基于回声增强高次谐波产生的双色自由电子激光

基于回声增强高次谐波产生，提出了能够产生软X射线波段双色自由电子激光脉冲的方案，并对该方案进行了理论模拟和关键技术研究。研究给出了双色种子激光的产生方案，搭建了双色种子激光系统，该系统可以产生中心波长分别为264.8 nm和265.3 nm、脉冲延时可调的双色种子激光。基于该双色种子激光，在模拟中最终可以得到波长分别为5.884 nm和5.894 nm、峰值功率约为300 MW、脉冲延时可调的软X射线双色自由电子激光辐射脉冲。     

基于组合赋权VIKOR法的制造型中小企业综合质量评估

为了准确评估制造型中小企业的综合质量水平并解决其生产经营管理中存在的问题,文章提出基于组合赋权VIKOR法的中小企业综合质量评估方法.参照质量管理体系要求,结合制造型中小企业的特点,设计了包含质量认证、质量监管、创新及发展能力、财务质量、社会声誉五个维度的综合质量评估指标体系,并使用改进后的信息重叠指标筛选方法优化指标;结合AHP和CRITIC法进行指标权重赋值,并应用VIKOR法计算中小企业利益比率值,实现中小企业综合质量评估.选取电子行业119家中小企业为例,采用文章提出的综合质量评估方法进行实证研究,研究结果表明基于文章提出的综合质量评估方法的结果与样本企业质量发展的客观现状具有良好的一致性,验证了文章方法的有效性.     

10 nm金属氧化物半导体场效应晶体管中的热噪声特性分析

随着金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件等比例缩小至纳米级的较小尺寸,一方面导致的短沟道效应已严重影响热噪声;另一方面使栅、源、漏区及衬底区的热噪声占有比越来越高,而传统热噪声模型主要考虑较大尺寸器件的沟道热噪声,且其模型未考虑到沟道饱和区.本文针对小尺寸纳米级MOSFET器件,并根据器件结构特征和热噪声的基本特性,建立了10 nm器件的热噪声模型,该模型体现沟道区、衬底区及栅、源、漏区,同时考虑到沟道饱和区的热噪声.在模型的基础上,分析沟道热噪声、总热噪声随偏置参量及器件参数之间的关系,验证了沟道饱和区热噪声的存在,并与已有实验结果一致,所得结论有助于提高纳米级小尺寸MOSFET器件的工作效率、寿命及响应速度等.