Mg掺杂对Li(Co,Al)O2电子结构影响的第一原理研究

基于密度泛函理论的第一原理赝势法，研究了Mg在Li(Co，Al)O2中掺杂前后的电子结构的变化.通过能带和态密度的分析,发现Mg掺杂后在价带中引入了电子空穴，同时价带展宽，这两个电子结构的显著变化是引起Li(Co，Al)O2导电率提高的主要机理.通过对Co3d电子态密度的分析发现，在二价Mg掺杂后，Li(Co，Al)O2中的Co价态升高，介于Co3+和Co4+之间.从能带计算出发，进一步定量给出了Co和O的平均价态的变化. 关键词： Li(Co Al)O2 电子结构 第一原理 电导     

α-LiAlO2的固相合成及Raman光谱研究

用固相反应法制得α-LiAlO2样品，并首次得到该材料的Raman光谱。Raman光谱表明，在654cm^-1和426cm^-1处存在两个较强的Raman光谱峰。分别对应于Alg和Eg振动模式。与α-LiAlO2比较可知，α-LiAlO2的层间结合力相对于α-LiAlO2更弱，其层状属性更强。     

超导BCS理论的建立

介绍了巴丁、库珀和施里弗的生平,回顾了BCS理论的建立过程,综述了BCS理论建立的影响和意义,以及由此带给人们的有益启示.     

高电导率LiAl0.3Co0.7-xMgxO2的制备与表征

用柠檬酸配位聚合法合成了LiAl0.3Co0.7-xMgxO2(x=0.01～0.13)粉体,并进行了X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)的表征.结果发现晶粒粒径都小于1μm,且在x≤0.11的范围内,材料的XRD谱峰形锐利,表明800℃下材料有良好的结晶性,通过对几组衍射峰的标定,确定材料保持了六方层状α-NaFeO2结构,这种结构在充放电过程中为锂离子提供了良好通道.     

锂电池阴极材料Li(CoxAl1-x)O2的溶胶-凝胶法合成及表征

采用溶胶-凝胶方法合成了锂二次电池阴极材料Li(CoxAl₁-x)O₂,并采用XRD方法分析了材料的相变过程、烧结时间对材料合成的影响及不同Al/Co比掺杂对材料相变的影响,并进行了结构表征.研究表明,材料结构随Al固溶度的增大及温度的升高呈现出a轴缩短,c轴伸长的趋势.材料晶相稳定温度在600～900℃之间,烧结时间在3h以上.     

空穴掺杂对Li1-xCuVO4(x≤0.1)一维自旋链材料光谱性质的影响

采用固相烧结方法合成了部分Li+缺失的一维自旋链材料Li1-xCuVO4(x≤0.1). X射线衍射和Raman光谱分析结果表明, 所得材料属于正交晶系, 具有反尖晶石结构; Li+的缺失并未对材料的长程和短程结构具有明显的影响. X射线光电子能谱(XPS)研究结果表明, 空穴掺杂前后, O离子和V离子的价态并未随Li+缺失而发生改变, 仍然为-2价和+5价. 而Cu离子的2p53d10 L态向高结合能区发生了偏移, 说明在部分Cu2+上出现了空穴, 形成了Cu3+.     

智慧的长者──余瑞璜

智慧的长者──余瑞璜张瑞林，陈岗（吉林大学材料科学系，长春１３００２３）余瑞璜１９０６年３月１０日出生于江西省宜黄县崇二都村．他在６－９岁读私塾，１０岁去离家３０里外的崇文书院读高小．１２岁他考取了江西临川省立第三师范学校。１９２５年他考入南京东南大...     

钙钛矿型HoNiO_3中电荷歧化的第一原理研究

应用第一原理的密度泛函方法 ,研究钙钛矿型过渡金属氧化物HoNiO3的电子结构 .HoNiO3在正交结构 (空间群为Pbnm)和单斜结构 (空间群为P2 1 n)的电子密度图表明Ni在正交相中只存在Ni3 一种组态 ,而在单斜相中则存在Ni( 3-δ) 和Ni( 3 δ) 两种不同的组态 .电荷歧化特征值δ可由Ni3d电子态密度中非键t2g部分反映 .通过t2g态密度在正交和单斜相的相对变化 ,可以算得δ值为 0 34± 0 0 1.     

正交LiMnO2中的重入自旋玻璃行为

用水热技术合成了单相正交LiMnO2(o-LiMnO2)粉末,X射线衍射表明其空间群为Pmnm.X射线衍射精修结果指出该材料存在少量的阳离子无序,但这种无序对材料的磁性没有表现出明显的影响.静态和动态的磁性研究结果表明o-LiMnO2中存在重入自旋玻璃行为,即在T≤TC≈118 K,反铁磁态转向铁磁态,在T≤Tf≈50 K,铁磁态又转向自旋倾斜玻璃态.     

自旋-Peierls化合物GeCuO3电子结构的第一性原理研究

采用平面波赝势方法对自旋-Peierls化合物GeCuO₃的电子结构进行了第一性原理研究.计算结果表明：Cu²⁺的3d轨道自由度被冻结,未配对电子填充d_x²-y²轨道.自旋向上和向下的d_x²-y²轨道间的交换劈裂导致了体系的绝缘性.费米能级附近的Cu 3d态与O(2) 2p态存 关键词： 3')" href="#">GeCuO₃ 自旋-Peierls相变 第一性原理计算 共价绝缘体