化学配比调制表面带弯对表面光电压谱的影响

表面光电压技术发展于六十年代初期，Goodman［‘］曾用来测量半导体中少数载流子的扩散长度．在少数载流于扩散长度的计算公式中，无光照射时的表面带弯K。是极重要的参数，改变K。以检验公式的物理意义尤为重要．但早期的研究工作不能显著地改变Vso值．近年来虽出现了一些调制表面带弯的物理手段，如在涮量电极和样品间加一层铁电晶体【到或花样品两侧施加电场等【司，但其效果均不十分理想．表面光电压技术与化学的联系日益密切，王德军等P问到曾尝试将其应用到化学领域中以研究界面电行转移与固体表面酸度．本文则考虑应用化学方法来…     

聚马来酸偶氮萘己单酯LB膜对n—Si（100）的光敏化作用

合成了聚马来酸{6-[4-(1-偶氮)-萘氧]己基}单酯功能化合物,并在不同基底(CaF_2,n-Si(100))上沉积其LB膜,利用UV-Vis和IR光谱对膜性质和结构进行了表征.对膜修饰表面的硅片表面光电压谱测试发现,它对单晶硅具有很强的敏化作用.对界面电子过程也进行了初步讨论.     

Median Unbiased Estimation of Bivariate Predictive Regression Models with Heavy-tailed or Heteroscedastic Errors

In this paper, we consider median unbiased estimation of bivariate predictive regression models with non-normal, heavy-tailed or heteroscedastic errors. We construct confidence intervals and median unbiased estimator for the parameter of interest. We show that the proposed estimator has better predictive potential than the usual least squares estimator via simulation. An empirical application to finance is given. And a possible extension of the estimation procedure to cointegration models is also described.     

掺Sn的纳米TiO2表面光生束缚激子的验证及其特性

采用溶胶-凝胶法制备了不同掺杂Sn的TiO2纳米粒子，并主要利用表面光电压谱(SPS)和电场诱导表面光电压谱(EFISPS)对样品进行了表征，重点探讨了焙烧温度和掺Sn量对TiO2光生电荷性质的影响．同时揭示了样品结构与表面光生束缚激子的关系及其特性．结果表明：与束缚激子相关的光伏响应只在含有金红石相的TiO2样品中出现，且在混晶相中表现得更加显著．掺杂适量Sn不仅提高了纳米TiO2的与带带跃迁相关的SPS响应强度，同时也使与束缚激子相关的SPS响应明显增强．     

掺Sn的纳米TiO2表面光生束缚激子的验证及其特性

采用溶胶-凝胶法制备了不同掺杂Sn的TiO₂纳米粒子, 并主要利用表面光电压谱(SPS)和电场诱导表面光电压谱(EFISPS)对样品进行了表征, 重点探讨了焙烧温度和掺Sn量对TiO₂光生电荷性质的影响. 同时揭示了样品结构与表面光生束缚激子的关系及其特性. 结果表明: 与束缚激子相关的光伏响应只在含有金红石相的TiO₂样品中出现, 且在混晶相中表现得更加显著. 掺杂适量Sn不仅提高了纳米TiO₂的与带带跃迁相关的SPS响应强度, 同时也使与束缚激子相关的SPS响应明显增强.     

利用瞬态光电压技术对纳米TiO2 薄膜电极中光生电荷传输机理的研究

利用瞬态光电压技术对光生电荷在纳米TiO2 薄膜电极中的传输机理进行了研究. 结果表明光生电荷在纳米TiO2薄膜的体相和TiO2/ITO界面分别以扩散和漂移进行分离传输的. 并且对光生电子在TiO2/ITO界面的俘获对光电压响应产生显著的影响. 这是由于在TiO2/ITO界面存在界面势垒,且带弯是从TiO2指向ITO向下弯曲. 同时也表明瞬态光电压是一种很好的表征光电功能材料的光电性质的方法.     

TCNQ光电压气敏特性的量子化学研究

7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷(TCNQ)的CT复合物是良好的导电材料,具有许多超常的特性,我们曾用表面光电压技术(SPV)首次观察到TCNQ多晶内部既有施主基团又有受主基团,TCNQ与探针分子(CO,O_2,No_2)作用,其光电压谱发生2类不同的变化。为从理论上阐明产生不同光电压谱的原因,本文用CNDO法研究了TCNQ的电子结构及其与探针分子的相互作用,讨论了气敏特性与机理。