激光二极管相对于铯饱和吸收D2线的无调制扰动三次谐波锁频

将频率调制加在声光调制器上 ,用三次谐波探测法获得了铯原子D2 线的三阶微分饱和光谱。采用这种激光器无调制扰动方案结合三次谐波锁频技术 ,实现了 85 2nm的分布布拉格反射器半导体激光器相对于 6S1/2 F =4- 6P3 /2 F′ =5超精细跃线的频率锁定。由锁定后的频率误差信号估算 ,10s内激光频率起伏小于± 35 0kHz ,相对频率稳定度约 1× 10 -9。这种无调制扰动方案可以消除一般的饱和吸收稳频方法中由于直接对激光器进行频率调制而带来的额外频率噪声 ;三次谐波锁频技术的应用 ,还可有效地降低铯原子饱和吸收谱中剩余多普勒背景的影响     

一类平面四次系统的极限环

本文对反应机理为背景的一类平面四次微分系统进行定性分析,研究了极限环的不存在性、存在性以及极限环的唯一性、单重性.     

非线性饱和性对双折射光纤中孤子传输特性的影响

本文采用拉格朗日近似方法讨论了非线性的饱和性对双折射光纤中孤子传输特性的影响,给出了存在非线性的饱和性时入射到双折射光纤中的光脉冲演化成束缚孤子对的阈值条件。研究结果表明,与不计入非线性的饱和性相比,在计入非线性的饱和性时,入射脉冲的振幅阈值要增大。     

距离-边数拓扑指数: 饱和链烃类化合物的结构/性质相关性研究

本文提出一种新的拓扑指数——距离-边数拓扑指数S_q,并用于研究饱和链烃类化合物的理化性质,获得比较满意的结果.与其它已有的拓扑指数比较,该指数结构选择性和相关性好,并且计算更加简便.     

饱和光纤中的各阶孤子及孤子相互作用

首先研究了非线性饱和光纤中各阶孤子存在的幅值范围，与标准非饱和情况的非线性薛定谔孤子非常不同，即一阶孤子幅值范围是１．４≤Ｎ≤∵．０，二阶孤子为４．０≤Ｎ≤♀．０，三阶孤子为７．０≤Ｎ≤≤１５．０，并分析了各阶孤子的传输特性，最后研究了双一阶孤子相作用的若干特点，明确了五个方面的特性。     

一类混合指数型积分算子与 Besov型空间

本文研究一类混合指数型积分算子与 Besov型空间的关系 ,重点探讨了该算子关于 Besov型空 间的饱和性 .     

饱和放大情形下光纤参量放大器的增益和带宽特性研究

利用龙格库塔法数值求解非线性耦合方程,研究了单抽运光纤参量放大器在增益饱和区的增益谱特性.通过比较考虑抽运光损耗与忽略抽运光损耗增益谱的差别,分析了抽运光损耗对增益谱的影响.此外,给出了在饱和放大区,信号光的增益谱与光纤长度、输入信号光功率、抽运光波长与零色散波长偏离之间的关系.发现在饱和放大区,增益的整体水平有所下降,增益谱的可用带宽相对于小信号放大有所减少,增益谱在可用带宽范围内出现了旁瓣.这些结果将对工作在饱和放大区的单抽运光参量放大器的设计提供有益的帮助.     

直接扣除法测量半导体光放大器频率响应

在光电子器件散射参量定义的基础上建立了基于直接扣除法的半导体光放大器频率响应测量系统,测量中通过扣除激光器和探测器系统的频率响应,得到放大器固有的频率响应。对InGaAsP体材料行波腔半导体光放大器样品进行了测量,得到了放大器在不同注入光功率和不同偏置电流下的频率响应曲线。这些曲线很好地反应了半导体光放大器的增益饱和和噪声特性,进一步分析发现半导体光放大器对低频调制信号的放大能力弱于对高频信号的放大能力,分析认为其原因在于半导体光放大器的载流子寿命有限导致低频信号长时间消耗载流子时,载流子数量无法及时恢复,从而使得增益降低。     

济南地区表层土壤及沉积物中饱和烃分布特征及源解析

研究了济南地区不同功能区的表层土壤及沉积物中饱和烃的组成和分布特征,在此基础上初步分析了其来源.结果表明,饱和烃主要有正构烷烃、类异戊二烯、环烷烃等组成,正构烷烃碳数分布范围为n-C10-n-C34,类异戊二烯类主要是姥姣烷、植烷及甲基C13-C17烷等,同时还检出烷基环己烷,甾烷、三萜烷及藿烷等环烷烃.饱和烃总体含量分布为北高南低,北部化工区、高速入口处等饱和烃主要来源于原油或成品油等化石燃料及其燃烧产物;南部山区、水库沉积物及农田土壤等饱和烃主要来源于化石燃料的燃烧及高等植物.     

应用化学势曲线对气液相平衡和质量转移问题的分析

提出应用化学势与压强的关系曲线分析曲面气液两相的相平衡及物质质量转移问题的方法.通过曲线描述,提供了关于相平衡、弯曲液面饱和蒸气压以及蒸发、凝结等规律比较直观的物理图像.