纳米碳管阵列场增强因子的计算

采用悬浮球模型，结合对称的镜像电荷层方法，对静电场中纳米碳管阵列的场增强因子进行了计算，并在考虑极板间距的情况下，对其计算结果做了修正.结果表明：纳米碳管阵列的间距对纳米碳管阵列的场发射性能影响很大.当纳米碳管阵列中碳管间距小于碳管高度时，场增强因子随间距的减小而急剧减小；而当碳管间距显著大于碳管高度时，场增强因子几乎不变.但当考虑阴阳极之间单位面积通过的场发射电流时，可论证当管间距与管高度相若时，能使场发射电流密度最佳(最大).另外，极板间距对场增强因子的影响很小，但是可以通过减小极板间距，来降低纳米碳管作为场发射体的场发射的开启电压，优化纳米碳管的场发射性能. 关键词： 纳米碳管阵列 场增强因子 开启电压     

利用微波等离子体增强化学气相沉积法定向生长纳米碳管的研究

利用微波等离子体增强化学气相沉积法在氢气和甲烷的混合气体中定向生长纳米碳管.经扫描电子显微镜观察与分析，发现纳米碳管在与基板垂直的方向上整齐排列，管径较均匀且长度基本相同. 关键词： 微波等离子体 纳米碳管     

Magnetoelectric Coupling in Bilayers of Pb（Zr, Ti）O3 Epoxy and Hot Pressed Manganite Perovskite

The synthesis and magnetoclectric （ME） characterization of bilayers of Pb（Zr, Ti）O3 （PZT） and hot pressed manganite perovskite La0.7Sr0.3MnO3 （LSMO） are discussed. Very strong ME interactions are measured for the bilayers. The bilayers exhibit superior ME coupling compared to thick-film composites prepared by tape casting process. Data of the ME voltage coefficient have been obtained as functions of bias magnetic field H, temperature and frequency. The transverse coupling is stronger than the longitudinal interactions and a maximum in the ME voltage coefficient is measured at 225K. The frequency dependence of the ME voltage coefficient reveals a peak at the electromechanical resonance due to radial modes.     

基于改进神经动态规划算法的CFB锅炉床温控制器

循环流化床锅炉燃烧系统是一个复杂的、大时滞、强耦合、非线性系统,维持燃烧室内正常的床温,是硫化床锅炉稳定运行的关键;针对传统的CFB锅炉床温控制器存在抗干扰能力弱、稳定时间长、控制精度不高等问题,提出了一种新型的基于改进神经动态规划(NDP)算法的锅炉床温控制器,该控制器的模型模块采用Elman神经网络;在某工控点下,将其用于CFB锅炉燃烧控制系统,并与传统的PID控制器进行比较;仿真结果表明:基于改进NDP算法的控制器,可以更好地拟合CFB锅炉燃烧系统的实际数学模型,具有动态性能好、收敛速度快、控制精度高等优点。     

高剂量As离子注入对高阻Si电学特性的影响

为了实现低电阻率厚度为纳米级的红外探测器电极材料,通过离子注入的方法将高浓度的As掺入高阻单晶硅,并经过快速退火处理,获得了厚度～200 nm、电阻率为10-4?·cm的Si:As电极层.原子力显微镜测试结果表明,离子注入的样品表面依然较平整,表面均方根粗糙度仅为0.5 nm.使用聚焦离子束设备(FIB)制备高分辨透射电镜(HRTEM)样品,高浓度的As掺入虽然会损伤Si晶格、引入大量的缺陷,但是HRTEM观察表明合适的退火工艺能够使得完整晶格得到恢复,而且霍尔效应和扩展电阻的测量分析表明,用离子注入方法制备的Si:As层载流子浓度达到2.5×1020cm-3、电子迁移率高于40 cm2/V·s,具有优异的电学性能,适合用作各种Si基光电器件的背电极.     

Fe掺杂GaN晶体非极性面的光学各向异性研究

本文利用低温光致发光谱(PL)研究了Fe掺杂GaN晶体非极性a面{1120}、m面{1100} 的带边峰和Fe³⁺相关峰(⁴T₁(G)- ⁶A₁(S))的偏振发光特性。结果表明:a面与m面光学各向异性差别较小,线偏振光的电矢量E平行于c轴[0001]时(E∥c),GaN带边峰强度最小,而Fe³⁺零声子峰(1.299 eV)强度最强。带边峰线偏振度小,而Fe³⁺零声子峰线偏振度大,a面带边峰的线偏振度为26％,Fe³⁺零声子峰的偏振度在a面和m面分别达到55%和58%。在5 K低温下,进一步测量了Fe³⁺精细峰和声子伴线的偏振特性,结果表明,除了一个微弱的峰外,其他精细峰和声子伴线与Fe³⁺零声子峰偏振特性一致。本研究有助于拓展Fe掺杂GaN晶体材料在新型偏振光电器件领域的应用。     

我国供给侧结构性改革创新驱动与评价研究

通过分析现有的文献资料,找出驱动因素,构建中国供给侧结构性改革的评价模型,并通过供给侧结构性改革评价模型与供给侧改革目标指标的灰色关联度分析,找到了中国供给侧结构性改革的驱动因素及改革中存在的问题及不足,并针对其提出了合理化建议.     

忆阻器研究新进展:基于二维材料的可耐受超高温忆阻器

正忆阻器是一种由两个端子和一个导电通道组成的电子元件,其电阻可以通过施加的电压或电流操作进行调节。因此,该器件是一种具有"记忆"能力的电阻,并可应用于存储和类脑计算等领域。华裔科学家蔡少棠在1971年首先提出了忆阻器的概念。他指出除了电阻器、电感器和电容器之外,还应该存在第四种基本电路元件,即忆阻器[1]。2008年,惠普实验室首次从实验上建立了忆阻器的概念与固态电子器件的联系[2],证实     

单壁碳纳米管在场发射显示器中的应用研究

采用丝网印刷法将利用电弧放电法制备的单壁碳纳米管印刷在玻璃板上作为场发射显示器阴极材料，利用荧光粉阳极测试了其发光亮度，并研究其场发射性能.实验结果表明，单壁碳纳米管作为场发射显示器阴极材料具有较低的开启电场和较大的场发射电流密度，显示出良好的场发射特性.