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51.
研究复合二项对偶模型的最优分红问题,通过分析HJB方程得到了最优分红策略和相应的最优值函数之间的关系以及最优值函数的简单计算方法.通过讨论最优红利策略的一些性质得到了最优值函数的可无限逼近的上界和下界. 相似文献
52.
应用特征矩阵法研究了非均匀渐变界面Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAs DBR的光学特性.建立了非均匀渐变界面AlyGa1-yAs的折射率模型,并得到了渐变界面特征矩阵的解析解,通过特征矩阵法分别计算了突变GaAs/Al0.9Ga0.1As DBR和渐变DBR的反射谱和反射相移,分析了非均匀渐变层对DBR光学特性的影响,对渐变DBR,需要在DBR前面再增加一定厚度的非均匀渐变相位匹配层才能使整个DBR满足中心波长相位匹配条件,并通过光学厚度近似方法求出相位匹配层厚度.
关键词:
DBR
反射谱
反射相移
特征矩阵法 相似文献
53.
采用含时密度泛函理论(TDDFT)B3LYP对5个吐昔烯及其衍生物分子的吸收光谱进行理论计算。结果表明,该5个分子的吸收波长在281—307 nm范围内,属于近紫外区。使用有限场(FF)方法理论计算5个化合物分子的非线性光学(NLO)性质。结果显示,吐昔烯分子引入烷氧基将明显增大二阶和三阶非线性光学性质(b0和 值),此类化合物分子的三阶非线性光学性质明显优于二阶非线性光学性质。 相似文献
54.
根据爱因斯坦方程和Marcus电荷传输模型, 使用密度泛函理论B3lyp/6-31g**理论水平计算6 个吐昔烯衍生物分子的结构和电荷传输性质. 结果显示: 6个吐昔烯的衍生物分子的空穴迁移速率为0.018–0.062 cm2·V-1·s-1, 电子迁移率为0.055–0.070 cm2·V-1·s-1, 其中3, 8, 13-辛烷氧基吐昔烯衍生物分子适合作为双极性传输材料. 三条烷氧基链的吐昔烯衍生物分子上引入三个甲氧基或羟基, 均使空穴和电子传输率降低. 引入给电子基团或共轭性基团可减小吐昔烯衍生物分子的能隙, 达到有机半导体的能隙要求.
关键词:
吐昔烯衍生物
空穴传输
电子传输
有机半导体 相似文献
55.
56.
57.
58.
采用远场测量法测量了虚阴极振荡器波导口的微波辐射方向图及虚阴极振荡器波导口处接上TM01-TE11模式转换器时的微波辐射方向图,接收喇叭口面与微波辐射口之间的距离为1.00 m,满足远场条件。结果表明:两种情况下的辐射主模式分别为TM01模式和TE11模式,从而证实了在实验装置轴对称的条件下,轴向虚阴极振荡器的微波辐射主模式确为理论所预期的TM2模式。对辐射模式的分析表明,TM01模式纯度约为90%,TE11模式的辐射功率为TM01模式的5%左右;TE21,TE01和TM11模式三者的总辐射功率较TM01模式低一个量级以上,微波辐射功率大于300 MW,辐射频率为4.6 GHz左右,微波脉宽大于40 ns。 相似文献
59.
新的适用于整个热力面的1,1,1,2-四氟乙烷(R134a)跨接状态方程 总被引:1,自引:1,他引:0
1前言作者建立了一个新型的符合临界重整化群理论的跨接状态方程,能够描述物质的整个区域热力性质山。鉴于R134a是R12的新的主要替代制冷剂,为了计算其整个区域的热力性质,本文将新跨接状态方程应用于R134a,以便提供一个能在整个区域计算R134a热力性质的状态方程。2新跨接状态方程作者建立了以下型式的新跨接状态方程l‘]:上式中,西方一r一IDZ户一p巾c;,一DI—TD;T—To/T;产为密度;pc为临界密度;T为温度;To为临界温度;矿对比过余Helmholtz自由能;A是Helmholtz自由能。新函数中,a。一30,a,一10;0—0.325和西一… 相似文献
60.
受控核聚变两大途径的对比与结合 总被引:6,自引:0,他引:6
目前人们探索受控核聚变主要是从两个方向着手:磁约束受控核聚变和惯性约束受控核聚变,但目前还无法判定到底哪一种途径更为可取,文章首先对这两种途径进行对比,指出各自的特点和困难,在此基础上提出了一种结构相对简单,成本相对较低的三轴六极磁镜系统设想,希望能将磁约束和惯性约束和惯性约束结合起来,以实现受控核聚变反应。 相似文献