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Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献
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用生成坐标方法(GCM)~([1]_α)考虑集体3~-态与非集体粒子空穴对(ph)_(l~ )耦合模型计算了铅(208)3~-集体态的电四极矩Q_([3~-])、电八极约化跃迁几率B(E3)和跃迁密度ρ_(3~-)~(tr)随核的径向距离r的变化曲线。结果是:Q_([3~-])=-0.098eb,B(E3)=38w.u.。计算中没有像通常那样假设一个有效核子电荷而是在GCM框架下考虑核心激发进行微观计算,其结果与实验符合,说明GCM能够对核元激发的耦合作微观研究。 相似文献
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本文采用不同的两体力对Pb208的1-态及其E1跃迁做了粒子空穴计算,对Hg200、Pt194、W184等核,以BCS波函数为基矢也做了同样的计算。计算结果与实验结果在总的趋势上是相符的。此外,计算指出了低l组态的E1跃迁从巨共振的退耦合和低能处的自旋-同位旋振荡以及表明了自旋轨道耦合力对矮共振的影响。 相似文献
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