花丝内插物强化竖直管内凝结换热的实验研究

1前言大空隙率多孔体管内插物-绕花丝内插物，被认为是强化管内凝结换热的最有效途径之一[1]．但以往的研究，由于实验雷诺数范围较小，蒸汽速度较低，要正确全面评价其性能尚显不够。本文在原有工作的基础上，进一步完善了实验系统，改进了测试手段，扩大了实验雷诺数范围，并测试了其阻力性能，对花丝内插物强化管内凝结换热进行了较深入全面的实验研究，以全面评价花丝内插物对管内凝结换热的强化效果。2实验系统本文实验系统如图1所示。实验段是一个竖直套管冷凝器，如图2所示．本试验研究蒸汽完全凝结时的传热。凝结水流量采用容积法计…     

用Josephson结电子模拟器测量磁通量子2e/h

介绍用Josephson结电子模拟器在政党温度下，模拟测量磁通量子2e/h，用模拟器来研究Josephosn结的特性。该实验可作为普通物理实验中课题设计实验的一个内容。     

采用MSDI严格角动量投影46Ti、48Cr形变HF谱

采用修正的表面δ相互作用(MSDI),以球形壳模型单粒子态作基矢,对fp壳层区偶偶核⁴⁶Ti、⁴⁸Cr进行形变Hartree–Fock(HF)计算,并用形变HF单粒子态构造Slater行列式波函数,即形变HF内禀态,然后对其实施严格角动量投影程序,得到比较合理的结果.     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

Yb:FAP和Yb:C3S2-FAP晶体光谱的温度特性和选择激发

关键词：     

PDT光敏剂HA在不同液相体系下的光谱特性研究

为了对候选光敏剂竹红菌甲素(HA)进行改性并保持其优异的敏化特性,对HA的光谱特性和激发态性质作了进一步的指认。系统研究了HA在不同液相体系下的吸收和荧光光谱,对指认HA的光谱和电子跃迁的机制提出了新的依据,结果表明,吸收带I产生于π-π*跃迁,吸收带Ⅱ和Ⅲ产生于P-π共轭所导致的L→aπ跃迁的电子振动结构;荧光发射带I和Ⅱ是产生于同一跃迁机制S1(L,aπ)→S0的正常荧光的振动结构。     

第一届掺杂纳米材料发光性质学术会议

该会议为中国物理学会发光分会、中国稀土学会发光专业委员主办的国内首次纳米材料发光性质专题学术研讨会，旨在通过大会报告、专题研讨等活动，总结、交流近年来掺杂纳米发光材料及其相关应用领域所取得的研究进展和成果。在此基础上凝练科学目标、探讨和规划未来的学科发展方向并集中国内的优势资源攻克难点的科学问题，使我国在该研究领域更具国际竞争力。会议诚邀请该领域知名的专家和学者参加；在探索纳米世界之余，也将带您领略海南美丽而独特的自然景观和人文奇迹。