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51.
采用硼氢化钠还原法合成没食子酸和对硝基苯酚双功能化的银纳米粒子(GA-PNP-AgNPs),并通过紫外-可见光谱法、透射电子显微镜和粒度仪对合成的银纳米粒子进行了表征。GA-PNP-AgNPs呈分散的球形,粒径约为21 nm,且在390 nm处有一个特征吸收峰。当Cr3+存在时,GA-PNP-AgNPs发生聚集,溶液颜色由淡黄色变为橙红色。基于此,构建了一种检测Cr3+的比色传感器,线性范围为(0.04~2.0)μmol·L-1,检测限为0.013μmol·L-1。该方法选择性较好、经济简便,能够用于水样中Cr3+的实时检测,检测结果与石墨炉原子吸收光谱法测得的结果吻合。 相似文献
52.
本文对一维常微分算子及发展微分算子提出一种基于解析多项式特解(MPPS)的求解方法,通过使用这些特解公式,将微分方程的解显式表达为多项式特解的线性组合来求解复杂的微分方程,如可以使用这些公式来求解右端具有不连续驱动项的微分系统.文中给出一系列数值例子,数值模拟结果精度很高,而且误差非常稳定. 相似文献
53.
传统的抗IgG-Fc单克隆抗体制作过程繁琐、耗时长且批间差异大,极大的限制了其应用。因此寻找一种抗IgG-Fc单克隆抗体的替代元件是十分必要的。本研究基于微孔板指数富集的配体系统进化技术(微孔板-selex),设计了针对抗IgG-Fc蛋白ssDNA适配体的筛选方案。交替包被5种IgG单克隆抗体于酶标孔作为筛选靶分子,将从靶分子上洗脱的核酸适配体作为模板进行PCR扩增,生物素-链霉亲和素ELISA测定第3,7,13,14,16,18轮筛选获得ssDNA文库与内酰胺酶单克隆抗体的结合能力,并将第19轮筛选获得的ssDNA文库进行TA克隆验证、高通量测序。经过19轮筛选,得到69796条抗IgG-Fc蛋白的适配体,选取出现频率最高的ap-1(178次)、ap-2(129次)、ap-3(58次)体外合成并在其5,端标记生物素,经ELISA鉴定3条适配体分别与5种IgG单克隆抗体有着较强的结合能力,并与3%BSA几乎不结合。Ap-1结合能力最强,被认为是本次筛选得到最佳抗IgG-Fc蛋白核酸适配体。实验结果表明本文筛选获得抗IgG-Fc蛋白的核酸适配体,具有成为抗IgG单克隆抗体替代元件的潜力。 相似文献
55.
目的研究毛冬青总皂苷对脑缺血再灌注损伤的保护作用,并初步探讨其血液微量元素的影响。方法动物随机分为假手术组、模型组、毛冬青总皂苷(高、中、低)剂量组及阳性药物对照组,运用大鼠大脑中动脉栓塞,制作脑缺血再灌注损伤模型,缺血10 min后,给药组及阳性药物组于舌下静脉给予高、中、低剂量的毛冬青总皂苷及假手术组、模型组给予等体积的溶剂。缺血60 min再灌注24 h后,每组取8只大鼠断头取脑,TTC染色,测定脑梗死体积;取血,测定血液中3种微量元素Ca、Zn、Cu的含量。结果毛冬青总皂苷组与模型组相比,毛冬青总皂苷治疗组脑梗死体积减小,病理变化较轻;模型组与假手术组比较血液中Ca、Cu含量增加明显有统计学意义,Zn含量明显降低与假手术组比较有统计学意义(P0.05),毛冬青高、中、低剂量组与模型组比较Ca、Cu含量明显降低,Zn含量明显升高,而且呈明显的量效关系,与模型组比较有统计学意义(P0.05)。结论毛冬青总皂苷对脑缺血再灌注损伤具有一定的保护作用,其保护机制与毛冬青总皂苷抗氧化作用及增强氧自由基的清除有关。 相似文献
56.
油茶(Camellia oleifera Abel.)是世界四大木本食用油料树种之一。茶油具有抗氧化、抗炎症等作用,被广泛用作食用油和辅助药物。为探究油茶果实和种子生长发育规律以及主要营养物质的动态变化,本研究以"赣石83-2"油茶为材料,采用形态学观察、石蜡切片以及气相色谱-质谱联用技术,对果实、种子形态,种子胚胎发育情况进行观察,对在种子发育后期的可溶性糖、蛋白质、脂肪酸等含量进行测定。结果表明:根据形态学观察和单果质量等变化趋势可将果实生长发育分为4个阶段,且生长发育主要集中在花后35~46周(Weeks After Flower 35~46,35~46 WAF)。种子在41 WAF时基本发育完全,胚胎发育过程依次为球形胚(29~33 WAF),心形胚(33~38 WAF),鱼雷形胚(38~41 WAF)和成熟胚(41~54 WAF)。种子发育后期检测到可溶性糖含量逐渐下降,蛋白质含量变化不明显,而脂肪酸含量不断增加。其中,油酸含量持续增加,成熟时占脂肪酸总量的79.04%,而亚麻酸、棕榈酸和硬脂酸的比例随着种子成熟而降低。本文研究结果可为油茶育种和栽培管理提供理论依据。 相似文献
57.
58.
将Si衬底GaN基LED外延薄膜经晶圆键合、去硅衬底等工艺制作成垂直结构GaN基LED薄膜芯片,并对其进行不同温度的连续退火,通过高分辨X射线衍射(HRXRD)研究了连续退火过程中GaN薄膜芯片的应力变化。研究发现:垂直结构LED薄膜芯片在160~180℃下退火应力释放明显,200℃时应力释放充分,GaN的晶格常数接近标准值。继续升温应力不再发生明显变化,GaN薄膜的晶格常数只在标准晶格常数值附近波动。扫描电子显微镜给出的bonding层中Ag-In合金情况很好地解释了薄膜芯片应力的变化。 相似文献
59.
60.