PEO-LiC104-SiO2-SCA体系电化学性能研究

选用硅烷偶联剂(SCA)对聚环氧乙烯(PEO)基固态聚合物电解质体系进行改性.通过XRD,DSC,SEM,FTIR,EIS 和拉伸性能测试等方法对材料进行了表征,考察了SCA对电解质电化学性能和力学性能的影响;对SCA的作用进行了分析.结果显示,SCA的加入显著降低了体系的结晶度,材料的电化学性能和力学性能得到了明显的改善.PEOB-LiC1Oa-5%SiO2-SCA体系室温电导率达到9.0×10-4S/cm,屈服强度达到2.04MPa(25℃).同时,SCA使电解质膜表面变得更为光滑、致密,这有利于降低与电极片间的接触阻抗.     

白光有机发光器件的研究进展

白光有机发光器件(OLED)能够产生高效饱和的白光,且具有驱动电压低、材料柔性好、可实现大面积显示等特点,在信息显示与固态照明等领域有巨大的应用潜力.目前白光OLED主要分为单发光层、多发光层、下转换、叠层等结构,不同的结构具有各自的优势,都受到了很大关注.首先介绍了白光OLED的性能指标.接着,结合所开展的研究工作综述了白光OLED在结构和性能方面的研究进展,总结了实现高效白光OLED的各种方法,重点探讨了提高白光OLED性能的途径及所面临的挑战. 最后,展望了白光OLED的发展趋势. 关键词： 白光有机发光器件 固态照明 电致磷光 光取出     

固态检测器—ICP—AES中的计算机差谱改进技术——I.原理和实验

本文使用固态检测器－光是二极管阵列（ＰＤＡ）或电荷耦合器件（ＣＣＤ）在ＩＣＰ－ＡＥＳ上实现了无需基体浓度情况下对复杂组分中微量元素进行测定的计算机差谱改进法。用Ｃ语言编实施差谱技术以及实验室例行分析的软件，探讨了方法的原理，对Ｖ基体中Ａｌ，Ａｌ和Ｍｇ基体中Ｖ的测定结果表明，该差谱技术能准确消除复杂基体产生的光谱干扰。     

精确测量慢魔角旋转条件下碳氢偶极谱

发展了精确测量二维固体魔角旋转条件下碳氢偶极谱的方法，用以分析固体高分子分子运动，并给出了全同立构聚丙烯的实验谱.     

固态离子学及其材料与器件

 固态离子学是一门研究固态中离子运动的现象和技术的新学科.它包括从现象和原子尺度上对晶态、非晶态、有机和无机固体中离子迁移过程的理解,这些材料(称为固态离子学的材料)的特性与其它材料的特性之间的关系,对其一般和专门过程的描述,以及日益增长的许多实际应用.近年来在能量的储存和转换、环境保护领域中的许多实际应用大大加速了这一学科的研究和发展.     

氦冷固态增殖剂聚变示范堆（HCSB—DEMO）包层的概念设计与分析

1引言 聚变示范堆（DEMO）是ITER运行后下一步聚变实践发展的方向。DEMO堆的设计研发是为将来建造商用聚变堆奠定科学和一程基础，是对聚变堆相关的技术、材料、经济性、安全性、环境和废物处理各方而进行全方位的验证评估；所以DEMO堆的设计中，包层是最重要的部件之一，中子倍增和氚增殖均发生在这一区域中。     

纳米结构氧化薄膜的固态多核核磁共振研究(英文)

Knowledge of the structure of thin oxide films is very important for electrochemistry, microelectronics and catalyses. Supported oxide catalysts （supported thin oxide films） are used extensively in the petroleum, chemical and pollution control industries as catalysts for a wide range of chemically important transformations.     

无机固态材料中气体元素分析的现状与进展

本文介绍了气体元素分析样品表面处理的最新研究成果,综述了热导法、红外吸收法、库仑滴定法、飞行时间质谱法和火花源原子发射光谱法等分析方法在无机固态材料气体分析中的应用现状,分析了各自的特点及存在的问题,并展望了气体分析的发展方向(引用文献85篇)。     

Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管固态等离子体解析模型

采用横向表面PiN(SPiN)二极管构造的硅基可重构天线具有众多优于传统天线的独特优势, 是实现天线小型化和提升雷达与微波通信系统性能的有效技术途径. 本文提出一种Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管, 并基于双极扩散模型与Fletcher型边界条件, 在大注入条件下建立了二极管结电压、电流密度与本征区固态等离子体浓度分布解析模型, 并数值模拟分析了本征区长度、P⁺与N⁺区掺杂浓度、外加电压对所建模型的影响. 结果表明, 固态等离子体浓度随本征区长度的增加下降, 随外加电压的增加而指数上升, 随P⁺与N⁺区掺杂浓度的提高而上升, 电流密度随外加电压的增加而指数上升. 同等条件下, 异质SPiN二极管的固态等离子体浓度相比同质二极管提高近7倍以上. 本文所建模型为硅基可重构天线的设计与应用提供有效的参考.