综合管廊早龄期混凝土温度应力仿真模拟

以汉中市综合管廊为工程背景,通过有限元软件,首先模拟分析综合管廊早龄期温度场,随后将温度场结果附加到管廊结构中求解温度应力,从而分析综合管廊早龄期混凝土温度应力与浇筑长度的关系。模拟分析发现:综合管廊在混凝土浇筑早期,温度场沿长度方向变化不显著,且随着浇筑长度的增加,温度场不变;在墙体温度上升阶段,墙体内部沿长度方向的应力主要为压应力,当墙体混凝土内部温度达到最高,混凝土开始降温,结构内变形由膨胀逐渐变为收缩,内力由压应力逐渐变为拉应力,随着时间的变化,墙体内外温差趋于稳定,墙体温度应力也逐渐平稳,此时温度应力主要受外界环境变化影响;当综合管廊浇筑长度在60m范围内,浇筑长度越大,温度应力越大,但当浇筑长度超过60m,温度应力不再增加。     

《线性代数》中的形似化教学探索

《线性代数》中有些概念及性质较为抽象,直接的灌输式讲授不利于学生理解和记忆.分别针对向量组最大无关组、特征值与特征向量、方阵的相似对角化三个重要知识点,提出了形似化的教学设计方案,以期利用生活化的类比和设计帮助学生厘清概念及性质内在的逻辑关系,深化学生对知识的理解,进而真正实现知识的内化.     

关于一道研究生入学考试线性代数题的探讨

从2020年全国硕士研究生入学考试的一道线性代数题的解法出发,考虑了一个更一般的关于矩阵特征多项式的问题,并对该问题给出了回答.     

硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究

本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,对其变温变电流电致发光(EL)特性进行了研究. 结果表明:当环境温度不变时,在13 K低温状态下铜基板芯片的EL波长始终大于硅基板芯片约6 nm,在300 K 状态下随着驱动电流的加大铜基板芯片的EL波长会由大于硅基板芯片3 nm左右而逐渐变为与硅基板芯片重合;当驱动电流不变时,环境温度由13 K升高到320 K,两种基板芯片的EL波长随温度升高呈现S形变化并且波谱逐渐趋于重合;在100 K以下温度时铜基板芯片的Droop效应比硅基板芯片明显,在100 K 以上温度时硅基板芯片的Droop效应比铜基板芯片明显. 可能是由于两种芯片的基板具有不同的热膨胀系数和热导率导致了其变温变电流的EL特性不同. 关键词： GaN 热膨胀系数 内量子效率 热导率     

溶解浆纤维素纤维在NaOH/添加剂水溶液中溶解效果的纤维质量分析

目前商业溶解木浆纤维素纤维的聚合度多在500~1800左右,这些浆粕的纤维素分子量具有多分散性。因此,本文以不同特征的溶解浆为纤维素纤维原料,结合纤维质量,分析讨论了NaOH水溶液中具有氢键受体物质的添加对其溶解不均一纤维素物料的影响。结果表明,与溶解纯纤维素不同,NaOH/添加剂水溶液对溶解浆纤维素纤维的溶解能力与浆纤维素纤维水溶液体系中纤维的粗度、纤维的刚硬程度和添加剂种类密切相关。混合添加剂的溶剂体系、添加少量氨基磺酸钠和环己基氨基磺酸钠的溶剂体系促进了较长纤维素纤维的溶解。     

在LiCl-KCl共晶熔体中电化学制备钬镍金属间化合物(英文)

采用循环伏安、方波伏安和开路计时电位等方法研究了Ho(Ⅲ)离子在LiCl-KCl共晶熔体中的电化学行为及Ho-Ni合金化机理。在惰性W电极上,Ho(Ⅲ)离子在-2.06 V(vs Ag/Ag Cl)发生电化学还原,该还原过程为3个电子转移的一步反应。与惰性W电极上的循环伏安相比,Ho(Ⅲ)离子在活性Ni电极的循环伏安曲线上还出现了3对氧化还原峰,是Ho与Ni形成了金属间化合物,导致了Ho(Ⅲ)离子在活性Ni电极发生了欠电位沉积。在不同的电位进行恒电位电解制备的3个不同的Ho-Ni合金,采用X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜-能谱仪(SEM-EDS)等测试手段进行表征,结果表明:制备的3种合金分别是Ho2Ni17,Ho Ni5和Ho Ni23种合金化合物。     

粒子冲击破岩的数值模拟分析

 应用ANSYS/LS-DYNA模拟粒子冲击破岩的三维非线性冲击动力学问题,得到了破岩过程中能量的转化关系以及粒子冲击破岩的演化过程,分析了粒子冲击破岩机理。模拟结果较好地反映了粒子冲击破岩的物理过程,模拟结果与实验结果基本一致,证明了模拟方法的可行性。研究结果为水力参数优选等提供一定的理论依据。     

Zn/Cu反应扩散系数的影响因素

研究了460 ℃时Zn(液)/ Cu(固)扩散偶反应扩散.利用金相显微镜、能谱仪EDS和Zn/Cu平衡相图分析研究了所出现的新相.通过非平衡态扩散边界条件,导出了各单相反应扩散系数的计算方程,并对其影响因素进行了分析研究.结果表明:各相之间反应扩散系数有较大不同,且远大于Arrhenius方程计算的扩散系数.反应扩散系数的主要影响因素是各单相相变反应速率,同时单相边界浓度和扩散时间对反应扩散系数也有一定影响.     

不同热处理的Cu-0.8Cr-0.05Y合金形变时效行为

对铸造Cu-0.8Cr-0．05Y合金采用了两种处理工艺：铸态＋固溶处理＋冷轧＋时效（工艺A）；铸态＋冷轧＋时效（工艺B）。通过对显微组织观察、硬度和导电率的分析，研究了经上述工艺处理后该合金的形变时效行为。结果表明，经工艺B处理的试样在时效过程中由于第二相析出、长大先于再结晶进行，因而具有更好、更稳定的综合性能，经90％冷轧变形，在480℃时效3min后，显微硬度可达150HV，导电率达90％IACS。     

高浓度掺铒硅的结构分析

采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子注入机.合成获得高浓度掺铒硅发光薄膜,并对其进行成分和结构分析.在小束流2.5μA·cm-2、小注量5×1016cm-2的注入条件下,Er注入单晶硅,随着退火温度升高,存在Er析出.且析出量增多.相同束流条件下,增大Er的注量也会导致Er析出,甚至出现ErSi2相.