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401.
本文建立了一套较为全面地描述铜蒸汽蒸光器横向泵浦的染料激光放大器中各种效应的速率方程。首次计算、分析了泵浦光纵向分布在不同输入信号下对转换效率的影响,并且讨论了所得结果对于设计和改进染料激光放大器的理论指导意义。 相似文献
403.
利用Higashi芳香聚酯直接缩聚法的原理,采用分步投料的方法,以N,N′-1,6-亚己基-双苯偏三酸酰亚胺二酸(IA6)、6-羟基-乙-萘甲酸(HNA)和4,4′-二羟基二苯酮(DHBP)为单体原料,合成了一系列聚酯酰亚胺共聚物.用核磁共振(NMR)、差热分析(DSC)、偏光显微镜(PLM)、广角X射线衍射(WAXD)、热重分析(TGA)等手段对所合成的聚酯酰亚胺的液晶行为、结构以及热性能进行了表征.研究结果表明,当HNA投料量占单体总投料量高于33mol%时,所得聚合物均呈明显的向列型热致液晶特性.但是,此类液晶聚合物仅在升温过程中出现液晶的相转变,而在降温过程中并未观察到液晶的相转变行为.由DSC结果分析可知,此类聚合物具有较高的玻璃化转变温度(Tg)和较低的熔融温度(Tm),有望成为一类既具有较低加工温度又有较高使用温度的液晶聚合物材料. 相似文献
404.
采用电化学石英晶体微天平(EQCM)技术研究了Britton-Robinson(B-R,pH=1.8~11.2)缓冲溶液和H2SO4介质中电镀铂/金的金电极上As(Ⅲ)的循环伏安行为。通过实时监测EQCM频率等参数的变化过程并利用预电沉积As(0)放大电极响应信号,考察了两电极上As(0)的电沉积、As(Ⅲ)和As(Ⅲ)组分的吸附特性以及As组分电化学行为的pH依赖性。主要结论如下:(1)As(0)在两电极表面均可电沉积,但在镀铂金电极上更明显,且足量电沉积的As(0)的电氧化过程出现外/内层As(0)依次氧化的两个电流峰;(2)As(Ⅲ)在镀铂电极上可强烈吸附,且被氧化成As(Ⅲ)时解吸,而镀金电极上As(Ⅲ)和As(Ⅲ)的吸附能力均很弱;(3)在pH=1.8的B-R缓冲溶液和0.1 mol/L H2SO4介质中,镀铂/金电极上As(Ⅲ)的电催化氧化电流趋于最大。通过As(Ⅲ)在镀铂/金电极上的吸附预富集和随后的电催化氧化溶出,提出了高敏检测As(Ⅲ)的线性扫描伏安法,检测灵敏度提高约40倍。 相似文献
405.
406.
407.
408.
采用高温固相反应法制备了不同浓度Si-N共掺的CaAl2O4:Eu2+蓝色荧光粉,发现只需2%(摩尔分数)的Si-N共掺就可以明显提高荧光粉的荧光性能。研究还发现在CaAl2O4:Eu2+,Sm3+中掺入Si-N后,荧光粉的荧光强度和余辉性能都有提高。通过荧光粉的光谱图,发现共掺没有改变荧光粉中发光中心Eu离子的价态,而电子顺磁共振(EPR)谱则表明,Si-N共掺对Eu离子周围的配位环境产生了较大的影响。这说明掺杂的Si-N倾向于取代Eu2+附近的Al-O,并且由于Si-N键相对于Al-O键具有较短的键长,使发光中心周围晶体骨架的刚性得到了增强,从而减少了晶格热震动导致的非辐射跃迁能量损失,提高荧光粉的发光性能。同时,热释光谱表明,掺杂的Si-N会在发光离子周围产生新的缺陷能级,从而提高荧光粉的余辉性能。 相似文献
409.
压致变色聚集诱导发光材料 总被引:1,自引:0,他引:1
聚集诱导发光化合物分子具有特殊的螺旋桨形扭曲构象结构, 导致其很难在结晶状态下进行紧密堆砌, 使得其结晶结构容易在外力的作用发生改变, 致使其分子能级水平和发光光谱发生变化, 产生压致发光变色现象. 因此, 聚集诱导发光化合物是压致发光变色材料的一个重要来源. 压致变色聚集诱导发光材料是一类重要的压致发光变色材料, 其既具有压致发光变色的性能, 又具有聚集诱导发光的性能. 它是一类智能材料, 在应力传感、商标防伪和发光器件等领域具有重要的潜在应用, 近年来受到人们极大的关注. 本文分类介绍了近年来压致变色聚集诱导发光材料的研究进展. 相似文献
410.
研究一类具连续分布时滞的二阶半线性阻尼微分方程,利用Yang不等式、广义Riccati变换和H函数,给出了此类方程所有解振动新的充分条件,所得结果推广和改进了已有文献的结果. 相似文献