Level structure of 159Lu

The high-spin states of ¹⁵⁹Lu were populated by fusion-evaporation reaction ¹⁴⁴Sm (¹⁹F, 4n) with beam energy 106 MeV. A new level scheme was established, which consists of the yrast band with negative parity, the octupole vibration band based on the states and quasipartical band with positive parity. The high spin states of ¹⁵⁹Lu were discussed by systemic characteristics.     

稀土钇、镧掺杂TiO2薄膜的拉曼谱分析

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上用旋涂法制备了未掺杂、掺杂钇和掺杂镧的TiO₂薄膜样品,对样品在700—1100 ℃范围内进行退火处理,并对样品的拉曼光谱进行了分析.分析表明:随着退火温度的升高,未掺杂TiO₂薄膜发生了从锐钛矿相经混相最终向金红石相的转换,掺杂钇和掺杂镧对TiO₂薄膜的晶相转换起阻碍作用,掺杂镧的阻碍作用更强;稀土掺杂能使TiO₂薄膜晶粒细化,并使晶粒内部应力增大从而阻碍晶格振动,掺杂镧比掺杂钇的效果 关键词： 2薄膜')" href="#">TiO₂薄膜 稀土掺杂 拉曼光谱 溶胶-凝胶     

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介绍了以Siemens S7-300PLC为控制核心的HL-2A装置电子回旋共振加热控制与保护系统的设计与实现。系统采用了基于工业以太网的分布式结构,使用VFC/FVC电路和光纤隔离技术传输高电压/大电流的测量与控制信号,确保了控制系统运行的电气安全性,增强了信号传输过程中的抗干扰能力;加热系统的保护采用基于CPLD/FPGA实现的快速保护技术。实验证明该控制与保护系统具有兼容装置现场强电磁干扰的能力,运行稳定可靠、功能完善并具有良好的扩充性能。     

Raman-Assisted Passively Mode-Locked Fiber Laser

We propose and demonstrate a Raman-assisted passively mode-locked Yb-doped fiber laser in a normal dispersion regime. A section of highly nonlinear fiber is adopted to enhance the nonlinearity to extend the bandwidth of the gain spectrum by the stimulated Raman effect. The mode-locked fiber laser emits a broad spectral bandwidth of 64 nm at the-20 dB level and a highly stable pulse operation with a signal-to-noise ratio of 77 dB.     

石墨烯纳米片磁有序和自旋逻辑器件第一原理研究

尺寸效应和拓扑阻挫能够在有限石墨烯纳米片段中形成磁有序,本文对能够产生大自旋或电子自旋反铁磁耦合的石墨烯有限片段进行合理分类,提出几种能够作为基本逻辑门的特殊结构并对其进行第一原理电子结构计算,为设计高密度超快自旋器件提供了有效方案和理论依据.计算结果证明：基于有限石墨烯片段的逻辑门结构能够在室温下进行错误率较低的可纠错运算.     

基于响应面法的V带轮多目标优化设计

在设计V带轮初始阶段引入结构轻量化思想,利用PTC Creo与ANSYS Workbench无缝连接技术建立V带轮的简化三维模型和有限元模型,对其进行静力强度分析和前6阶模态分析。首先运用拓扑优化方法对V带轮进行初步轻量化设计;然后根据拓扑结果对带轮结构优化并二次设计后,以V带轮质量、最大应力、最大变形以及前六阶固有频率为目标函数,对其进行多目标函数的响应面法优化;最终,在满足带轮强度、刚度的前提下,使V带轮质量减小了44.498%,并降低了带轮结构固有频率,避免共振。结果表明:运用响应面法联合拓扑优化方法对V带轮进行优化设计可行且有效,具有较强的工程实用性。     

2018年9期电子期刊

采用高温固相法在1 150℃下经二次煅烧合成了双钙钛矿型的红色荧光粉Sr₂ZnTeO₆∶xEu³⁺（x=0.05-0.40）,并进行了相组成、发光性质和热稳定性的研究。结果表明,所合成的Sr₂ZnTeO₆与Sr₂ZnWO₆具有相同的结构,掺杂离子的加入没有改变相结构。样品的激发光谱由电荷迁移带和Eu³⁺离子的特征激发峰组成,主激发峰位于464 nm（⁷F₀→⁵L₆）。样品的发射光谱位于614 nm（⁵D₀→⁷F₂）。Sr₂ZnTeO₆∶xEu³⁺荧光粉的发光强度随着Eu³⁺离子的掺杂,先增大后减小,在x≥0.25时,发生浓度猝灭现象。通过变温荧光发现它具有非常好的热稳定性。由于荧光粉的最佳激发位于464 nm,因而可以用于蓝光激发下的白光LED的红色荧光粉。     

Tm3+在二苯甲酰基甲基亚砜配合物体系中对Dy3+的荧光增强效应

合成了六种高氯酸掺杂稀土(Dy³⁺,Tm³⁺)与二苯甲酰基甲基亚砜的配合物。经元素分析、稀土络合滴 定、摩尔电导率及差热-热重分析,表明配合物组成为 (Dy_x,Tm_y)L₅(ClO₄)₃·3H₂O(x : y=1.000 : 0.000,0.995 : 0.005,0.990 : 0.010,0.950 : 0.050,0.900 : 0.100,0.800 : 0.200;L=C₆H₅COCH₂SOCH₂COC₆H₅)。并详细讨论了六种稀土配合物的荧光光谱。从配合物的荧光光谱图可以看出,Tm³⁺对Dy³⁺的荧光有增强效应。这可能 是因为在惰性稀土离子Tm³⁺与活性稀土离子Dy³⁺之间有能量的传递。而且当Dy³⁺与Tm³⁺的量比为0.950 : 0.050时,掺杂配合物表现出最佳的发光性质。另外,Tm³⁺对577.4 nm处⁴F_9/2→⁶H_13/2 峰的荧光敏化作用的程度高于对487 nm处⁴F_9/2→⁶H_15/2 峰的荧光敏化作用。⁴F_9/2→⁶H_15/2 峰的荧光强度增强了212％,而⁴F_9/2→⁶H_13/2峰的荧光强度增强了264％。所以,Dy³⁺离子的两个特征峰的发射强度比趋近于1,为1.078,使得配合物在紫外灯下发白色荧光。有可能成为一类发白色荧光的发光材料。     

刮擦全息透射成像的研究

针对刮擦全息在透射成像方面的缺失,先提出了基于几何光学的理论解释,然后对两面刻有不同划痕 的亚克力板进行了一系列成像实验,从而验证了理论的正确性. 通过将刮擦全息透射成像与反射成像进行对比,指 出了二者在理论和实验上的异同. 接着给出了透射成像修正系数的较精确推导,推导过程反映出了板材对透射成 像的影响. 最后,指出了刮擦全息透射成像的实际利用价值及其对进一步完善刮擦全息技术的重要作用     

共晶基陶瓷复合材料的断裂韧性

应用细观力学方法研究了由具有随机尺寸和方位的棒体共晶体构成的共晶基陶瓷复合材料的断裂韧性.首先根据棒状共晶体的细观结构特性,考虑共晶体边界处的微观滑移确定共晶陶瓷复合材料的开裂应力,当外载荷达到开裂应力时,裂纹开始扩展.然后分析裂纹表面处的棒状共晶体桥联力使裂纹产生闭合效应,减小裂纹尖端的应力集中,建立棒状共晶体桥联增韧机制;再依据棒状共晶体拔出过程中摩擦力做功,建立棒状共晶体拔出增韧机制.最后在棒状共晶体的桥联与拔出增韧机制的基础上,得到了共晶基陶瓷复合材料断裂韧性的理论表达式.结果表明共晶基陶瓷复合材料的断裂韧性与棒状共晶体的长径比密切相关.