用于白光LED的高亮度蓝白色荧光粉Ca2SiO3Cl2：Eu2+的发光性质

采用固相法在较低温度下合成了Eu²⁺激活的Ca₂SiO₃Cl₂高亮度蓝白色发光材料,并对其发光性质进行了研究。其发射光谱由两个谱带组成,峰值分别位于420,498nm处,归结为Ca₂SiO₃Cl₂晶体中占据两种不同Ca²⁺格位的Eu²⁺离子的5d→4f跃迁发射。改变Eu²⁺浓度,可以使样品的发光在蓝白色和绿白色之间变化。当Eu²⁺浓度为0.005mol^-1时,样品呈现很亮的蓝白色发光。两个发射峰的激发光谱均分布在250~410nm的波长范围内,峰值分别位于333,369nm处。Ca₂SiO₃Cl₂:Eu²⁺可被InGaN管芯产生的近紫外辐射有效激发,是一种性能良好的白光LED用单一基质蓝白色荧光粉。     

化整为零:聚合物/粘土纳米复合材料的微观结构和阻隔性能

在聚合物基体中掺入少量的层状硅酸盐所制备的聚合物／粘土纳米复合材料，其阻隔性能明显地优于纯聚合物及其传统的复合材料。实验及分析结果表明，聚合物／粘土纳米复合材料的微观结构和阻隔性能主要受控于粘土剥离后的径厚比．一简单的重整化群模型被用来评估粘土几何因素（诸如径厚比、取向、剥离程度等）对聚合物／粘土纳米复合材料阻隔性能的影响，所得到的逾渗阈值及最佳粘土含量与实验结果吻合。     

锐钛矿二氧化钛超细纳米晶的三声子互作用

本文通过对粒径为2.2-25.5nm的锐钛矿二氧化钛超细纳米晶在83-293 K温度范围内的变温拉曼光谱的研究,得到了三声子互作用对拉曼频率和线宽的贡献随粒径的变化关系。结果表明锐钛矿二氧化钛超细纳米晶的三声子相互作用随粒径减小而加强。     

均苯三甲酸铕及铕镧配合物的合成及荧光性质

以均苯三甲酸为配体,水热条件下合成了均苯三甲酸铕及铕镧系列发光配合物La_xEu_1-x(BTC)·nH₂O(x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9),通过元素分析及化学滴定法测定了配合物的组成。用红外光谱对其进行了表征,确定了该系列配合物的组成为La_xEu_1-x(BTC)·nH₂O。研究了系列配合物的荧光性质,荧光光谱表明:该类配合物均能发出强的铕离子的特征荧光,并且镧元素的掺入能增强铕配合物的发光强度,但发射峰的位置基本上没有变化;其中⁵D₀→⁷F₁和⁵D₀→⁷F₂的跃迁发射较强,且均劈裂为两个峰(587,593nm)和(611,618nm),这是由于铕离子所处的配位环境引起的。     

粒子与光电材料相互作用的应用基础研究获自然科学奖

据《济南日报》消息，在2006年1月10日召开的全国科技大会上，山东大学物理与微电子学院王克明教授完成的项目“粒子与光电材料相互作用的应用基础研究”获国家自然科学奖二等奖。该项目在离子注入光波导研究领域取得一些原创性成果，对进行跨学科新领域的课题研究具有重要的借     

碳纳米管被“激光镊子”牵鼻走

~~碳纳米管被“激光镊子”牵鼻走@汪道友~~     

纳米MOSFET迁移率解析模型

从玻尔兹曼方程出发，重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数，特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用，并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础，考虑载流子寿命和速度的统计分布，给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析，该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰，且具有相当精度. 关键词： 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 沟道有效电场     

基于分步式压印光刻的激光干涉仪纳米级测量及误差研究

针对在未做隔离保护处理的环境中，基于Michelson干涉原理的激光干涉仪测量系统存在严重的干扰误差，不适合分步式压印光刻纳米级对准测量的要求.采用Edlen公式的分析及计算，不仅在理论上揭示出环境温度、湿度、气压等变化对激光干涉仪测量准确度的影响，而且证明影响测量准确度的最大干扰源是空气流动的结果.通过气流隔离措施和系统测量反馈校正控制器，能够实时补偿激光干涉仪两路信号的相差.最终，测量漂移误差在10 min内由13 nm降低到5 nm以内，满足压印光刻在100 mm行程中达到20 nm定位准确度要求.     

一种在弱酸性介质中有电化学发光性能的鲁米诺衍生物

报道了一种鲁米诺的衍生物-3-(1-乙酰丙酮偶氮)苯二甲酰肼在酸性介质中的电化学发光行为,该化合物与鲁米诺类似,发生两步电化学氧化反应,但其氧化电位较鲁米诺低约0.5V,在氧化铟锡玻璃电极上具有良好的电化学发光性能,有效地避免了氧化铟锡玻璃电极本身的发光干扰.不仅在碱性介质中具有较高的电化学发光效率,而且在酸性介质中也产生较稳定的电化学发光,在1.0×10-6mol/L以上浓度,电化学发光强度与浓度有良好的线性关系.     

ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。