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Wide-Band Polarization-Insensitive High-Output-Power Semiconductor Optical Amplifier Based on Thin Tensile-Strained Bulk InGaAs 总被引:2,自引:0,他引:2 下载免费PDF全文
A polarization-insensitive semiconductor optical amplifier (SOA) with a very thin active tensile-strained InGaAs bu/k has been fabricated.The polarization sensitivity of the amplifier gain is less than 1 dB over both the entire range of driving current and the 3dB optical bandwidth of more than 8Onto.For optical signals of 1550nm wavelength,the SOA exhibits a high saturation output power 7.6dBm together with a low noise figure of 7.SdB, fibre-to-fibre gain of 11.5dB,and low polarization sensitivity of 0.5dB.Additionally,at the gain peak 1520nm,the fibre-to-fibre gain is measured to be 14.1 dB. 相似文献
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低气压微波感耦氩等离子体空间分布特性光谱诊断 总被引:3,自引:3,他引:0
用二维光学多道分析仪研究了低气压表面波型微波感耦氬等离子体的光谱辐射特性?鼳bel反演后,得到了在各种气压和微波功率下等离子体辐射光强和激发温度的空间分布及其变化规律。讨论了此等离子体的激发机理。 相似文献
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ICP/AES操作条件及氢化物发生条件对As,Se和Ge光谱信号影响的… 总被引:1,自引:1,他引:0
本文较系统地研究了ICP/AES操作条件及酸介质。HaBH4溶液溶度对As,Se和Ge谱线强度以及信背比的影响,讨论了这些元素的最佳检测条件,考察了一些共存元素对氢化物光谱信号的影响,观察到As,Se和Ge氢化物发生中Ge的光谱信号的一些特殊行为,及Cu对Ge的氢化物光谱信号的增强。 相似文献
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