六方碳化硅中的深能级缺陷

文章作者利用深能级瞬态谱(DLTS)，正电子湮灭谱(PAS)和光致荧光谱(PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷、这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照，或氦离子注入等产生．经过研究和分析各种实验测试的相关图谱，作者给出了六方碳化硅中一些重要的深能级缺陷在可控辐照条件下产生和退火行为的研究结果以及这些深能级缺陷相关结构的实验依据．     

红外反射法研究6H-SiC表面热氧化生长的SiO_2特性

本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm-1附近红外反射峰的漂移情况,分析了SiO2的密度变化。密度的变化反映了退火中SiO2中的C和CO的扩散以及空位型缺陷的退火过程。     

南海深海声道中反转点会聚区的实验研究

本文介绍了1983年10月在南海深海声道中进行的一次综合性爆炸声传播实验的结果,目的在于研究水下声道中反转点会聚区的特性。用反转点会聚区的渐近理论以及P-E法对声场进行了计算,实验得到的会聚区位置及会聚增益与计算结果很好符合。     

伽玛辐照对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响

 研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过10⁴ Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是由于辐照产生的缺陷引起发射区和集电区有效掺杂浓度减小所致。     

柱状药包爆炸应力场及在地下中深孔爆破中的应用

针对球形集中药包理论指导中深孔爆破设计时与实际情况严重不符的现状,设计了2种实验模型,采用全息激光动光弹法进行了模型实验,研究了球形药包与柱状药包爆炸应力场、柱状药包在不同起爆位置时的爆炸应力场.将实验结果与现场实际情况相结合,通过对排距(最小抵抗线)、孔底距和炸药在孔内起爆位置进行的44排拟水平现场正交实验,确定了合...     

喷墨打印有机晶体管早期失效机理的光谱学研究

喷墨打印工艺是新兴的有机电子器件制造核心技术之一,而聚合有机半导体材料的选择从一定程度上决定了其可打印性和所制造器件的工作性能,因此变得极其重要。本文对PTAA(Polytriarylamine)这种聚合有机半导体材料进行了研究。用PTAA喷墨打印技术制备出了具有一定MOSFET器件特性的有机晶体管(OFET)并对其电学特性进行测试分析,利用红外光谱技术对PTAA材料在器件工作中所表现出的早期失效现象进行研究。     

利用天顶光光谱和天空光光谱测量大气NO_2含量和角空间分布

研究了一种用地基天顶光-天空光光谱数据反演大气NO2倾斜柱体密度的有效方法。利用该方法计算了同一方位不同倾角（10°～85°）下的倾斜柱体密度（在0.5～11×1016 molecule·cm^-2范围）,以及同一倾角不同方位的NO2倾斜柱体密度（1016～1017molecule·cm^-2量级）。结果与实际大气状况有很好的相关性。不同方位及倾角的NO2倾斜柱体密度不同,体现出角空间分布特征。该方法中,由同一仪器同时采集天顶光光谱和其他方向的天空光光谱,提高了测量准确度。该方法有利于实时监测空间任意方向NO2的含量,尤其靠近地面的NO2局部污染,更适合多阴雨地区（在地面上很难采集到良好的直射太阳光谱）的污染监测。     

利用断裂反应合成1,3-二(2-羟基-3,5-二叔丁基苄基)咪唑鎓氯盐

4,6-tBu2-1-(HO)C6H2CH2Cl与1,1'-羰基二咪唑反应成功地合成双阴离子芳氧功能化的氮杂环卡宾前体[[2-HO-3,5-tBu2-C6H2CH2]2{CH(NCHCHN)}]CI(I),结果表明在反应过程中发生了断裂反应。化合物I通过元素分析,1HNMR和X-ray衍射进行表征。晶体结构表明其晶体属三斜晶系,空间群为P-1,化学式为C33H49ClN2O2,晶胞参数为a=12.014(3),b=16.757(3),c=19.191(4),α=94.836(4)deg,β=92.658(4)deg,γ=92.631(4)deg,V=3840.8(14)3,Z=2,最终R=0.092,wR=0.291。     

一种新型硅基3C-SiC的生长方法及光谱学表征

采用LPCVD技术, 以CH4和H2混合气体为反应源气, 在n-Si（111）衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体, CH4作为碳源, 硅源有衬底硅来提供。利用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱分别研究3C-SiC薄膜的晶相结构、表面形貌及其光谱性质。结果表明此生长方法可以成功的成长出3C-SiC薄膜。     

6H-SiC辐照特性的低温光致发光研究

本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光中心。我们发现D1中心与深能级瞬态谱(DLTS)的E1/E2深能级对具有不同的退火行为,这否定了它们源于相同的辐照诱生缺陷的观点。D1中心可能源于由空位和反位组成的复合体。