YPO_4∶Tb荧光粉的制备及其VUV激发下的发光性能

采用共沉淀法制备了PDP用的绿色荧光粉YPO4∶Tb。XRD、SEM等测试手段表明用此方法制备的YPO4∶Tb相纯度高,所需的烧结温度低、颗粒分散性好、颗粒尺寸分布窄,且表面质量好。研究了YPO4∶Tb在真空紫外光(VUV)激发下的发光性能,并对VUV激发下的发光机理进行初步探索。     

Eu3+掺杂的α-Gd2(MoO4)3荧光粉合成与表征

采用固相反应法合成了Eu³⁺掺杂的α-Gd₂(MoO₄)₃荧光粉。通过XRD、SEM以及激发和发射光谱对样品进行了研究,结果发现助熔剂为3%时样品的结晶较好,样品的发光强度最强,并且样品粉末不团聚。光谱测量的结果表明该荧光粉与其他商品荧光粉不同,其最有效的激发波长不在电荷迁移带范围,其f-f跃迁的465,395nm吸收更强,这就意味着该类荧光粉可作为目前已商品化的白光LED的红色补偿荧光粉,也可作为近紫外LED和三基色荧光粉组合型白光器件的红色荧光粉的候选材料。     

立方相Y2O3:Eu纳米晶中C2格位Eu3+的5D0能级量子效率

采用化学自发燃烧法制备了立方相不同粒径的纳米晶Y2O3:Eu(1 mol%),并通过退火处理得到了体相材料,测量了它们的发射谱和处在C2格位上Eu3 的5D0能级室温和10 K下的荧光衰减曲线.利用发射光谱数据计算了Eu3 在不同粒径纳米晶体Y2O3中的光学跃迁强度参数Ωλ(λ=2,4),通过对室温和低温下5D0能级荧光衰减的测量,用两种不同方法估计了处在C2格位上Eu3 的5D0能级的量子效率,对所获得的结果进行了讨论,并对两种获得量子效率不同方法进行了评价.     

(Y,G d)(P,V)O4:Eu3+荧光粉的发光特性

采用高温固相方法合成了(Y,Gd)(P,V)O₄:Eu³⁺,经X射线结构分析确定为四方晶系,体心结构,空间群为I4₁/amd[141]。研究了(Y,Gd)(P,V)O₄:Eu³⁺在VUV及UV激发下的光谱特性,讨论了激活剂Eu³⁺的浓度对发光亮度的影响。(Y,Gd)(P,V)O₄:Eu³⁺荧光粉的发射主峰在619nm,证明Eu³⁺离子占据了非反演对称中心的位置。在(Y,Gd)(P,V)O₄:Eu³⁺(监控619nm)的激发谱,有一个中心位于156nm的吸收带,它属于基质的吸收带。将(Y,Gd)(P,V)O₄:Eu³⁺的发光性能与PDP商用红粉(Y,Gd)BO₃:Eu³⁺进行了比较。(Y,Gd)(P,V)O₄:Eu³⁺的发射主峰在619nm,比发射主峰为593nm的(Y,Gd)BO₃:Eu³⁺色纯度好,是一种很有应用前景的发光材料。     

白光LED用红色荧光粉Gd2Mo3O9：Eu3+的制备及表征

利用Na₂CO₃作为助熔剂,采用高温固相反应方法制备了三价铕离子激活的Gd₂Mo₃O₉红色荧光粉。利用XRD和荧光光谱,研究了助熔剂的量、制备时的温度以及激活剂Eu³⁺的浓度对荧光粉的晶体结构和发光性能的影响。测试结果表明,这种新型的荧光粉可以被紫外光280nm,近紫外光395nm和蓝光465nm有效激发,发射主峰位于613nm,并且证明Eu³⁺离子在晶体结构中占据了非反演对称中心的位置。395,465nm的吸收与目前广泛应用的紫外和蓝光LED芯片的输出波长相匹配。因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料。     

可调谐TEA CO2超辐射激光器分离硼同位素研究

提出了采用可调谐TEA CO2超辐射激光器对硼同位素分离的研究方法。反应室长20cm，内直径5cm，室内BCl3／O2混合物经聚焦单频超辐射激光脉冲照射350次，生成物（B2O3）中加B的富集系数达1.24，选择系数（关于^10B）达1.29，证实了超辐射CO2激光具有选择性激发分离同位素和多光子离解分子的能力。     

白光LED用红色荧光粉α-Gd2(MoO4)3:Eu的制备及其发光性能研究

以Gd2O3,MoO3,Eu2O3为原料,采用传统的高温固相反应方法制备了一种新的白光LED用红色荧光粉材料α相Gd2(MoO4)3:Eu.利用XRD,SEM,激发和发射光谱对其进行了研究.分析了助熔剂和激 .活剂对样品的晶体结构,表面形貌和发光性能的影响.结果表明这种荧光粉可以被近紫外光(395 nm)和蓝光(465 nm)有效激发,发射峰值位于613 nm(Eu3 离子的5D0→7F2跃迁)的红光,激发波长与目前广泛使用的蓝光和紫外光LED芯片相符合.因此,三价Eu离子激活的α相Gd2(MoO4)3是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料.     

稀土硼酸盐玻璃中三价镝离子的光谱分析

制备了具有高效可见荧光发射的Dy3+掺杂稀土硼酸盐(LBLB)玻璃,测量和分析了玻璃样品的吸收和荧光光谱。运用Judd-Ofelt理论,根据玻璃的吸收光谱求得各吸收跃迁的振子强度,利用最小二乘法求得Dy3+离子的晶场调节参数Ωt(t=2,4,6)分别为4.04×10-20,1.30×10-20和1.82×10-20cm2,计算了拟合过程的均方根偏差(rδms)。在紫外光激发下,Dy3+掺杂LBLB玻璃发出明亮的黄白光。激发光谱表明,氩离子激光器是Dy3+掺杂LBLB玻璃有效的激发光源。     

静电纺丝技术在二次电池和电催化领域的应用进展

静电纺丝技术是一种简单、高效制备一维纳米纤维的方法,其制备的纳米纤维一般经过后期热处理得到含碳复合物,具有操作简单、方法可控、产量可观等优点,得到的材料具有良好的导电性和快速的电子、离子传输路径,因此可用来广泛制备电极及催化材料.基于此,静电纺丝技术在二次电池(如锂/钠离子电池)和电催化领域有着广泛的应用.本综述不仅介绍了静电纺丝技术的原理,并且总结了其在纳米电极材料及催化领域的优势和标志性成果,并针对相关领域的问题进行了合理的探讨.此外,本文简要总结了现有的发展进程并指出了未来的发展方向,可对静电纺丝技术在先进能源材料的设计与制备上提供指导.     

退火对ZnS纳米晶结构相变及发光的影响

采用共沉淀法制备了ZnS及ZnS：Eu纳米晶粉末,并对其在不同温度进行了退火处理。通过X射线粉末衍射(XRD)技术及差热分析实验(DTA)对ZnS纳米粒子在退火过程中的从立方到六角晶相的结构相变进行了研究。实验结果表明,同体材料相比,由于ZnS纳米晶具有较大的表面活性,其相变温度大大降低了。在由纳米粉末退火制备的样品中,观察到峰值位于460nm和520nm的两个发光带。前者是ZnS的自激活发光;后者归因于纳米晶制备过程中引入的缺陷或者在退火过程中形成了杂质能级。在退火温度低于800℃条件下,由纳米粒子制备的样品和由商用生粉制备的荧光粉相比较,前者的发光明显较强。铕的掺杂并没有形成新的发光中心,但却极大的增强了ZnS的缺陷发光。