基于ZnO光阳极的染料敏化太阳电池

本文全面介绍了基于ZnO光阳极的染料敏化太阳电池的研究和应用现状,特别是ZnO光阳极的制备方法,包括传统的手术刀法、丝网印刷技术和电沉积自组装方法,以及最近发展起来的机械挤压法、化学液相沉积法、化学气相沉积法和低温水热法等,对不同制备薄膜方法的工艺条件和优缺点进行了综述.同时介绍了微/纳米复合结构和直线电子传输对光电转换效率提高的作用.指出了ZnO太阳电池未来发展方向是:探索制备ZnO电极的新形貌和新方法,寻找性能更加优异的染料,以提高ZnO太阳电池的光电转换效率.     

(BEDT-TTF)2C3H5SO3·H2O新晶体的生长、结构与导电性

用恒电流电化学结晶法培养了一种新的基于BEDT-TTF的电荷转移盐(BEDT-TTF)2C3H5SO3·H2O [BEDT-TTF=双(亚乙基二硫)四硫富瓦烯,C3H5SO-3=烯丙基磺酸根].通过四圆X射线衍射方法测定了(BEDT-TTF)2C3H5SO3·H2O的结构.晶体属于正交晶系,Pma2空间群;晶胞参数a=3.2772(3) nm, b=0.79604(7) nm, c=0.66868(7) nm, V=1.7445(3) nm3.在标题化合物晶体中,BEDT-TTF0.5+自由基形成α′-型堆积,烯丙基磺酸根阴离子则通过氢键沿c轴方向连接成链.(BEDT-TTF)2C3H5SO3·H2O的室温电导率为0.0489 Ω-1·m-1,电阻率-温度测定曲线表明它具有典型的半导体导电行为,其导电激活能为0.319 eV.     

LB膜的XPS光谱及其电致发光

采用X射线光电子能谱 (XPS)和UV Vis光谱研究了 2个以 8 氨基喹啉为亲水头基的两亲配体 ;2 长链烷基丙二酸二 (8 氨基喹啉 )酰胺 (H2 A) (H2 A1 2 :长链烷基为十二烷基 ;H2 A1 6 :十六烷基 )在气 /水界面与Cu2 离子的配位作用。配位后H2 A1 2 和H2 A1 6 单分子膜的崩溃压分别由 12 5和 15 6mN·m- 1 增加至 2 8 0和33 8mN·m- 1 。从含Cu2 离子亚相表面组装的LB膜出现了Cu2 离子的特征XPS峰 ,Cu2p为 935和 95 5eV ,XPS表明H2 A与Cu2 的配位比为 1∶1。H2 A的LB膜可以用作电致发光 (EL)器件的空穴传输材料 ,三层EL器件ITO/TPD/LB膜 /Alq3/Al(LB膜分别为 15层H2 A1 2 和 15层H2 A1 6 )的驱动电压分别为 6 5和 7 5V ,最大亮度分别为 6 2 1和 2 0 1cd·m- 2 。     

分子基导电性磁体

分子基导电磁体又称磁性导体,是有机导体和分子磁体研究的交叉领域．由于在现有的绝缘性的分子基电荷转移复合物中存在着铁磁性,反铁磁性和量子磁体行为,因此好的导电性和磁性不能共存曾经是大家的一个共识．自从发现了第一个分子基金属性铁磁体,将有机导体的兀一单元和磁性络离子相结合制备分子基导电性磁体成为了一个热门的研究领域．到目前为止,金属性铁磁体,半导性的室温亚铁磁体,金属性弱铁磁体和具有超导电性的反铁磁体都被人们合成出来了,人们正在期盼有着高电导性和高磁有序温度的分子基导电磁体的出现．     

物理学与化学交叉——有机分子固体与聚合物的物理问题

简略地回顾了有机固体领域中物理学与化学的交叉问题，从孤子、极化子、分数电荷理论到有机材料的光电应用，物理学与化学是紧密结合并且是互相促进的，交叉也会带来分歧，但科学的争论可提出更多，更深入的问题，更加促进学科的发展。     

哒嗪—碘电荷转移复合物的导电性

本文制备了哒嗪-碘电荷转移复合物,导电率达1—10~2S/cm。使之与碘混合在碘含量达98％时,仍具有1S/cm的导电率。用电压端短路法测量导电率的温度依赖性,发现在室温—-30℃导电率升高20％,在-30—100℃间导电率下降为室温时的-10％或更小。还报道了元素分析、x射线光电子能谱及激光拉曼光谱的数据。     

两亲8-氨基喹啉衍生物的空穴传输特性及LB膜电致发光器件

在过去的20年里,电致发光(EL)领域的研究显得异常活跃,EL已应用于通讯、信息、显示等许多领域,而占领这一领域的是P-N结无机半导体发光二级管,其发光效率已超过了白炽灯.但由于无机半导体很难实现大面积平面显示,加之成本较高,因此,限制了其进一步的发展[1].有机荧光材料的种类繁多,荧光量子效率高,且可以通过分子结构修饰有目的地控制其发光效率、发光颜色和电学性能[2],因而,越来越多的学术界和工业界的研究小组进入了有机电致发光研究领域[3.4].     

碳纳米管的还原反应

用硝酸和硫酸的混合物对单壁碳纳米管进行切割,然后用SOCl2将切割后碳纳米管上的羧基转变为酰氯,以LiAIH4作为还原剂,对单壁碳纳米管进行了还原,并用FT-IR,Raman,XPS对还原后的单壁碳纳米管进行了结构表征.     

垂直生长碳纳米管阵列法向导热系数测量

本文使用3-omega方法对一种由垂直于石英玻璃表面生长的碳纳米管阵列组成的界面材料法向导热系数进行了测量。针对样品结构,提出一种一维简化模型,使用了等效热抗的概念对实验数据进行拟合,计算得到室温条件下(300K)本实验所用样品的导热系数约为17 W/(m·K)。分析了可能造成碳纳米管阵列导热系数偏小的各种因素。