壤嗪稳定的RTP信号。吩噻嗪的标准曲线在0.1—150ng,0—10ng和0—1.0ng三个数量级上呈良好的线性关系。