V3X系d带相对移动量的配位场方法的计算

本文用配位场方法计算在D₂d)晶场作用下,V₃X(X=Si,Ga,Ge,Sb,Sn)超导化合物中d电子各态的附加势能,给出A-15超导化合物d带相对移动模型中的特征量——d子带相对移动量△E_⊥——与晶格常数的解析关系及其数值结果。并用于磁化率的计算。 关键词：     

程序設計

最近十年来,在計算技術方面起了很大的变革,这就是数字电子計算机的出現,它工作的速度快到我們不可能用手來操縱它,而要由机器本身進行自动的操縱。数字电子計算机的重要組成部分是輸入、存儲、运算、控制、输出(图1)。     

量子力学的路径积分表述

由 Schrodinger和 Heisenberg 等人建立的量子力学已为广大读者所熟悉,以下我们把他们表述的量子力学称为量子力学的通常表述.量子力学除了通常表述之外,还有一种与之等价的不同的表述,这种表述是由Feynman从Dirac 在1933年的一篇论文中得到启示而发展起来的.Feynman的表述基于     

A-15型V3B系超导化合物正常态顺磁磁化率

本文根据文献[1]提出的d带相对移动模型,计算了A-15型V₃B系化合物的顺磁磁化率及其随温度变化的趋势,计算结果与实验数据大体相符。     

X射线照射Hep-2细胞对其培养基吸收光谱的影响

采用分光光度计分别测量了受不同剂量X射线照射后继续培养48h时的人上皮样喉癌细胞株Hep-2的培养基RPMI1640的紫外吸收光谱,分析了该培养基中蛋白质的紫外吸收特性.结果发现:各组培养基的吸收光谱存在明显的差别,新鲜培养基RPMI1640(10%胎牛血清)233nm处的吸收峰在细胞生长过程中位移至235nm,275nm处的吸收峰位移至278nm.反映出各组培养基中芳香族氨基酸中各种氨基酸如色氨酸、酪氨酸、苯丙氨酸的含量的变化,说明癌细胞在生长过程中对这几种氨基酸的改变不是按等量比的.实验还发现细胞培养基的吸收光谱强度与各剂量组细胞数基本成正相关,进而与细胞所受X射线照射的剂量有内在的联系.这些结果将为利用光谱技术研究人喉癌最佳X射线放射剂量奠定基础.     

电子俘获材料CaS∶Eu,Sm光谱特性研究

研究了电子俘获材料CaS∶Eu,Sm多晶粉末的紫外-可见-红外吸收光谱及红外激励光谱.研究结果表明,CaS∶Eu,Sm中主激活剂Eu和辅助激活剂Sm分别以Eu2 离子和Sm3 离子的形式存在;ETM的吸收差谱及红外激励光谱所反映的光谱特性是不同的.紫外-可见光区的吸收差谱给出了ETM光谱存储灵敏度的信息,而红外光谱区的吸收差谱给出了ETM所俘获电子数量的信息及电子陷阱能级的特征(深度和宽度)信息.红外激励光谱则反映了ETM将不同波长的红外激励光的能量转换为特定波长处的红外辐射光能量的光谱转换灵敏度.二者结合起来可以更完整地描述ETM的光谱特性.     

几种声学参数在艺术嗓音客观评价中的应用

在艺术嗓音客观评价中,评价声学参数的选取至关重要。尝试利用语音分析技术提取歌声平均能量、平均频率误差、平均音域误差作为客观评价声学参数,使用神经网络方法客观评价艺术嗓音歌声质量,并与资深专业教师的主观评价进行比较。结果表明,综合使用三个声学参数能正确客观评价歌声质量,评价误差在4%之内,有助于科学地指导选拔、培养和训练艺术嗓音人才。