创新思维巧解动态电路问题

动态电路问题是考查学生电路知识、串并联电路的规律、欧姆定律综合应用能力的基本形式,是学习电学的重点和难点.本文通过在常规思维方法为基础上,提出创新思维方法解决动态电路问题.     

基于数字化手持技术的混凝剂净水效果比较及净水机理研究*

利用数字化手持技术比较混凝剂净水效果和研究净水机理,即通过色度计和pH传感器从混凝剂投入量、净水速率、pH适应范围以及腐蚀性等4个方面对比3种混凝剂的净水效果。研究结论显示:聚合硫酸铁(PFS)的净水效果优于硫酸铁和明矾;明矾的最佳投入量约为125 mg/L,硫酸铁以及PFS的最佳投入量均约为75 mg/L。依据四重表征教学模式对净水过程的pH变化曲线进行分析,得出混凝剂净水的一般机理。     

镍催化硅基保护烯丙醇的烯氢化反应:一种合成含有手性季碳中心高烯丙醇的有效方法

报道了一例手性螺环亚磷酰胺配体和镍的络合物催化的硅基保护烯丙醇的不对称烯氢化反应,以较高的收率(最高达97%)和对映选择性(最高达95%ee)合成了一系列含有手性季碳中心的高烯丙醇.该反应为含有手性季碳中心的双官能团化合物的合成提供了新的有效方法.     

光谱吸收型光纤气体传感器解调系统的研究

提出了一种基于计算机的光纤气体传感器谐波检测的实验室解调方案。系统采用分布反馈式半导体激光器和数据采集卡,并利用所设计的解调软件进行信号解调,实现了气体浓度的谐波检测,并能实时显示采集波形及分析波形。     

手性伯胺硫脲催化的不对称Biginelli反应

以伯胺硫脲为催化剂,D-樟脑磺酸为添加剂,DMF为溶剂,实现了靛红,乙酰乙酸乙酯和脲参与的三组分不对称Biginelli反应,合成了一个新型的嘧啶酮螺环氧化吲哚,其结构经1H NMR,13C NMR和HPLC表征。     

利用手持技术探究建筑火灾逃生策略的合理性——测量氧气含量、二氧化碳浓度和温度的变化

以“蜡烛在亚克力容器中的燃烧”作为建筑火灾逃生通道模拟系统,利用手持技术实时测量亚克力容器内不同高度的氧气含量、二氧化碳浓度、温度的变化,并呈现直观可视的曲线图像。通过对几种表征曲线所负载信息的深入分析,有效解释了建筑火灾发生时关键逃生策略的合理性,深化中小学阶段学生对“燃烧与灭火”相关知识的理解,并有助于提高学生的消防意识及逃生技能。     

孢粉数据的回归分析方法

本文以内蒙古自治区东北部地区表土孢粉分析为例，应用回归分析方法建立孢粉－气候模型，并将该模型应用于相应地区的化石孢粉组合中，以研究该地区的古气候演变．     

2，5－哌嗪二酮与α，β—不饱和醛反应研究

在超声波分散金属钾作用下，２，５－哌嗪二酮与α－β不饱和醛剧烈反应。反应只生成单缩产物，不进行Ｍｉｃｈａｅｌ加成。产物的立体构型采用ＮＯＥ偶合常数确定。文中首次用谱学法证明了该反应的立体化学。     

第六届亚太地区化学工程会议（APCCHE＇93）介绍

第六届亚太地区化学工程会议（ＡＰＣＣＨＥ＇９３）介绍王立新（中国科学院化工冶金研究所生化工程国家重点实验室北京１０００８０）Ｔｈｅ６ｔｈＡｓｉａｎ－ｐａｃｉｆｉｃＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＣｈｅｍｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ（ＡＰＣＣＨＥ＇９３）ｈｅ...     

Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance

We present a detailed study of a superjunction(SJ) nanoscale partially narrow mesa(PNM) insulated gate bipolar transistor(IGBT) structure. This structure is created by combining the nanoscale PNM structure and the SJ structure together. It demonstrates an ultra-low saturation voltage(V_(ce(sat))) and low turn-off loss(E_(off)) while maintaining other device parameters. Compared with the conventional 1.2 k V trench IGBT, our simulation result shows that the V_(ce(sat))of this structure decreases to 0.94 V, which is close to the theoretical limit of 1.2 k V IGBT. Meanwhile, the fall time decreases from109.7 ns to 12 ns and the E off is down to only 37% of that of the conventional structure. The superior tradeoff characteristic between V_(ce(sat))and E_(off) is presented owing to the nanometer level mesa width and SJ structure. Moreover, the short circuit degeneration phenomenon in the very narrow mesa structure due to the collector-induced barriers lowering(CIBL) effect is not observed in this structure. Thus, enough short circuit ability can be achieved by using wide, floating P-well technique.Based on these structure advantages, the SJ-PNM-IGBT with nanoscale mesa width indicates a potentially superior overall performance towards the IGBT parameter limit.