首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   466篇
  免费   209篇
  国内免费   240篇
化学   374篇
晶体学   11篇
力学   30篇
综合类   11篇
数学   60篇
物理学   429篇
  2024年   12篇
  2023年   36篇
  2022年   51篇
  2021年   26篇
  2020年   20篇
  2019年   29篇
  2018年   34篇
  2017年   28篇
  2016年   28篇
  2015年   28篇
  2014年   62篇
  2013年   39篇
  2012年   41篇
  2011年   35篇
  2010年   33篇
  2009年   40篇
  2008年   44篇
  2007年   26篇
  2006年   28篇
  2005年   19篇
  2004年   25篇
  2003年   8篇
  2002年   20篇
  2001年   30篇
  2000年   16篇
  1999年   23篇
  1998年   13篇
  1997年   9篇
  1996年   11篇
  1995年   10篇
  1994年   9篇
  1993年   11篇
  1992年   7篇
  1991年   6篇
  1990年   9篇
  1989年   4篇
  1988年   4篇
  1987年   5篇
  1986年   8篇
  1983年   4篇
  1982年   2篇
  1980年   2篇
  1979年   4篇
  1978年   2篇
  1977年   3篇
  1966年   2篇
  1964年   2篇
  1963年   2篇
  1961年   1篇
  1958年   1篇
排序方式: 共有915条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
能源问题   总被引:1,自引:0,他引:1  
何棋  唐宇 《数学通讯》2001,(11):24-25
我们常常使用煤气和电来做饭,许多人都很关心用电和用煤气哪个更合算,为分析此问题,我用烧水来做对比分析.  相似文献   
42.
王珮  侯伯元  侯伯宇 《物理学报》1986,35(4):433-442
本文分析了规范群上同调的拓扑障碍。指出规范群上同调的上边缘算子相当于?ech的差映射算子。采用逐级分区的方法克服以往常用的d-1算子的含混性,而且将各阶上闭链与指数Z相联系,澄清了规范群上闭链的整体拓扑意义。 关键词:  相似文献   
43.
碰撞模型下运动物体所受空气阻力的教学   总被引:1,自引:0,他引:1  
毛兴宇 《工科物理》1999,9(6):48-48,52
本文利用简单的碰撞模型,讨论了在空气中运行的物体所受空气阻力与物体的运动速度有关。  相似文献   
44.
胡嫁琪  李震宇  王祖鑫  尚玉平  王思豪  廖成 《强激光与粒子束》2021,33(10):103005-1-103005-11
通过传输型超表面透镜与电路模拟雷达波吸收器的集成设计,提出了一种兼具透射波前变换与带外雷达散射截面减缩特性的微波复合材料设计方法。透镜采用亚波长分布的周期性单元,由梯度相位补偿对透射波进行调节,进而获得平面波前与球面波前之间的互易变换。并且,使用透镜在波前变换频带以外低频端的反射特征,结合单个有耗层设计,构造了电路模拟吸波器。选用一副缝隙耦合馈电的微带贴片天线单元作为初级馈源天线,观察到复合材料的波前变换特性可在宽频带范围内产生主瓣增益增强效果。与透镜相比,电路模拟吸波器的引入使得复合材料针对TE与TM极化分别可在130.68%与155.11%的频率范围内获得雷达散射截面减缩效果。通过全波模拟和实验测量,验证了辐射增益增强与雷达散射截面减缩效果,表明了复合材料吸聚一体设计的有效性。  相似文献   
45.
宋涛  祁继辉  侯培国  赵明宇  李坤 《应用光学》2021,42(6):1040-1047
为了实现对多通道投影画面重叠区域亮度的准确调节,设计了基于B样条曲线的投影图像边缘融合方法。首先,根据投影幕、外界光照环境以及投影仪自身性质设定衰减函数与伽玛校正的参数。接着,通过摄像机采集投影画面的重叠区域并计算每个像素点的颜色强度,通过理想值计算峰值信噪比。然后,比较二次B样条曲线与三次B样条曲线的校正精度与灵活度。最后,通过三次B样条曲线对投影图像进行边缘亮度优化直到峰值信噪比达到标准值为止。实验结果表明:投影画面重叠区域的R通道经B样条曲线优化后峰值信噪比提升了9.13 dB,G通道峰值信噪比提升了6.09 dB,B通道峰值信噪比提升了7.53 dB。基于B样条曲线的投影图像边缘亮度优化技术提高了投影画面重叠区域亮度调节的准确度。  相似文献   
46.
An ultra-wideband metamaterial absorber is developed,which is polarized-insensitive and angular-stable.Three layers of square resistive films comprise the proposed metamaterial.The optimal values of geometric parameters are obtained,such that the designed absorber can achieve an ultra-broadband absorption response from 4.73 to 39.04 GHz(relative bandwidth of 156.7%)for both transverse electricity and transverse magnetic waves.Moreover,impedance matching theory and an equivalent circuit model are utilized for the absorption mechanism analysis.The compatibility of equivalent circuit calculation results,together with both full-wave simulation and experimental results,demonstrates the excellent performance and applicability of the proposed metamaterial absorber.  相似文献   
47.
扫描离子电导显微镜(SICM)是一种扫描探针显微技术,通过测定超微玻璃管探针的离子电流,它能够非接触地扫描样品表面,进而研究样品的形貌及性质。SICM具有成像分辨率高、探针易于制备和对被成像物体无损伤等特点,特别适用于研究生理条件下的活体细胞,是一种与扫描电化学显微镜及原子力显微镜互补的扫描探针显微镜技术。SICM能够对软界面及表面,如活细胞表面的显微结构,进行高分辨率成像;并能够与其它技术联用,研究细胞形貌与功能的关系;还能控制沉积特定分子,实现纳米尺度的显微操作与加工。本文对SICM的发展历史、仪器构造、基本原理及应用进行了综述。  相似文献   
48.
聚芴类半导体光谱稳定性   总被引:2,自引:0,他引:2  
有机半导体的物理和化学性质直接影响其光电器件的性能, 这为物理化学提出了新的研究内容与挑战. 其中, 聚芴类蓝光二极管的光谱稳定性及低能发射带(LEEB)的起源问题是国际上近十年的热点问题之一. 本文系统概述了低能发射带的现象、表征方法以及可能的形成机理, 包括链间作用导致的激基缔合物发射、器件制备或降解过程形成的芴酮缺陷发射、芴酮聚集态发射以及聚芴端羟基界面氧化导致的绿光发射. 本文综述各种物理掺杂和界面调控改善聚芴类二极管蓝光稳定性的策略, 着重论述非平面基团的空间位阻、分子构象与链的拓扑结构以及引入抗氧化受阻胺光稳定剂来提高其光谱稳定性策略.  相似文献   
49.
针对12支路并联的快前沿直线脉冲变压器单级模块,给出了模块的电路结构和关键器件参数,实验获得了12只多间隙气体开关的自击穿特性和触发特性。同时,还给出了快前沿直线脉冲变压器模块输出电流的初步实验结果,工作电压150 kV时,次级短路放电电流幅值为235 kA,电流前沿88.2 ns(10%~90%)。次级带0.58 负载情况下,输出电流幅值114.5 kA,电流前沿88.9 ns(10%~90%)。利用微分环测量了12只开关的触发时延分散性,结果表明100次实验开关触发时延分散性近似符合正态分布,开关触发时延分散性对输出电流的影响不大,电流幅值和前沿的标准偏差分别小于2.0%,4.0%,电流波形的畸变主要以平顶为主。  相似文献   
50.
林芳  沈波  卢励吾  刘新宇  魏珂  许福军  王彦  马楠  黄俊 《中国物理 B》2011,20(7):77303-077303
By using temperature-dependent Hall,variable-frequency capacitance-voltage and cathodoluminescence (CL) measurements,the identification of inductively coupled plasma (ICP)-induced defect states around the Al x Ga 1-x N/GaN heterointerface and their elimination by subsequent annealing in Al x Ga 1-x N/GaN heterostructures are systematically investigated.The energy levels of interface states with activation energies in a range from 0.211 to 0.253 eV below the conduction band of GaN are observed.The interface state density after the ICP-etching process is as high as 2.75×10 12 cm 2 ·eV 1.The ICP-induced interface states could be reduced by two orders of magnitude by subsequent annealing in N 2 ambient.The CL studies indicate that the ICP-induced defects should be Ga-vacancy related.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号