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51.
提出了电感耦合等离子体原子发射光谱法测定烧结增效剂中主成分三氧化二硼和二氧化锰含量的方法。用盐酸-硝酸混合溶液溶解样品,选择波长257.610,249.773 nm两条谱线分别作为测定硼和锰的分析线,采用背景校正来扣除干扰。方法用于烧结增效剂样品分析,测定结果与化学法测定值相一致。 相似文献
52.
预失真技术是克服功率放大器非线性失真的一种非常有效的方法.许多研究者从数学建模的思想角度出发,建立了关于功放与预失真的各类级数模型,以实现线性增益输出.但是在应用通信系统中,这些模型不能有效地动态实现功放效率尽可能高的要求.在和记忆多项式模型的基础上,创新地运用多目标规划的方法优化功放的预失真模型.在满足一定的线性化输出的同时,尽可能地得到更高的功放效率,而且能同时计算出增益系数与模型参数.对于数据量为1000的无记忆功放得到增益倍数为1.82649,预失真模型的NMSE值为-41.5633.数据量为73920的有记忆功放得到增益倍数为9.5969,预失真模型的NMSE值为-24.3682. 相似文献
53.
54.
用样本数据的分组均值与总体方差为参数的正态函数作为插值基函数,构造出线性正态插值函数曲线以拟合中国城乡居民收入的概率分布函数曲线,并论证了这样构造的线性正态插值函数存在且唯一,此插值函数任意阶可微.利用拟合的正态插值函数曲线计算出拟合的函数面积估计值并与相应的样本数据直方图面积做比较,进而得出正态插值函数拟合曲线面积与样本数据直方图的面积误差比率. 相似文献
55.
本文采用ESR手段对五种硫杂蒽酮类光引发剂2-甲基硫杂蒽酮(MTX)2,4-二甲基硫杂蒽酮(DMTX)、1,2,4-三甲基硫杂蒽酮(TMTX)、2-甲氧基硫杂蒽酮(MOTX),2-戊氧基硫杂蒽酮(AOTX)和三乙胺引发体系进行了研究,提出了该类光引发剂和三乙胺暗反应的机理。 相似文献
56.
本文采用电化学方法,制备了一种便于回收和分离的柔性锌镍/铝层状双羟基/碳纤维(Zn Ni/Al-LDHs/CFs)复合材料.采用X射线衍射、红外光谱、场发射扫描电镜、电感耦合等离子体原子发射光谱和电化学阻抗光谱技术表征了Zn Ni/Al-LDHs/CFs复合材料的结构、形貌和光电催化性能.与单独使用Zn/Al-LDHs/CFs作为光催化剂或Ni/Al-LDHs/CFs作为电催化剂相比较,Zn Ni/Al-LDHs/CFs复合材料显示了良好的光-电双功能催化特性,既可被用作乙醇和甲醇氧化的电催化剂,也可光电协同催化2,6-二氯苯酚降解. 相似文献
57.
单分子磁体(SMMs)具有磁性双稳态和慢弛豫机制,在量子计算、超高密度存储材料等领域具有潜在的应用前景.第一例稀土单分子磁体(Ln-SMMs)发现,标志着单分子磁体研究领域新时代的开始.稀土金属离子,特别是镝离子一直被认为是构建用于高性能单分子磁体的优秀候选者,使得Ln-SMMs的翻转能垒和阻塞温度的记录不断被刷新,引起了研究者广泛的关注.本文主要从合成策略,结构和性能方面出发,综述了近年来高性能Ln-SMMs的研究进展,并对今后的发展和面临的问题进行了探讨和展望. 相似文献
58.
华法林是人工瓣膜置换术后抗凝的唯一口服用药,目前采用国际标准化比值指导治疗,因其安全用药范围小,产生不良后果严重,故精准个体化治疗亟待深入研究。迄今已有大量文献报道了相关基因多态性对华法林的稳定治疗剂量有重要影响,但大多缺乏剂量预测模型的建立和必要的验证过程,部分建模文献也仅选用1~2个基因,且预测百分比低,由于人类不同个体之间存在差异过多,为更好的控制药物剂量,达到治疗效果,收集了295名患者用药资料,并分析患者8个基因位点,通过统计学对个体差异进行分析,建立了预测准确率在68%的华法林稳定剂量预测模型,从而更好地实现统计学在医学用药方向的应用,达到更佳的临床治疗效果。 相似文献
59.
系统分析了黑龙江穆棱地区巨晶斜方辉石的性质、化学成分和光谱学特征。电子探针(EMPA)的分析结果表明,该巨晶斜方辉石属于斜顽辉石,其元素组成包括Ca,Na,Mg,Fe,Al,Ti,Si和O, 结构水含量为20~130 ppm。拉曼光谱(Raman)的特征峰位于1 015,678和345 cm-1,分别由不同的振动类型引起。傅里叶红外光谱(FTIR)的分析表明巨晶斜方辉石在官能团区具有三个明显的吸收峰,它们分别位于3 550~3 590,3 510~3 520和3 410~3 420 cm-1,与幔源辉石结构水的吸收峰较为一致;对巨晶斜方辉石的红外微区含水量测试分析表明,结构水在不同巨晶斜方辉石间存在差异,但在单一辉石样品内部分布均匀,无明显核-边变化。 相似文献
60.
基于伴随优化设计算法逆向设计了一种高集成度硅基分模器。通过优化设计得到横电模TE0和TE1双模分模器的尺寸仅为5.5μm×4μm,其可在不改变模阶数的情况下实现模式高效分离。理论结果显示:当输入TE0模式时,中心波长处的插入损耗和串扰分别为0.14 dB和-23.8 dB;当输入TE1模式时,插入损耗和串扰分别为0.48 dB和-22.45 dB;工作带宽覆盖150 nm时,TE0和TE1模式的插入损耗分别低于0.44 dB和1.16 dB。基于全矢量三维有限时域差分法分析了±15 nm制备容差,两种模式的插入损耗低于0.79 dB,串扰低于-18.37 dB。所提出的紧凑型硅基分模器可应用于片上模分复用系统,为大容量片上光通信和光互联提供可行器件。 相似文献