| 高剂量As离子注入对高阻Si电学特性的影响 |
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| 引用本文： | 朱贺,张兵坡,王淼,胡古今,戴宁,吴惠桢.高剂量As离子注入对高阻Si电学特性的影响[J].物理学报,2014(13):328-334. |
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| 作者姓名： | 朱贺 张兵坡 王淼 胡古今 戴宁 吴惠桢 |
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| 作者单位： | 浙江大学物理系和硅材料国家重点实验室;中国科学院上海技术物理研究所;红外物理国家重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61290305和11374259)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 为了实现低电阻率厚度为纳米级的红外探测器电极材料,通过离子注入的方法将高浓度的As掺入高阻单晶硅,并经过快速退火处理,获得了厚度～200 nm、电阻率为10-4?·cm的Si:As电极层.原子力显微镜测试结果表明,离子注入的样品表面依然较平整,表面均方根粗糙度仅为0.5 nm.使用聚焦离子束设备(FIB)制备高分辨透射电镜(HRTEM)样品,高浓度的As掺入虽然会损伤Si晶格、引入大量的缺陷,但是HRTEM观察表明合适的退火工艺能够使得完整晶格得到恢复,而且霍尔效应和扩展电阻的测量分析表明,用离子注入方法制备的Si:As层载流子浓度达到2.5×1020cm-3、电子迁移率高于40 cm2/V·s,具有优异的电学性能,适合用作各种Si基光电器件的背电极.
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| 关 键 词： | 硅电极材料 离子注入 低电阻率 微观结构 |
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