电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏

 利用时域有限差分（FDTD）方法,对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟,得到了无负载半导体pn结器件在快前沿（ns量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为,及由于电流引起的器件烧毁过程中器件参数的变化情况。     

高功率微波脉冲宽度效应实验研究

 根据部分高功率微波效应实验结果,初步总结了微波脉冲宽度与效应物扰乱阈值的关系,主要结论是：效应物的扰乱阈值在其它条件固定的情况下随脉宽的增加而降低,但存在一拐点区域,在拐点区域以后脉宽再增加则扰乱阈值不再发生明显变化。     

螺旋线型μs量级高压长脉冲形成线设计北大核心

详细介绍了一种螺旋线型μs量级高压长脉冲形成线的设计方案,率先将螺旋线的结构形式应用于μs量级高压长脉冲发生器设计。形成线的内导体为螺旋线,工作介质为去离子水,形成线的等效电容为41.25 nF,等效电感为6.06μH,特性阻抗为12.1Ω,输出脉冲宽度1μs,最高充电电压1 MV,最大储能20.6kJ,匹配状态下输出电压约500 kV。设计结果表明:与采用传统的单筒直线结构相比,在获取同等脉冲宽度的条件下,采用螺旋线结构可使脉冲形成线的长度缩短75%左右。     

X波段高功率微波对介质窗材料的破坏现象

 在X波段微波源（频率9.4 GHz,功率1 GW）下,对4种典型介质窗材料（聚四氟乙烯、有机玻璃、低密度聚乙烯及高密度聚乙烯）在真空中进行了微波放电击穿实验,同时考虑了材料的不同表面处理工艺（表面刻槽和抛光）对其击穿特性的影响,对微波击穿后样品的表面形貌进行了宏观和微观分析,实验观测到:介质表面出现了沿微波电场方向的明显树枝状破坏现象,且材料表面处理工艺对其击穿破坏程度有显著影响,认为树枝状破坏通道与施加的微波场有着密切的关系。通过观察透明有机玻璃内部的树枝状破坏,发现树枝既沿介质表面生长,同时也向介质内部发展。提出了微波作用下介质窗击穿破坏的物理模型,认为微波电场导致树枝状破坏沿电场方向发展,而微波磁场导致树枝状向介质内部发展,并进一步给出了树枝状破坏起始和发展的可能原因。     

MgFe2O4纳米颗粒及其气敏性研究

利用Sol-gel燃烧法合成氧化物MgFe2O4对氯气有很高的灵敏度,并利用XRD对产品的物相进行了分析;用TEM对粉体晶粒和形貌进行检测,将产物粉体制成气敏元件,采用静态配气法在气敏测试仪上进行了灵敏度和响应-恢复曲线的测试,研究证明镁铁复合氧化物对氯气有很好的气敏特性。     

压缩感知计算随机表面的微波散射

选择谐波函数作为散射源的表征基函数,利用随机矩阵进行观测,实现了对散射源的稀疏表征,最后通过正交匹配追踪算法解算出表面散射源.利用压缩感知—正交匹配追踪算法与直接求解矩阵方程所得到的散射远场分布一致.     

全局同胚定理和Duffing方程的2π周期解

D.E.Leach[3]证明了下述定理：证明了一个同胚定理，利用它证明了方x"＋g（x）=e（t）的一个2π周期解的存在性和唯一性定理．所证明的定理是上述定理的一个推广．     

一个Mini Max定理和一类二阶Hamiltont系统的解的唯一性5

推广了Stepan A．Tersian的关于g（u）=2^-1（Au，u）-Ф（u）型泛函的一个Mini Max定理．利用这一推广了的MiniMax定理，研究了一类受迫振动下二阶Hamilton系统的边界值问题的解，获得了这类二阶Hamilton系统边界值问题的解的一个唯一性定理．     

X波段百兆瓦级高功率微波合成器设计及实验研究

介绍了一种极化正交全耦合型高功率微波(HPM)合成器,其主要用途是实现两路HPM分时共用一个天线辐射.合成器主要由输入段、耦合段及输出段三部分组成,利用该合成器能够实现一个吉瓦级HPM脉冲序列和一个百兆瓦级HPM脉冲序列由一个公共端口共同输出.合成器输入段有与主通道及副通道相连的两个输入端口,合成器的主通道与公共输出口直接相连,副通道利用连续长缝结构将能量耦合进入主通道经公共输出口输出.利用数值模拟方法对合成器进行了优化设计,合成器主通道的能量传输效率可达99%以上,副通道的能量耦合效率可达96%以上.建 关键词： 高功率微波 合成器 耦合波     

大孔径大靶面昼夜型监控镜头光学系统设计

为了满足交通监控对图像质量不断提高的要求,设计了一款大孔径、大靶面、昼夜型光学系统。采用近对称结构,调整第一组元结构参数,平衡昼夜共焦面的设计思路,较好地控制了垂轴像差和离焦量,实现了大孔径、大靶面、昼夜型光学系统的设计要求。成像系统对可见光和近红外波长0.79 m进行了双重组结构优化设计,实现了日夜离焦量小于0.005 mm,在空间频率为130 lp/mm时,全视场MTF＞0.3。对该光学系统进行容差分析和讨论,提出把控元件偏心公差可有效抑制由于生产制造使得实际成像和理论成像偏差过大等问题。