BMAP的轨道分析和Q过程的伴随MAP

本文用轨道分析方法研究批量Markov到达过程(BMAP),有别于研究BMAP常用的矩阵解析方法.通过BMAP的表现(D_k,k=0,1,2,…),得到BMAP的跳跃概率,证明了BMAP的相过程是时间齐次Markov链,求出了相过程的转移概率和密度矩阵.此外,给定一个带有限状态空间的Q过程J,其跳跃点的计数过程记为N,证明了Q过程J的伴随过程X*=(N,J)是一个MAP,求出了该MAP的转移概率和表现(D_0,D_1),它们是通过密度矩阵Q来表述的.     

二次型在N重广义积分计算中的应用

积分上下限皆为无穷的N重广义积分，在工程技术特别是在要概率论与数理统计中有着重要应用，但传统的积分方法对这类积分往往难以奏效，本文介绍一种利用二次型理论计算这类广义积分的方法。     

全芳共聚酰胺序列结构的计算及其溶致液晶行为

从芳香二酰氯与芳香二胺反应本质入手，解决了各种加料方式得到的全对位、全芳香共聚酰胺的序列结构问题．提出一个较为直观的模型，并用此模型很好地解释了共聚酰胺浓硫酸溶致液晶行为受序列结构影响的原因．揭示液晶行为与序列结构之间的关系     

铜蒸汽激光器(CVL)的光脉冲改善及其特性研究

本文通过分析铜蒸汽激光器的工作原理,改善了CVL光脉冲形状并缩短了光脉冲宽度,测量了CVL光脉冲的晃动并证实CVL光脉冲晃动主要由闸流管引起.     

A Simple Proof for a Theorem of Kelisky and Rivlin

Theorem (Kelisky and Rivlin) Let f(x) be a function defined in [0,1] and B_n(f(x))=sum from k=o to n (f(k/s)(?)x~k(1-x)~(n-k)) be the nth Bernstein polynomial of f(x). Then lim B~l(f(x))=f(0)+(f(1)-f(0))x. Proof We can assume f(0)=0, Let φ_i(x) and ψ_i(x)(i=1,2,…,n) be Bernstein basis polynomials and Bezier basis polynomials respectively. Let n×n matrices     

一类不等式

<正> 本文首先将(2)换为下面的(4),然后将(3)推广,导出一类不等式. §.2 本文采用记号如下: S_n为n元集{1,2,…,n}上的全体置换所组成的置换群,G为S_n的一个子群. x=(x_1,x_2,…,x_n),α=(α_1,α_2,…,α_n),β=(β_1,β_2,…,β_n)等均为n维欧氏空间中的点,并且不作特别申明时约定各个分量为正.     

电流型聚吡咯碘离子化学修饰电极的制备与性能研究

在玻碳电极(GCE)表面上修饰了一层导电聚合物 聚吡咯(Ppy)薄膜,用循环伏安法制备了新型的基于电流响应的掺杂碘离子的聚吡咯修饰电极;研究了电极的电化学特性。此修饰电极对碘离子的响应是基于碘离子在Ppy膜与电解质溶液中的掺杂平衡以及Ppy膜中的碘离子在修饰电极表面的氧化还原过程;制成的电流型电极对5 0×10-2mol/L～1 0×10-5mol/L的碘离子呈良好的线性响应关系,检出限为6 0×10-6mol/L。     

交替共聚中的自由单体—络合理论

自由基交替共聚理论是共聚合研究中的重要理论问题。本文从交替共聚各种理论中整理出自由单体－络合理论，并从机理、共聚组成和动力学等几方面进行分析和综述，认为该理论能比较全面、真实地反映交替共聚的机理。     

电沉积制备p型CuInSe_2薄膜

CuInSe_2化合物半导体的禁带宽度适中,是一种较理想的光电转换材料,有关它的研究已有报导.本文用电沉积法初步制得ρ-CuInSe_2薄膜,并观察到有光电效应.此法设备及工艺简单,具有发展前途. 用0.5cm~2钛片或镍片作基底.钛片在12ml HNO_3(比重1.4),3mlHF(40%),15ml蒸馏水组成的侵蚀液中在60—80℃下侵蚀4分钟;镍片在0.3NHNO_3中浸15分钟.皆用水洗净后待用. 将200ml所需浓度的InCl_3溶液分成两份,一份中加5滴NH_4OH和适量CuCI,另一份中     

电感耦合等离子体发射光谱粉末进样法测定粮食及茶叶中微量元素的研究

本文探讨了 ICP-AES 粉末法分析大米,小麦及茶叶中微量元素的条件。试样的基体成分不同,但用粉末进样器和封闭式 ICP-arc 双放电装置,在选定的条件下,只用淀粉基体的标准即可进行分析。并用空间温度分布及抑制粒度效应等数据说明其合理性.